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기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 β상의 결정구조를 갖는 PVDF층으로 이루어지며,상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제1항에 있어서,상기 채널형성층은 유기물 반도체층인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제1항에 있어서,상기 채널형성층은 절연층인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제1항에 있어서,상기 기판은 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC), 폴리에틸렌(PE), 에틸렌 공중합체, 폴리프로필렌(PP), 프로필렌 공중합체, 폴리(4-메틸-1-펜텐)(TPX), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리아세탈(POM), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리설폰(PSF), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리염화비닐리덴(PVDC), 폴리초산비닐(PVAC), 폴리비닐알콜(PVAL), 폴리비닐아세탈, 폴리스티렌(PS), AS수지, ABS수지, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 불소수지, 페놀수지(PF), 멜라민수지(MF), 우레아수지(UF), 불포화폴리에스테르(UP), 에폭시수지(EP), 디알릴프탈레이트수지(DAP), 폴리우레탄(PUR), 폴리아미드(PA), 실리콘수지(SI) 또는 이것들의 혼합물 및 화합물 중 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제1항에 있어서,상기 기판이 종이를 포함하는 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제3항에 있어서,상기 절연층이 유기물인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 β상의 결정구조를 갖는 PVDF층으로 이루어지며,상기 게이트전극과 채널형성층 사이에 강유전체층이 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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8
제7항에 있어서,상기 채널형성층은 유기물 반도체층인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제7항에 있어서,상기 채널형성층은 절연층인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제7항에 있어서,상기 기판은 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC), 폴리에틸렌(PE), 에틸렌 공중합체, 폴리프로필렌(PP), 프로필렌 공중합체, 폴리(4-메틸-1-펜텐)(TPX), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리아세탈(POM), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리설폰(PSF), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리염화비닐리덴(PVDC), 폴리초산비닐(PVAC), 폴리비닐알콜(PVAL), 폴리비닐아세탈, 폴리스티렌(PS), AS수지, ABS수지, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 불소수지, 페놀수지(PF), 멜라민수지(MF), 우레아수지(UF), 불포화폴리에스테르(UP), 에폭시수지(EP), 디알릴프탈레이트수지(DAP), 폴리우레탄(PUR), 폴리아미드(PA), 실리콘수지(SI) 또는 이것들의 혼합물 및 화합물 중 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제7항에 있어서,상기 기판이 종이를 포함하는 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제9항에 있어서,상기 절연층이 유기물인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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