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(a) 기판 상에 촉매전극층을 형성하는 단계; 및(b) 이온 빔을 이용하여 상기 촉매전극층을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 유리, 석영(quartz), 커런덤(corundum), 산화 마그네슘(MgO), 이산화 티타늄(TiO2), 실리콘(Si) 또는 실리콘 질화물(Si3N4) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 촉매전극층은 백금족 금속 또는 전도성 금속 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 식각에 의해, 상기 촉매전극층에 스트레스(stress)를 발생시키는 것을 특징으로 하는 전극체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 식각은 1초 내지 180초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 전극체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 촉매전극층은 스퍼터링을 사용하여 1 nm 내지 100 nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 전극체 제조방법
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작동전극 기판, 투명전극층, 블록킹 층(blocking layer) 및 염료(dye)가 흡착된 이산화 티타늄(TiO2), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 중 어느 하나를 포함하는 층이 순차적으로 적층된 작동전극;상기 작동전극 상에 배치되는 전해질층; 및상기 전해질층 상에 배치되는, 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 전극체 제조방법을 사용하여 제조한 상대전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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