요약 | 본 발명은 트랜지스터 등의 스위칭 소자를 이용하지 않는 간단한 구조로 이루어짐과 더불어 데이터의 비휘발적인 저장이 가능하도록 된 메모리 장치 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 장치는 기판(70)과, 상기 기판(70)상에 상호 평행하게 형성되는 다수의 하부 전극(71), 상기 하부 전극(71)상에 형성되는 강유전체층(72) 및, 상기 강유전체층(72)상에 상호 평행하면서 상기 하부 전극(71)과 직교하는 방향으로 형성되는 다수의 상부 전극(73)을 포함하여 구성되고, 상기 강유전체층(72)은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 한다.강유전체, 메모리, 적층구조 |
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Int. CL | H01L 27/105 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) |
CPC | H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020070057575 (2007.06.13) |
출원인 | 서울시립대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0876135-0000 (2008.12.19) |
공개번호/일자 | 10-2008-0063031 (2008.07.03) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20081229) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 |
대한민국 | 1020060138735 | 2006.12.29
대한민국 | 1020060138752 | 2006.12.29 |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.01.04) |
심사청구항수 | 34 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 서울시립대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 동대문구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 박병은 | 대한민국 | 서울특별시 양천구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 김유 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 서울시립대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 동대문구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.06.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0426198-34 |
2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2007.07.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0534975-59 |
3 | [출원인코드정정]출원인코드 정보변경(경정), 정정신고서 [Applicant Code Correction] Report on Change (Correction), Correction to Applicant Code Information |
2007.09.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0698758-59 |
4 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2007.10.26 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2007-0769274-17 |
5 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2007.11.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0803366-07 |
6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2008.01.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0007404-29 |
7 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2008.01.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0011589-06 |
8 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.01.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
9 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.02.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0006153-49 |
10 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.02.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0086626-80 |
11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2008.04.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0281383-18 |
12 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2008.05.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0356335-63 |
13 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2008.06.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0443233-23 |
14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.07.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0523770-84 |
15 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.07.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0523769-37 |
16 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2008.08.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0605118-36 |
17 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.09.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0484430-63 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.01.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5002044-04 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0000287-10 |
20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5009116-18 |
21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.09.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5191631-69 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 기판과,상기 기판상에 설치됨과 더불어 도전성 재질로 이루어지는 하부 전극,상기 하부 전극상에 설치되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 설치됨과 더불어 도전성 재질로 이루어지는 상부 전극을 구비하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성되며,상기 무기물 강유전 물질이 산화물 강유전체, 불화물 강유전체, 강유전체 반도체나 이들 무기물의 혼합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
2 |
2 제1항에 있어서,상기 하부 및 상부 전극이 도전성 유기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
3 |
3 제1항에 있어서,상기 기판은 Si 웨이퍼, Ge 웨이퍼, 종이, 파릴렌(Parylene)이 도포된 종이, 유기물 중 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
4 |
4 제3항에 있어서,상기 유기물은 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC), 폴리에틸렌(PE), 에틸렌 공중합체, 폴리프로필렌(PP), 프로필렌 공중합체, 폴리(4-메틸-1-펜텐)(TPX), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리아세탈(POM), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리설폰(PSF), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리염화비닐리덴(PVDC), 폴리초산비닐(PVAC), 폴리비닐알콜(PVAL), 폴리비닐아세탈, 폴리스티렌(PS), AS수지, ABS수지, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 불소수지, 페놀수지(PF), 멜라민수지(MF), 우레아수지(UF), 불포화폴리에스테르(UP), 에폭시수지(EP), 디알릴프탈레이트수지(DAP), 폴리우레탄(PUR), 폴리아미드(PA), 실리콘수지(SI) 또는 이것들의 혼합물 및 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
5 |
5 삭제 |
6 |
6 제1항에 있어서,상기 무기물 강유전 물질이 PZT인 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
7 |
7 제1항에 있어서,상기 혼합물에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
8 |
8 제1항에 있어서,상기 유기물이 고분자 강유전체인 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
9 |
9 제8항에 있어서,상기 고분자 강유전체가 폴리비닐리덴 플로라이드(PVDF), 이 PVDF를 포함하는 중합체, 공중합체, 또는 삼원공중합체, 홀수의 나일론, 시아노중합체 및 이들의 중합체나 공중합체 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
10 |
10 제8항에 있어서,상기 고분자 강유전체가 PVDF-TrFE인 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
11 |
11 제1항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질의 용액과 유기물 용액의 혼합 용액을 가열 소성시켜 생성된 것임을 특징으로 하는 메모리 장치 |
12 |
12 삭제 |
13 |
13 삭제 |
14 |
14 기판과,상기 기판상에 상호 평행하게 형성되는 다수의 하부 전극,상기 하부 전극상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 상호 평행하며서 상기 하부 전극과 직교하는 방향으로 형성되는 다수의 상부 전극을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성되고,상기 무기물 강유전 물질이 산화물 강유전체, 불화물 강유전체, 강유전체 반도체나 이들 무기물의 혼합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
15 |
15 제14항에 있어서,상기 강유전체층이 하부 전극과 상부 전극의 교차영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
16 |
16 제14항에 있어서,상기 하부 및 상부 전극이 도전성 유기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
17 |
17 제14항에 있어서,상기 기판은 Si 웨이퍼, Ge 웨이퍼, 종이, 파릴렌(Parylene)이 도포된 종이, 유기물 중 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
18 |
18 삭제 |
19 |
19 삭제 |
20 |
20 기판상에 하부 전극을 형성하는 하부 전극 형성단계와,하부 전극이 형성된 기판의 전체 표면상에 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성되는 강유전체층을 형성하는 강유전체층 형성단계 및,상기 강유전체층 상에 상부 전극을 형성하는 상부 전극 형성단계를 포함하여 구성되고,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질의 용액과 유기물 용액의 혼합 용액을 기판상에 도포하여 강유전체막을 생성하고, 이 강유전체막을 가열 소성하여 형성하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법 |
21 |
21 제20항에 있어서,상기 유기물이 강유전 유기물인 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법 |
22 |
22 삭제 |
23 |
23 제20항에 있어서,상기 혼합 용액이 PZT 용액과 PVDF-TrFE 용액의 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법 |
24 |
24 제23항에 있어서,상기 PZT용액이 PZO용액과 PTO용액을 혼합하여 생성하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법 |
25 |
25 제23항에 있어서,상기 PVDF-TrFE 용액이 PVDF-TrFE 파우더를 THF(C4H5O), MEK(C4H8O), 아세톤(C3H6O), DMF(C3H7NO), DMSO(C2H6OS) 중 적어도 하나에 용해시켜 생성하는 것을 특징으로 메모리 장치의 제조방법 |
26 |
26 삭제 |
27 |
27 삭제 |
28 |
28 삭제 |
29 |
29 제20항에 있어서,상기 강유전체층 중 하부 전극과 상부 전극의 교차영역을 제외한 나머지 부분을 에칭하여 제거하는 단계를 추가로 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법 |
30 |
30 제29항에 있어서,상기 강유전체층의 에칭이 BOE를 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법 |
31 |
31 제29항에 있어서,상기 강유전체층의 에칭이 BOE와 금 에천트를 이용하는 2단계 에칭을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법 |
32 |
32 제29항에 있어서,상기 강유전체층의 에칭이 RIE법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법 |
33 |
33 제20항에 있어서,상기 소성 온도가 200도 이하인 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법 |
34 |
34 기판상에 형성되는 제1 메모리 셀과,상기 제1 메모리 셀 상측에 형성되는 제2 메모리 셀을 구비하고,상기 제1 및 제2 메모리 셀은 도전성 재질로 이루어지는 하부 전극과, 상기 하부 전극상에 설치되는 강유전체층 및, 상기 강유전체층상에 설치됨과 더불어 도전성 재질로 이루어지는 상부 전극을 구비하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
35 |
35 제34항에 있어서,상기 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀 사이에 절연층이 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
36 |
36 제34항에 있어서,상기 제1 메모리 셀의 상부 전극과 제2 메모리 셀의 하부 전극이 접지 전극인 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
37 |
37 제34항에 있어서,상기 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀의 접지 전극이 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
38 |
38 제34항에 있어서,상기 제1 메모리 셀의 상부 전극과 제2 메모리 셀의 하부 전극이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
39 |
39 기판상에 형성되는 제1 메모리 셀과,상기 제1 메모리 셀 상측에 형성되는 제2 메모리 셀을 구비하고,상기 제1 및 제2 메모리 셀은 도전성 재질로 이루어지는 하부 전극과, 상기 하부 전극상에 설치되는 강유전체층 및, 상기 강유전체층상에 설치됨과 더불어 도전성 재질로 이루어지는 상부 전극을 구비하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질의 고용체와 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
40 |
40 기판상에 형성되는 제1 메모리 셀과,상기 제1 메모리 셀 상측에 형성되는 제2 메모리 셀을 구비하고,상기 제1 및 제2 메모리 셀은 상기 기판상에 상호 평행하게 형성되는 다수의 하부 전극, 상기 하부 전극상에 형성되는 강유전체층 및, 상기 강유전체층상에 상호 평행하며서 상기 하부 전극과 직교하는 방향으로 형성되는 다수의 상부 전극을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
41 |
41 기판상에 형성되는 제1 메모리 셀과,상기 제1 메모리 셀 상측에 형성되는 제2 메모리 셀을 구비하고,상기 제1 및 제2 메모리 셀은 상기 기판상에 상호 평행하게 형성되는 다수의 하부 전극, 상기 하부 전극상에 형성되는 강유전체층 및, 상기 강유전체층상에 상호 평행하며서 상기 하부 전극과 직교하는 방향으로 형성되는 다수의 상부 전극을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질의 고용체와 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
42 |
42 기판상에 형성되는 제1 메모리 셀과,상기 제1 메모리 셀 상측에 형성되는 제2 메모리 셀을 구비하고,상기 제1 및 제2 메모리 셀은 도전성 재질로 이루어지는 하부 전극과, 상기 하부 전극상에 설치되는 강유전체층 및, 상기 강유전체층상에 설치됨과 더불어 도전성 재질로 이루어지는 상부 전극을 구비하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성됨과 더불어, 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀의 강유전체층이 서로 다른 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
43 |
43 기판상에 형성되는 제1 메모리 셀과,상기 제1 메모리 셀 상측에 형성되는 제2 메모리 셀을 구비하고,상기 제1 및 제2 메모리 셀은 상기 기판상에 상호 평행하게 형성되는 다수의 하부 전극, 상기 하부 전극상에 형성되는 강유전체층 및, 상기 강유전체층상에 상호 평행하며서 상기 하부 전극과 직교하는 방향으로 형성되는 다수의 상부 전극을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성됨과 더불어, 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀의 강유전체층이 서로 다른 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2008082045 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-0876135-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20070613 출원 번호 : 1020070057575 공고 연월일 : 20081229 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080919 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 27/105 발명의 명칭 : 메모리 장치 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20191220 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 798,000 원 | 2008년 12월 22일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 788,000 원 | 2011년 12월 16일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 788,000 원 | 2012년 12월 12일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 788,000 원 | 2013년 12월 03일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 1,392,000 원 | 2014년 12월 09일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 1,392,000 원 | 2015년 11월 30일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 974,400 원 | 2016년 11월 11일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 790,000 원 | 2017년 12월 11일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 395,000 원 | 2018년 12월 03일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | 특허출원서 | 2007.06.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0426198-34 |
2 | [출원서등 보정]보정서 | 2007.07.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0534975-59 |
3 | [출원인코드정정]출원인코드 정보변경(경정), 정정신고서 | 2007.09.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0698758-59 |
4 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2007.10.26 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2007-0769274-17 |
5 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2007.11.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0803366-07 |
6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2008.01.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0007404-29 |
7 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2008.01.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0011589-06 |
8 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.01.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
9 | 선행기술조사보고서 | 2008.02.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0006153-49 |
10 | 의견제출통지서 | 2008.02.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0086626-80 |
11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2008.04.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0281383-18 |
12 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2008.05.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0356335-63 |
13 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2008.06.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0443233-23 |
14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.07.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0523770-84 |
15 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.07.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0523769-37 |
16 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2008.08.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0605118-36 |
17 | 등록결정서 | 2008.09.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0484430-63 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.01.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5002044-04 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0000287-10 |
20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5009116-18 |
21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.09.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5191631-69 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1340010073 |
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세부과제번호 | 핵06A1709 |
연구과제명 | 차세대융합센싱기술인력양성팀 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 서울시립대학교 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200603~201202 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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