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반도체 패키징용 금속 와이어 제조방법으로서,(a) 대기중의 기상물질과 반응하여 표면에 반응막이 형성되는, 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 오스뮴(Os) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 와이어(wire) 형태의 금속시편을 제공하는 단계; 및(b) 상기 와이어 형태의 금속시편의 표면 상에 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용하여 세라믹 부동태 막을 1nm 내지 100nm 두께로 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징용 금속 와이어 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기상물질은 산소(O2), 질소(N2), 이산화탄소(CO2), 황화수소 (H2S), 황(S2) 중 적어도 어느 하나를 포함하며,상기 반응막은 산화막, 질화막, 황화막 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징용 금속 와이어 제조방법
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제1항에 있어서,상기 세라믹 부동태 막은 산화아연(ZnO), 산화루테늄(RuO2), 이산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 이산화규소(SiO2), 산화탄탈륨(Ta2O5), 질화티타늄(TiN), 질화탄탈륨(TaN), 질화규소(Si2N4) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징용 금속 와이어 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계는,(b1) 상기 금속시편을 챔버 내에 배치하는 단계;(b2) 상기 챔버 내에 전구체를 공급하는 단계; 및(b3) 상기 챔버 내에 산화제를 공급하여 상기 금속시편의 표면 상에 세라믹 부동태 막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징용 금속 와이어 제조방법
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제6항에 있어서,상기 전구체는 DEZn(diethylzinc)이고, 상기 산화제는 수증기(H2O)인 것을 특징으로 하는 반도체 패키징용 금속 와이어 제조방법
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제6항에 있어서,상기 챔버 내의 온도는 100℃인 것을 특징으로 하는 반도체 패키징용 금속 와이어 제조방법
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제1항의 반도체 패키징용 금속 와이어 제조방법을 이용하여 제조된, 반도체 패키징용 금속 와이어
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