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기판과,상기 기판에 형성되는 트랜지스터,상기 트랜지스터의 상측에 형성됨과 더불어 전기석을 포함하여 구성되는 버퍼층 및,상기 버퍼층의 상측에 형성되는 강유전체 캐패시터를 포함하여 구성되고,상기 강유전체 캐패시터는 하부 전극층 및 상부 전극층과, 상기 하부 및 상부 전극층 사이에 형성되는 강유전체층을 포함하여 구성됨과 더불어, 상기 하부 전극층이 데이터 전극, 상부 전극층이 접지 전극인 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 트랜지스터는 기판에 형성되는 드레인 및 소오스 영역과,상기 드레인 및 소오스 영역 사이에 형성되는 채널영역을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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기판과,상기 기판에 형성되는 트랜지스터,상기 트랜지스터의 상측에 형성됨과 더불어 전기석을 포함하는 물질로 구성되는 버퍼층 및,상기 버퍼층상의 상기 트랜지스터에 대응하는 영역에 형성되는 강유전체 캐패시터를 포함하여 구성되고,상기 강유전체 캐패시터는 하부 전극층 및 상부 전극층과, 상기 하부 및 상부 전극층 사이에 형성되는 강유전체층을 포함하여 구성됨과 더불어, 상기 하부 전극층이 접지 전극, 상부 전극층이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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4
제3항에 있어서,상기 트랜지스터는 기판에 형성되는 드레인 및 소오스 영역과,상기 드레인 및 소오스 영역 사이에 형성되는 채널영역을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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5
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 채널영역상에 형성됨과 더불어 전기석을 포함하는 물질로 구성되는 버퍼층,상기 버퍼층의 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 포함하여 구성되고,상기 하부 전극층이 데이터 전극, 상부 전극층이 접지 전극으로 설정되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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6
제5항에 있어서,상기 기판이 종이 또는 유기물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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7
제5항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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8
제5항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 유기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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9
제5항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물과 유기물을 포함하는 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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10
제5항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물과 강유전 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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11
제5항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물의 고용체와 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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12
제5항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물의 고용체와 강유전 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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13
제5항에 있어서,상기 강유전체층에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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14
제5항에 있어서,상기 하부 전극층 및 상부전극층이 금, 은, 알루미늄, 플라티늄, 인듐주석화합물(ITO), 스트론튬티타네이트화합물(SrTiO3)이나, 그 밖의 전도성 금속 산화물과 이것들의 합금 및 화합물, 또는 전도성 중합체를 기재로 하는 예컨대 폴리아닐린, 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술포네이트(PEDOT:PSS) 등의 혼합물이나 화합물 또는 다층물 등을 포함하는 모든 도전성 금속 및 금속 산화물과 도전성 유기물중 하나인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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15
제5항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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16
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 채널영역상에 형성됨과 더불어 전기석을 포함하는 물질로 구성되는 버퍼층,상기 버퍼층의 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 포함하여 구성되고,상기 하부 전극층이 접지 전극, 상부 전극층이 데이터 전극으로 설정되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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17
제16항에 있어서,상기 기판이 종이 또는 유기물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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18
제16항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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19
제16항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 유기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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20
제16항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물과 유기물을 포함하는 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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21
제16항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물과 강유전 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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22
제16항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물의 고용체와 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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23
제16항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물의 고용체와 강유전 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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24
제16항에 있어서,상기 강유전체층에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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25
제16항에 있어서,상기 하부 전극층 및 상부전극층이 금, 은, 알루미늄, 플라티늄, 인듐주석화합물(ITO), 스트론튬티타네이트화합물(SrTiO3)이나, 그 밖의 전도성 금속 산화물과 이것들의 합금 및 화합물, 또는 전도성 중합체를 기재로 하는 예컨대 폴리아닐린, 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술포네이트(PEDOT:PSS) 등의 혼합물이나 화합물 또는 다층물 등을 포함하는 모든 도전성 금속 및 금속 산화물과 도전성 유기물중 하나인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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26
제16항에 있어서,상기 버퍼층이 철 또는 영구자석을 추가로 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제16항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
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28
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 채널영역상에 형성됨과 더불어 전기석을 포함하는 물질로 구성되는 버퍼층,상기 버퍼층의 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 포함하여 구성되고,상기 하부 전극층이 데이터 전극, 상부 전극층이 접지 전극으로 설정되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터
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소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 채널영역상에 형성됨과 더불어 전기석을 포함하는 물질로 구성되는 버퍼층,상기 버퍼층의 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 포함하여 구성되고,상기 하부 전극층이 접지 전극, 상부 전극층이 데이터 전극으로 설정되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터
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강유전체 메모리 장치를 제조하는 방법에 있어서,기판에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와,상기 소스 및 드레인 영역 사이에 채널영역을 형성하는 단계,상기 채널영역 상측에 전기석을 포함하는 물질로 구성되는 버퍼층을 형성하는 단계,상기 버퍼층 상에 데이터 전극층을 형성하는 단계,상기 데이터 전극층 상에 강유전체층을 형성하는 단계,상기 강유전체층 상에 접지 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제30항에 있어서,상기 기판이 종이 또는 유기물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제30항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물, 유기물, 또는 무기물과 유기물을 포함하는 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제32항에 있어서,상기 강유전체층에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제30항에 있어서,상기 하부 전극층 및 상부전극층이 금, 은, 알루미늄, 플라티늄, 인듐주석화합물(ITO), 스트론튬티타네이트화합물(SrTiO3)이나, 그 밖의 전도성 금속 산화물과 이것들의 합금 및 화합물, 또는 전도성 중합체를 기재로 하는 예컨대 폴리아닐린, 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술포네이트(PEDOT:PSS) 등의 혼합물이나 화합물 또는 다층물 등을 포함하는 모든 도전성 금속 및 금속 산화물과 도전성 유기물중 하나인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제30항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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강유전체 메모리 장치를 제조하는 방법에 있어서,기판에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와,상기 소스 및 드레인 영역 사이에 채널영역을 형성하는 단계,상기 채널영역 상측에 전기석을 포함하는 물질로 버퍼층을 형성하는 단계,상기 버퍼층 상에 접지 전극층을 형성하는 단계,상기 접지 전극층 상에 강유전체층을 형성하는 단계,상기 강유전체층 상에 데이터 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제36항에 있어서,상기 기판이 종이 또는 유기물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제36항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물, 유기물 또는 무기물과 유기물을 포함하는 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제38항에 있어서,상기 강유전체층에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제36항에 있어서,상기 하부 전극층 및 상부전극층이 금, 은, 알루미늄, 플라티늄, 인듐주석화합물(ITO), 스트론튬티타네이트화합물(SrTiO3)이나, 그 밖의 전도성 금속 산화물과 이것들의 합금 및 화합물, 또는 전도성 중합체를 기재로 하는 예컨대 폴리아닐린, 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술포네이트(PEDOT:PSS) 등의 혼합물이나 화합물 또는 다층물 등을 포함하는 모든 도전성 금속 및 금속 산화물과 도전성 유기물중 하나인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제36항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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전계효과 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,기판에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와,상기 소스 및 드레인 영역 사이에 채널영역을 형성하는 단계,상기 채널영역 상측에 전기석을 포함하는 물질로 버퍼층을 형성하는 단계,상기 버퍼층 상에 데이터 전극층을 형성하는 단계,상기 데이터 전극층 상에 강유전체층을 형성하는 단계,상기 강유전체층 상에 접지 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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전계효과 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,기판에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와,상기 소스 및 드레인 영역 사이에 채널영역을 형성하는 단계,상기 채널영역 상측에 전기석을 포함하는 물질로 버퍼층을 형성하는 단계,상기 버퍼층 상에 접지 전극층을 형성하는 단계,상기 접지 전극층 상에 강유전체층을 형성하는 단계,상기 강유전체층 상에 데이터 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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