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(a) 실리콘 단결정 기판을 반응기 내부에 투입하는 단계;(b) 상기 실리콘 단결정 기판을 열세정하는 단계;(c) 유기 갈륨 화합물 단독을 투입하여 선처리하는 단계; (d) 유기 갈륨 화합물과 암모니아를 함께 투입하여 다결정 GaN 완충층을 형성하는 단계; 및(e) 유기 갈륨 화합물과 암모니아를 함께 투입하여 고온에서 단결정 GaN 박막을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 기판-단결정 GaN 박막 적층체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유기 갈륨 화합물은 트리메틸갈륨(TMGa) 또는 트리에틸갈륨(TEGa)이고, 상기 (c)단계의 선처리 온도는 450∼550℃이고 선처리 시간은 10분 이하이며, 선처리 후의 실리콘 기판 상에는 Ga 금속층이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판-단결정 GaN 박막 적층체의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 (d)단계의 온도는 450∼550℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판-단결정 GaN 박막 적층체의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 (e)단계의 온도는 800℃ 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판-단결정 GaN 박막 적층체의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 (c)단계 이후에 250~350℃의 저온에서 유기 갈륨 화합물과 암모니아를 함께 투입하며 비정질 GaN층을 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판-단결정 GaN 박막 적층체의 제조방법
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