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엠에프엠아이에스 구조를 갖는 전계효과 트랜지스터 및강유전체 메모리 장치와 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015195052
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MFMIS(Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor) 구조를 갖는 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리 장치와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 강유전체 메모리 장치 또는 전계효과 트랜지스터는 기판과(1), 상기 기판(1)에 형성되는 트랜지스터 및, 상기 트랜지스터 상측에 형성되는 강유전체 캐패시터를 포함하여 구성되고, 상기 강유전체 캐패시터는 하부 전극층(42) 및 상부 전극층과(44), 상기 하부 및 상부 전극층 사이에 형성되는 강유전체층(43)을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.강유전체, 메모리, MFMIS
Int. CL H01L 27/11585 (2017.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 29/51 (2006.01.01) H01L 49/02 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11585(2013.01) H01L 27/11585(2013.01) H01L 27/11585(2013.01) H01L 27/11585(2013.01) H01L 27/11585(2013.01) H01L 27/11585(2013.01)
출원번호/일자 1020070058184 (2007.06.14)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0876136-0000 (2008.12.19)
공개번호/일자 10-2008-0092812 (2008.10.16) 문서열기
공고번호/일자 (20081229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070036205   |   2007.04.12
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.04)
심사청구항수 39

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0429903-42
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.10.26 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2007-0769274-17
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0803366-07
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0007448-27
5 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0011599-52
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.01.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0006145-84
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0086629-16
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0281378-89
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0356384-90
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0443280-69
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0523766-01
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0523765-55
14 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0605118-36
15 등록결정서
Decision to grant		 2008.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0484431-19
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판과,상기 기판에 형성되는 트랜지스터 및,상기 트랜지스터 상측에 형성되는 강유전체 캐패시터를 포함하여 구성되고,상기 강유전체 캐패시터는 하부 전극층 및 상부 전극층과, 상기 하부 및 상부 전극층 사이에 형성되는 강유전체층을 포함하여 구성됨과 더불어, 상기 하부 전극층이 데이터 전극, 상부 전극층이 접지 전극이며,상기 강유전체층의 분극값에 의해 상기 트랜지스터의 동작상태가 설정되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 트랜지스터는 기판에 형성되는 드레인 및 소오스 영역과,상기 드레인 및 소오스 영역 사이에 형성되는 채널영역 및,상기 채널영역 상측에 형성되는 절연층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
3 3
기판과,상기 기판에 형성되는 트랜지스터 및,상기 트랜지스터 상측에 형성되는 강유전체 캐패시터를 포함하여 구성되고,상기 강유전체 캐패시터는 하부 전극층 및 상부 전극층과, 상기 하부 및 상부 전극층 사이에 형성되는 강유전체층을 포함하여 구성됨과 더불어, 상기 하부 전극층이 접지 전극, 상부 전극층이 데이터 전극이며,상기 강유전체층의 분극값에 의해 상기 트랜지스터의 동작상태가 설정되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
4 4
제3항에 있어서,상기 트랜지스터는 기판에 형성되는 드레인 및 소오스 영역과,상기 드레인 및 소오스 영역 사이에 형성되는 채널영역 및,상기 채널영역 상측에 형성되는 절연층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
5 5
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 채널영역상에 형성되는 절연층,상기 절연층 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 포함하여 구성되고,상기 하부 전극층이 데이터 전극, 상부 전극층이 접지 전극으로 설정되며,상기 강유전체층의 분극값에 의해 상기 소오스 및 드레인간의 도통상태가 설정되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 기판이 종이 또는 유기물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
7 7
제5항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
8 8
제5항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 유기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
9 9
제5항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물과 유기물을 포함하는 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
10 10
제5항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물과 강유전 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
11 11
제5항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물의 고용체와 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
12 12
제5항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물의 고용체와 강유전 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
13 13
제5항에 있어서,상기 강유전체층에 실리사이트, 실리케이트 또는 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
14 14
삭제
15 15
제5항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
16 16
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 채널영역상에 형성되는 절연층,상기 절연층 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 포함하여 구성되고,상기 하부 전극층이 접지 전극, 상부 전극층이 데이터 전극으로 설정되며,상기 강유전체층의 분극값에 의해 상기 소오스 및 드레인간의 도통상태가 설정되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
17 17
제16항에 있어서,상기 기판이 종이 또는 유기물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
18 18
제16항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
19 19
제16항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 유기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
20 20
제16항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물과 유기물을 포함하는 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
21 21
제16항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물과 강유전 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
22 22
제16항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물의 고용체와 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
23 23
제16항에 있어서,상기 강유전체층이 강유전 무기물의 고용체와 강유전 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
24 24
제16항에 있어서,상기 강유전체층에 실리사이트, 실리케이트 또는 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
25 25
삭제
26 26
제16항에 있어서,상기 절연층이 SiO2로 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
27 27
제16항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치
28 28
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 채널영역상에 형성되는 절연층,상기 절연층 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 포함하여 구성되고,상기 하부 전극층이 데이터 전극, 상부 전극층이 접지 전극으로 설정되며,상기 강유전체층의 분극값에 의해 상기 소오스 및 드레인간의 도통상태가 설정되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터
29 29
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 채널영역상에 형성되는 절연층,상기 절연층 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 포함하여 구성되고,상기 하부 전극층이 접지 전극, 상부 전극층이 데이터 전극으로 설정되며,상기 강유전체층의 분극값에 의해 상기 소오스 및 드레인간의 도통상태가 설정되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터
30 30
강유전체 메모리 장치를 제조하는 방법에 있어서,기판에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와,상기 소스 및 드레인 영역 사이에 채널영역을 형성하는 단계,상기 채널영역 상측에 절연층을 형성하는 단계,상기 절연층 상에 데이터 전극층을 형성하는 단계,상기 데이터 전극층 상에 강유전체층을 형성하는 단계 및,상기 강유전체층 상에 접지 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
31 31
제30항에 있어서,상기 기판이 종이 또는 유기물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
32 32
제30항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물, 유기물, 또는 무기물과 유기물을 포함하는 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
33 33
제32항에 있어서,상기 강유전체층에 실리사이트, 실리케이트 또는 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
34 34
삭제
35 35
제30항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
36 36
강유전체 메모리 장치를 제조하는 방법에 있어서,기판에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와,상기 소스 및 드레인 영역 사이에 채널영역을 형성하는 단계,상기 채널영역 상측에 절연층을 형성하는 단계,상기 절연층 상에 접지 전극층을 형성하는 단계,상기 접지 전극층 상에 강유전체층을 형성하는 단계 및,상기 강유전체층 상에 데이터 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
37 37
제36항에 있어서,상기 기판이 종이 또는 유기물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
38 38
제36항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물, 유기물 또는 무기물과 유기물을 포함하는 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
39 39
제38항에 있어서,상기 강유전체층에 실리사이트, 실리케이트 또는 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
40 40
삭제
41 41
제36항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
42 42
전계효과 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,기판에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와,상기 소스 및 드레인 영역 사이에 채널영역을 형성하는 단계,상기 채널영역 상측에 절연층을 형성하는 단계,상기 절연층 상에 데이터 전극층을 형성하는 단계,상기 데이터 전극층 상에 강유전체층을 형성하는 단계 및,상기 강유전체층 상에 접지 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
43 43
전계효과 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,기판에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와,상기 소스 및 드레인 영역 사이에 채널영역을 형성하는 단계,상기 채널영역 상측에 절연층을 형성하는 단계,상기 절연층 상에 접지 전극층을 형성하는 단계,상기 접지 전극층 상에 강유전체층을 형성하는 단계 및,상기 강유전체층 상에 데이터 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMIS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2008126961 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.