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엠에프엠에스형 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리장치

  • 기술번호 : KST2015195137
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MFMS(Metal-Ferroelectric-Metal-Semiconductor) 구조를 갖는 전계효과 트랜지스터와 강유전체 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리 장치는 소오스 및 드레인 영역(2, 3)과 그 사이에 채널영역(4)이 형성되는 기판(1)과, 상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 하부전극층(30), 상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층(31) 및, 상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층(32)을 구비하여 구성된다.강유전체, 메모리, MFMS
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01)
출원번호/일자 1020070057534 (2007.06.12)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0866314-0000 (2008.10.27)
공개번호/일자 10-2008-0055589 (2008.06.19) 문서열기
공고번호/일자 (20081103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060127494   |   2006.12.13
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020080063880;
심사청구여부/일자 Y (2008.01.04)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0425882-88
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0087469-98
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0534987-07
4 [출원인코드정정]출원인코드 정보변경(경정), 정정신고서
[Applicant Code Correction] Report on Change (Correction), Correction to Applicant Code Information		 2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0698733-18
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.10.26 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2007-0769274-17
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0803366-07
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0007376-38
8 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0011587-15
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0023602-85
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0191898-75
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0191897-29
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0247122-68
13 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.07.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0028998-48
14 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2008.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0478236-79
15 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0389880-33
16 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0605118-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 구비하여 구성되고,상기 하부전극층과 상부전극층을 통해 강유전체층에 전압을 인가하여 강유전체층을 분극화시키며,상기 하부전극층이 데이터 전극이고 상부전극층이 접지전극인 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
3 3
삭제
4 4
제2항에 있어서,상기 하부전극 및 상부전극층이 도전성 금속, 금속 합금, 금속 화합물, 금속 산화물 및 도전성 유기물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
5 5
제2항에 있어서,상기 강유전체층이 산화물 강유전체, 고분자 강유전체, 불화물 강유전체, 강유전체 반도체 및 강유전체의 고형체 중 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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10 10
제2항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
11 11
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 구비하여 구성되고,상기 하부전극층과 상부전극층을 통해 강유전체층에 전압을 인가하여 강유전체층을 분극화시키며,상기 하부전극층이 접지 전극이고 상부전극층이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
12 12
삭제
13 13
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 구비하여 구성되고,상기 하부전극층과 상부전극층을 통해 강유전체층에 전압을 인가하여 강유전체층을 분극화시키며,상기 하부전극층이 데이터 전극이고 상부전극층이 접지 전극인 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터
14 14
삭제
15 15
제13항에 있어서,상기 하부전극 및 상부전극층이 도전성 금속, 금속 합금, 금속 화합물, 금속 산화물 및 도전성 유기물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터
16 16
제13항에 있어서,상기 강유전체층이 산화물 강유전체, 고분자 강유전체, 불화물 강유전체, 강유전체 반도체 및 강유전체의 고형체 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터
17 17
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18 18
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19 19
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20 20
삭제
21 21
제13항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터
22 22
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 구비하여 구성되고,상기 하부전극층과 상부전극층을 통해 강유전체층에 전압을 인가하여 강유전체층을 분극화시키며,상기 하부전극층이 접지 전극이고 상부전극층이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05440852 JP 일본 FAMILY
2 JP22514154 JP 일본 FAMILY
3 WO2008072826 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2010514154 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2010514154 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2010514154 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5440852 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.