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종이로 구성되는 기판과,상기 기판상에 형성되는 안테나,상기 기판상에 형성됨과 더불어 안테나를 통해 송수신되는 데이터를 처리하는 신호처리파트를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제1항에 있어서,상기 안테나와 신호처리파트를 전체적으로 피복하면서 보호층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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3
제1항에 있어서,상기 안테나는 잉크젯법 또는 진공증착법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제1항에 있어서,상기 종이 기판이 내열성 물질이 코딩된 종이인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제1항에 있어서,상기 신호처리파트는 트랜지스터, 메모리장치, 저항, 캐패시터, 인덕터 중 적어도 하나를 구비하는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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6
제5항에 있어서,상기 트랜지스터는 상기 종이 기판상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 절연층상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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7
제5항에 있어서,상기 트랜지스터가 상기 종이 기판상에 형성되는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극과 종이 기판상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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8
제5항에 있어서,상기 트랜지스터가 상기 종이 기판상에 형성되는 채널형성층과, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극, 상기 채널형성층상의 소스 및 드레인 전극 사이에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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9
제5항에 있어서,상기 트랜지스터가 상기 종이 기판상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 게이트 전극의 양측면에 각각 형성되는 소스 및 드레인 전극 및, 상기 절연층과 소스 및 드레인 전극 상에 형성되는 채널형성층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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10
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 전극이 금속을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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12
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널형성층이 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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13
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 전극이 도전성 유기물로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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14
제5항에 있어서,상기 메모리 장치가 강유전체 메모리 장치인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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15
제5항에 있어서,상기 메모리 장치가 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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16
제15항에 있어서,상기 채널형성층은 유기물 또는 무기물 반도체층인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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17
제15항에 있어서,상기 채널형성층은 절연층인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제15항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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19
제18항에 있어서,상기 혼합물에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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20
제19항에 있어서,상기 금속이 철인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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유기물로 구성되는 기판과,상기 기판상에 직접적으로 형성되는 안테나 및,상기 기판상에 직접적으로 형성됨과 더불어 안테나를 통해 송수신되는 데이터를 처리하는 신호처리파트를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제21항에 있어서,상기 안테나와 신호처리파트를 전체적으로 피복하면서 보호층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제21항에 있어서,상기 안테나는 잉크젯법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제21항에 있어서,상기 신호처리파트는 잉크젯법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제21항에 있어서,상기 신호처리파트는 트랜지스터, 메모리장치, 저항, 캐패시터, 인덕터 중 적어도 하나를 구비하는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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26
제25항에 있어서,상기 트랜지스터는 상기 유기물 기판상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 절연층상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제25항에 있어서,상기 트랜지스터가 상기 유기물 기판상에 형성되는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극과 종이 기판상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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28
제25항에 있어서,상기 트랜지스터가 상기 유기물 기판상에 형성되는 채널형성층과, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극, 상기 채널형성층상의 소스 및 드레인 전극 사이에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제25항에 있어서,상기 트랜지스터가 상기 유기물 기판상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 게이트 전극의 양측면에 각각 형성되는 소스 및 드레인 전극 및, 상기 절연층과 소스 및 드레인 전극 상에 형성되는 채널형성층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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30
제26항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 전극이 금속을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제26항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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32
제26항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널형성층이 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제26항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 전극이 도전성 유기물로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제25항에 있어서,상기 메모리 장치가 강유전체 메모리 장치인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제25항에 있어서,상기 메모리 장치가 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제25항에 있어서,상기 채널형성층은 유기물 또는 무기물 반도체층인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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37
제25항에 있어서,상기 채널형성층은 절연층인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제25항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제38항에 있어서,상기 혼합물에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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제39항에 있어서,상기 금속이 철인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그
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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 안테나를 형성하는 단계 및,상기 종이 기판상에 신호처리파트를 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법
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제41항에 있어서,상기 안테나 형성단계와 신호처리파트 형성단계는 동일한 물질층이 동일한 공정에서 실행되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법
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제41항에 있어서,안테나 및 신호처리파트의 전체 표면상에 보호층을 형성하는 단계를 추가로 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법
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제41항에 있어서,상기 안테나 형성단계는 진공증착법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법
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제44항에 있어서,상기 종이 기판을 진공 또는 불활성 가스분위기 내에서 가열하는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법
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유기물 기판을 준비하는 단계와,상기 유기물 기판상에 안테나를 형성하는 단계 및,상기 유기물 기판상에 신호처리파트를 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법
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제46항에 있어서,상기 안테나 형성단계와 신호처리파트 형성단계는 동일한 물질층이 동일한 공정에서 실행되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법
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제46항에 있어서,안테나 및 신호처리파트의 전체 표면상에 보호층을 형성하는 단계를 추가로 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법
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제46항에 있어서,상기 안테나 형성단계는 잉크젯법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법
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