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유기물 강유전 물질과 금속의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전 물질
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제1항에 있어서,상기 강유전 물질이 유기물 강유전 물질의 파우더와 금속 물질의 파우더를 혼합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전 물질
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제1항에 있어서,상기 강유전 물질이 유기물 강유전 물질의 파우더와 금속 물질의 파우더를 혼합 및 소결하여 형성된 타겟인 것을 특징으로 하는 강유전 물질
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기판과,기판의 소정 영역에 형성되는 소오스 및 드레인 영역,상기 소오스 및 드레인 영역 사이에 형성되는 채널 영역,상기 기판상의 상기 채널 영역에 대응하는 부분에 형성되는 유기물 강유전체층 및,상기 소오스 영역과 드레인 영역 및 유기물 강유전체층 상에 각각 형성되는 소오스 전극과 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하여 구성되고,상기 유기물 강유전체층은 유기물 강유전 물질과 금속의 혼합물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제4항에 있어서,상기 유기물 강유전 물질은 폴리비닐리덴 플로라이드(PVDF), PVDF를 포함하는 중합체, PVDF를 포함하는 공중합체, PVDF를 포함하는 삼원공중합체, 홀수의 나일론, 시아노중합체 및 이들의 중합체나 공중합체 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제4항에 있어서,상기 강유전체층은 1㎛ 이하의 막두께를 갖는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제4항에 있어서,상기 기판은 반도체 웨이퍼, 종이, 파릴렌(Parylene)이 코팅된 종이, 또는 유기물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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기판의 소정 영역에 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 제1 단계와,상기 소오스 및 드레인 영역의 사이에 채널 영역을 형성하는 제2 단계,유기물 강유전 물질과 금속을 혼합하여 강유전 물질의 혼합물을 형성하는 제3 단계,상기 강유전 혼합물을 이용하여 기판상의 상기 채널 영역 부분에 유기물 강유전체층을 형성하는 제4 단계 및,상기 소오스 및 드레인 영역과 상기 유기물 강유전체층 상에 전극을 형성하는 제5 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 강유전 혼합물이 유기물 강유전 물질의 파우더와 금속 물질의 파우더를 혼합한 후 용매에 녹인 혼합용액인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 강유전 혼합물이 유기물 강유전 물질 용액에 금속 물질의 파우더를 용해시켜 혼합한 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 강유전 혼합물이 유기물 강유전 물질 용액에 금속 용액을 혼합한 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 강유전 혼합물이 유기물 강유전 물질의 파우더와 금속 물질의 파우더를 혼합 및 소결하여 형성된 타겟인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 강유전체층을 형성하는 단계는 스핀코팅법, 진공증착법, 스크린 프린팅법, 젯트 프린팅법 또는 LB(Langmuir-Blodgett)법 중 적어도 하나를 이용해서 실행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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기판과,기판의 소정 영역에 형성되는 소오스 및 드레인 영역,상기 소오스 및 드레인 영역 사이에 형성되는 채널 영역,상기 기판상의 상기 채널 영역에 대응하는 부분에 형성되는 유기물 강유전체층 및,상기 소오스 영역과 드레인 영역 및 유기물 강유전체층 상에 각각 형성되는 소오스 전극과 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하여 구성되고,상기 유기물 강유전체층은 유기물 강유전 물질과 금속의 혼합물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
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기판의 소정 영역에 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 제1 단계와,상기 소오스 및 드레인 영역의 사이에 채널 영역을 형성하는 제2 단계,유기물 강유전 물질과 금속을 혼합하여 강유전 물질의 혼합물을 형성하는 제3 단계,상기 강유전 혼합물을 이용하여 기판상의 상기 채널 영역 부분에 유기물 강유전체층을 형성하는 제4 단계 및,상기 소오스 및 드레인 영역과 상기 유기물 강유전체층 상에 전극을 형성하는 제5 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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