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고온의 액체 상태 물질의 유전율 측정이 가능한 유전율 측정장치

  • 기술번호 : KST2015195117
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유전율 측정장치에 관한 것으로, 특히 열에 강한 기판의 중앙에 신호선이 배치되고 그 주위를 접지선으로 둘러싼 후 일부만이 노출되도록 하여 측정장치의 하부를 용액에 담가 반사계수를 측정함으로써 고온의 액체에 대한 저주파 영역에서의 복소 비유전율 측정이 가능하도록 한 고온의 액체 상태 물질의 유전율 측정이 가능한 유전율 측정장치에 관한 것이다.본 발명에 의하면 신호선의 일부만이 노출되어 있으므로 신호선이 노출된 부분을 액체 용액에 담그는 경우 액체 용액에 닿게 되는 신호선의 길이를 일정하게 유지할 수 있고 이에 따라 유전율을 용이하게 측정할 수 있으며, 외부로 노출되는 신호선의 길이를 조절함으로써 용이하게 측정 장치 끝단의 커패시턴스 값을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL G01R 27/26 (2006.01)
CPC G01R 27/26(2013.01)
출원번호/일자 1020140094577 (2014.07.25)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1541527-0000 (2015.07.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150803) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.25)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 천창율 대한민국 서울특별시 영등포구
2 박상복 대한민국 서울특별시 동대문구
3 장지현 대한민국 서울특별시 동대문구
4 박래승 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)
2 고윤호 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0702047-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.11.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0094550-55
4 등록결정서
Decision to grant		 2015.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0501391-56
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
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번호 청구항
1 1
유전율 측정장치에 있어서,일정한 폭과 두께를 가지며 내부에 홈이 형성된 제1 기판;상기 제1기판의 내부에 형성된 상기 홈의 내부에 구비되는 신호선; 및상기 제1 기판 및 상기 신호선의 상부에 형성되어 상기 제1 기판 및 상기 신호선을 덮는 제2 기판;을 포함하되,상기 제2 기판은,상기 신호선의 일부가 외부로 노출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 고온의 액체 상태 물질의 유전율 측정이 가능한 유전율 측정장치
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제1 기판 및 제2 기판은RF 기판인 것을 특징으로 하는 고온의 액체 상태 물질의 유전율 측정이 가능한 유전율 측정장치
3 3
제 1항에 있어서, 상기 신호선은상기 제1 기판과 소정의 간격만큼 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 고온의 액체 상태 물질의 유전율 측정이 가능한 유전율 측정장치
4 4
제 3항에 있어서, 상기 신호선은상기 신호선과 상기 제1 기판 사이의 이격된 거리는 0
5 5
제 1항에 있어서,외부로 노출된 상기 신호선의 길이는 10 mm 이하인 것을 특징으로 하는 고온의 액체 상태 물질의 유전율 측정이 가능한 유전율 측정장치
6 6
제 1항에 있어서,외부로 노출된 상기 신호선의 끝단부가 상기 제1 기판의 끝단부로부터 이격된 거리는 10 mm 이하인 것을 특징으로 하는 고온의 액체 상태 물질의 유전율 측정이 가능한 유전율 측정장치
7 7
제 1항에 있어서, 상기 제1 기판은접지선에 연결된 것을 특징으로 하는 고온의 액체 상태 물질의 유전율 측정이 가능한 유전율 측정장치
8 8
제 1항에 있어서, 상기 신호선은구리(Cu) 재질인 것을 특징으로 하는 고온의 액체 상태 물질의 유전율 측정이 가능한 유전율 측정장치
9 9
제 1항에 있어서, 상기 제1 기판, 상기 신호선 및 상기 제2 기판은 동일평면 도파관을 형성하는 것을 특징으로 하는 고온의 액체 상태 물질의 유전율 측정이 가능한 유전율 측정장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.