맞춤기술찾기

이전대상기술

전류밀도 조절을 통해 비아에 CU 충전물을 무결점으로 충전하는 방법

  • 기술번호 : KST2015195033
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전류밀도를 조절하여 인가함으로써 실리콘 웨이퍼 상의 비아의 하단부로부터 중간부, 그리고 상단부에 단계적으로 Cu 충전물을 충전시키는 전류밀도 조절을 통해 CU 충전물을 무결점으로 충전하는 방법으로서, 종래 방법들에 비해 비아 내에 Cu 충전물을 충전하는 방법이 간단하면서도 충전 시간이 빠르며, 특히 비아 내부에 보이드가 발생되지 않게 무결점 도금을 달성함으로써, 반도체 소자의 전기적인 단락 및 저항의 증가를 차단할 수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01)
출원번호/일자 1020110069604 (2011.07.13)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1261304-0000 (2013.04.30)
공개번호/일자 10-2013-0008915 (2013.01.23) 문서열기
공고번호/일자 (20130506) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.13)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정재필 대한민국 서울특별시 동대문구
2 김종형 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 이왕구 대한민국 경기도 고양시 일산서구
4 홍성철 대한민국 경기도 안산시 상록구
5 정도현 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김윤배 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, ****호(서초동, 강남빌딩)(특허법인인터브레인)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0539417-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0031357-60
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0557517-54
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0952918-12
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-1051514-71
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0050830-26
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0050835-54
9 등록결정서
Decision to grant
2013.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0269392-45
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 웨이퍼에 형성된 비아에 전류밀도 조절을 통해 CU 충전물을 무결점으로 충전하는 방법으로서,환원(-)전류인 펄스, 산화(+)전류인 역펄스 및 전류차단 시간(current off time)을 주기적으로 각각 갖는 파형의 전류밀도를 저전류, 중전류 및 고전류의 3단계로 조절하여 인가함으로써 비아의 하단부로부터 중간부, 그리고 상단부에 단계적으로 Cu 충전물을 충전시키되,상기 펄스, 역펄스 및 전류차단 시간을 주기적으로 각각 갖는 파형의 전류밀도는, 제 1단계의 저전류를 통해 상기 비아의 하단부에 Cu 충전물의 도금을 활성화시키고, 제 2단계의 중전류를 통해 상기 비아의 중간부에 Cu 충전물을 충전시키며, 제 3단계의 고전류를 통해 상기 비아의 상단부에 Cu 충전물을 충전시키고,상기 펄스, 역펄스 및 전류차단 시간을 주기적으로 갖는 파형의 저전류는 평균 전류밀도 -1mA/cm2 ~ -3mA/cm2로 30분 내지 40분간 인가되고, 펄스, 역펄스 및 전류차단 시간을 주기적으로 갖는 파형의 중전류는 평균 전류밀도 -3mA/cm2 ~ -3
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 서울시립대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(2010 서울시 기술기반구축사업) 3D Microsystem Packaging을 위한 접합 공정 및 장비 개발