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(a) 기판 상에 금속층을 형성하는 단계;(b) 상기 금속층을 100℃ 내지 450℃의 범위 내에서 열처리하는 단계; 및(c) 상기 열처리된 금속층 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는, 금속막 형성방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 및 상기 (c) 단계의 금속층은 제5 내지 제6 주기 전이금속을 포함하는, 금속막 형성방법
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3
제1항에 있어서,상기 (a) 및 상기 (c) 단계는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용하여 수행되는, 금속막 형성방법
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제3항에 있어서,상기 (a) 및 상기 (c) 단계의 원자층 증착법은 상기 기판 상에 금속 전구체를 주입하는 단계; 질소 기체를 주입하는 단계; 산소 기체를 주입하는 단계 및 질소 기체를 재주입하는 단계를 포함하여 수행되는, 금속막 형성방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 및 상기 (c) 단계는 100℃ 내지 300℃의 온도 범위 내에서 수행되는, 금속막 형성방법
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6
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 상기 기판 상에 금속 응집체가 형성되는, 금속막 형성방법
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7
제6항에 있어서,상기 금속 응집체의 형상은 구형 또는 반구형인, 금속막 형성방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계는 진공 분위기 또는 환원성 분위기 중 어느 하나의 분위기 중에서 수행되는, 금속막 형성방법
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10
제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 형성되는 상기 금속층의 두께가 10nm 내지 19nm인 경우, 상기 (b) 단계는 15 내지 55 초의 범위 내에서 수행되는, 금속막 형성방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 형성되는 상기 금속층의 두께가 20nm 내지 29nm인 경우, 상기 (b) 단계는 10 내지 60 초의 범위 내에서 수행되는, 금속막 형성방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 형성되는 상기 금속층의 두께가 30nm 내지 39nm인 경우, 상기 (b) 단계는 5 내지 45 초의 범위 내에서 수행되는, 금속막 형성방법
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13
제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 형성되는 상기 금속층의 두께가 40nm 내지 50nm인 경우, 상기 (b) 단계는 5 내지 45 초의 범위 내에서 수행되는, 금속막 형성방법
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