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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극상에 절연층을 형성하는 단계,상기 절연층 상에 채널형성층을 형성하는 단계,상기 채널형성층상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 및상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이 조직내에 포함되어 있는 수분 또는 공기를 진공상태 또는, 비활성 가스분위기내에서 열처리하여 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계는 도전성 금속을 진공증착하는 방법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 채널형성층이 절연성 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계,상기 종이 기판과 소스 및 드레인 전극 상에 채널형성층을 형성하는 단계,상기 채널형성층상에 절연층을 형성하는 단계,상기 절연층상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 및상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이 조직내에 포함되어 있는 수분 또는 공기를 진공상태 또는 비활성 가스분위기내에서 열처리하여 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계는 도전성 금속을 진공증착하는 방법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 채널형성층이 절연성 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 채널형성층을 형성하는 단계,상기 채널형성층상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계,상기 채널형성층상의 소스 및 드레인 전극의 사이 구간에 절연층을 형성하는 단계 , 상기 절연층상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 및상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이 조직내에 포함되어 있는 수분 또는 공기를 진공상태 또는 비활성 가스분위기내에서 열처리하여 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 채널형성층이 절연성 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극을 덮도록 절연층을 형성하는 단계,상기 게이트 전극의 양측에 상기 절연층을 개재하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계,상기 절연층 및 상기 소스/드레인 전극의 일부 상에, 상기 게이트 전극과 중첩하도록 채널형성층을 형성하는 단계 및상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이 조직내에 포함되어 있는 수분 또는 공기를 진공상태 또는 비활성 가스분위기내에서 열처리하여 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계는 도전성 금속을 진공증착하는 방법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 채널형성층이 절연성 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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