| 1 |
1
강유전체 및 금속 게이트를 사용한 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치로서, 상기 장치는 프로그램을 저장하는 저장 수단 및 상기 프로그램을 실행하는 프로세서를 포함하며,상기 프로그램은,상기 금속 게이트의 면적과 상기 금속 게이트를 형성하는 금속 물질의 성질 정보를 입력받는 제1 인스트럭션;상기 금속 물질의 성질 정보를 기초로 상기 면적 내의 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 제2 인스트럭션;상기 제2 인스트럭션에서 랜덤 생성된 상기 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 기초로 일함수를 산출하는 제3 인스트럭션; 및상기 제2 인스트럭션 및 상기 제3 인스트럭션을 미리 지정된 횟수만큼 반복하여 상기 평판 트랜지스터의 상기 금속 게이트의 상기 면적에 대한 일함수 분산을 산출하는 제4 인스트럭션;을 포함하는 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제3 인스트럭션은,로부터 상기 일함수를 산출하는 제3-1 인스트럭션;[단, WF는 상기 일함수, n은 상기 그레인이 가질 수 있는 오리엔테이션의 갯수, N은 상기 그레인의 총 갯수, xi는 i번째 오리엔테이션을 가지는 상기 그레인의 갯수, Φxi는 상기 i번째 오리엔테이션에 따른 일함수값을 각각 나타냄]을 포함하는 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 평균 그레인 크기를 포함하는 것이고,상기 제2 인스트럭션은, 상기 평균 그레인 크기의 레일리(Rayleigh) 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하는 제2-1 인스트럭션;을 포함하는 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 평균 그레인 크기 및 그레인 오리엔테이션 확률을 포함하는 것이고,상기 제2 인스트럭션은, 상기 평균 그레인 크기의 레일리 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하고, 상기 그레인 오리엔테이션 확률을 기초로 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 제2-2 인스트럭션;을 포함하는 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 일함수 분산을 기초로 상기 평판 트랜지스터의 상기 금속 게이트의 상기 면적에 대한 문턱 전압 변화를 산출하는 제5 인스트럭션;을 더 포함하는 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 금속 물질은 TiN, TaN, WN, MoN 및 RuMO를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 물질인 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 7 |
7
강유전체 및 금속 게이트를 사용한 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치로서, 상기 장치는 프로그램을 저장하는 저장 수단 및 상기 프로그램을 실행하는 프로세서를 포함하며,상기 프로그램은,상기 평판 트랜지스터를 구성하는 금속 게이트의 제1 면적 내지 제k 면적(k는 2 이상의 자연수임)과 상기 금속 게이트를 형성하는 금속 물질의 성질 정보를 입력받는 제1 인스트럭션;제x 면적(단 x는 1 이상 k이하의 자연수임)에 대해서, 상기 금속 물질의 성질 정보를 기초로 상기 제x 면적 내의 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 제2-1 인스트럭션과, 상기 제2-1 인스트럭션에서 랜덤 생성된 상기 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 기초로 상기 제x 면적에 대한 일함수를 산출하는 제2-2 인스트럭션과, 상기 제2-1 인스트럭션 및 상기 제2-2 인스트럭션을 미리 지정된 횟수만큼 반복하여 상기 평판 트랜지스터의 상기 금속 게이트의 상기 제x 면적에 대한 일함수 분산을 산출하는 제2-3 인스트럭션을 포함하는 제2 인스트럭션; 및상기 제x 면적에 대한 일함수 분산을 기초로 RGG[평균 그레인 크기/(게이트 면적의 제곱근)]와 상기 평판 트랜지스터의 일함수 분산에 대한 대응 관계를 산출하는 제3 인스트럭션;을 포함하는 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 제2-2 인스트럭션은,로부터 상기 제x 면적에 대한 상기 일함수를 산출하는 제2-2-1 인스트럭션;[단, WF는 상기 일함수, n은 상기 그레인이 가질 수 있는 오리엔테이션의 갯수, N은 상기 그레인의 총 갯수, xi는 i번째 오리엔테이션을 가지는 상기 그레인의 갯수, Φxi는 상기 i번째 오리엔테이션에 따른 일함수값을 각각 나타냄]을 포함하는 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 상기 평균 그레인 크기를 포함하는 것이고,상기 제2-1 인스트럭션은, 상기 평균 그레인 크기의 레일리 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하는 제2-1-1 인스트럭션;을 포함하는 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 10 |
10
제7항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 상기 평균 그레인 크기 및 그레인 오리엔테이션 확률을 포함하는 것이고,상기 제2-1 인스트럭션은, 상기 평균 그레인 크기의 레일리 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하고, 상기 그레인 오리엔테이션 확률을 기초로 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 제2-1-2 인스트럭션;을 포함하는 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 11 |
11
제7항에 있어서,상기 제2 인스트럭션은,상기 제x 면적에 대한 일함수 분산을 기초로 상기 평판 트랜지스터의 상기 금속 게이트의 상기 제x 면적에 대한 문턱 전압 변화를 산출하는 제2-4 인스트럭션;을 더 포함하는 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 12 |
12
제7항에 있어서,상기 RGG와 상기 일함수 분산에 대한 대응 관계를 기초로 상기 RGG와 상기 평판 트랜지스터의 문턱 전압 변화에 대한 대응 관계를 산출하는 제4 인스트럭션;을 더 포함하는 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 13 |
13
제7항에 있어서,상기 금속 물질은 TiN, TaN, WN, MoN 및 RuMO를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 물질인 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 14 |
14
강유전체 및 금속 게이트를 사용한 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법으로서,(a) 상기 금속 게이트의 면적과 상기 금속 게이트를 형성하는 금속 물질의 성질 정보를 입력받는 단계;(b) 상기 금속 물질의 성질 정보를 기초로 상기 면적 내의 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 단계;(c) 상기 단계 (b)에서 랜덤 생성된 상기 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 기초로 일함수를 산출하는 단계; 및(d) 상기 단계 (b) 및 상기 단계 (c)를 미리 지정된 횟수만큼 반복하여 상기 평판 트랜지스터의 상기 금속 게이트의 상기 면적에 대한 일함수 분산을 산출하는 단계;를 포함하는 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 단계 (c)는,로부터 상기 일함수를 산출하는 단계;[단, WF는 상기 일함수, n은 상기 그레인이 가질 수 있는 오리엔테이션의 갯수, N은 상기 그레인의 총 갯수, xi는 i번째 오리엔테이션을 가지는 상기 그레인의 갯수, Φxi는 상기 i번째 오리엔테이션에 따른 일함수값을 각각 나타냄]를 포함하는 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 16 |
16
제14항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 평균 그레인 크기를 포함하는 것이고,상기 단계 (b)는, 상기 평균 그레인 크기의 레일리 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하는 단계;를 포함하는 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 17 |
17
제14항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 평균 그레인 크기 및 그레인 오리엔테이션 확률을 포함하는 것이고,상기 단계 (b)는, 상기 평균 그레인 크기의 레일리 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하고, 상기 그레인 오리엔테이션 확률을 기초로 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 단계;를 포함하는 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 18 |
18
제14항에 있어서,(e) 상기 일함수 분산을 기초로 상기 평판 트랜지스터의 상기 금속 게이트의 상기 면적에 대한 문턱 전압 변화를 산출하는 단계;를 더 포함하는 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 19 |
19
제14항에 있어서,상기 금속 물질은 TiN, TaN, WN, MoN 및 RuMO를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 물질인 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 20 |
20
강유전체 및 금속 게이트를 사용한 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법으로서,(a) 상기 평판 트랜지스터를 구성하는 금속 게이트의 제1 면적 내지 제k 면적(k는 2 이상의 자연수임)과 상기 금속 게이트를 형성하는 금속 물질의 성질 정보를 입력받는 단계;(b) 제x 면적(단 x는 1 이상 k이하의 자연수임)에 대해서, (b-1) 상기 금속 물질의 성질 정보를 기초로 상기 제x 면적 내의 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 단계와, (b-2) 상기 단계 (b-1)에서 랜덤 생성된 상기 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 기초로 상기 제x 면적에 대한 일함수를 산출하는 단계와, (b-3) 상기 단계 (b-1) 및 상기 단계 (b-2)를 미리 지정된 횟수만큼 반복하여 상기 평판 트랜지스터의 상기 금속 게이트의 상기 제x 면적에 대한 일함수 분산을 산출하는 단계를 포함하는 단계; 및(c) 상기 제x 면적에 대한 일함수 분산을 기초로 RGG[평균 그레인 크기/(게이트 면적의 제곱근)]와 상기 평판 트랜지스터의 일함수 분산에 대한 대응 관계를 산출하는 단계; 를 포함하는 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 21 |
21
제20항에 있어서,상기 단계 (b-2)는,로부터 상기 제x 면적에 대한 상기 일함수를 산출하는 단계;[단, WF는 상기 일함수, n은 상기 그레인이 가질 수 있는 오리엔테이션의 갯수, N은 상기 그레인의 총 갯수, xi는 i번째 오리엔테이션을 가지는 상기 그레인의 갯수, Φxi는 상기 i번째 오리엔테이션에 따른 일함수값을 각각 나타냄]를 포함하는 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 22 |
22
제20항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 상기 평균 그레인 크기를 포함하는 것이고,상기 단계 (b-1)은, 상기 평균 그레인 크기의 레일리(Rayleigh) 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하는 단계;를 포함하는 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 23 |
23
제20항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 상기 평균 그레인 크기 및 그레인 오리엔테이션 확률을 포함하는 것이고,상기 단계 (b-1)은, 상기 평균 그레인 크기의 레일리 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하고, 상기 그레인 오리엔테이션 확률을 기초로 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 단계;를 포함하는 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 24 |
24
제20항에 있어서,상기 단계 (b)는(b-4) 상기 제x 면적에 대한 일함수 분산을 기초로 상기 평판 트랜지스터의 상기 금속 게이트의 상기 제x 면적에 대한 문턱 전압 변화를 산출하는 단계;를 더 포함하는 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 25 |
25
제20항에 있어서,(d) 상기 RGG와 상기 일함수 분산에 대한 대응 관계를 기초로 상기 RGG와 상기 평판 트랜지스터의 문턱 전압 변화에 대한 대응 관계를 산출하는 단계;를 더 포함하는 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 26 |
26
제20항에 있어서,상기 금속 물질은 TiN, TaN, WN, MoN 및 RuMO를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 물질인 것인 평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
