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열 산화 공정을 이용한 나노결정층과 산화막의 동시 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015195157
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노결정층과 산화막의 동시 형성 방법에 관한 것으로서, 산화물에 나노결정이 포함되어 이루어지는 나노결정층과, 이 나노결정층에 적층된 구조의 산화막을 동시에 형성할 수 있도록 하여, 종래의 문제점, 즉 각 층의 순차 증착 후 열처리 진행시에 나타나는 계면 불순물 및 막 손상의 문제점을 해소하고, 공정 수 축소 및 공정시간 단축이 가능해지는 나노결정층과 산화막의 동시 형성 방법을 제공하는데 주된 목적이 있는 것이다. 상기한 목적을 달성하기 위해, 기판에 나노결정 형성물질 B의 원소가 기판으로 확산되는 것을 방지하기 위한 차단막을 적층하는 단계와; 나노결정 형성물질 B와, 상기 나노결정 형성물질 B에 비해 녹는점과 산화반응성이 상대적으로 높은 물질 A가 포함된 비정질 산화막을 상기 차단막에 적층하는 단계와; 온도 상승 및 유지, 하강 구간의 지속적인 산소 분위기에서 상기 비정질 산화막을 열처리하여, 비정질 산화막 내부를 상기 B의 나노결정이 포함된 나노결정층으로, 비정질 산화막의 표면부를 상기 A의 산화막으로 변화시키는 열 산화 공정을 실시하는 단계;를 포함하는 열 산화 공정을 이용한 나노결정층과 산화막의 동시 형성 방법이 개시된다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020110104001 (2011.10.12)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1283553-0000 (2013.07.02)
공개번호/일자 10-2013-0039450 (2013.04.22) 문서열기
공고번호/일자 (20130715) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한문섭 대한민국 서울특별시 강남구
2 한동우 대한민국 서울특별시 동대문구
3 장승훈 대한민국 인천광역시 서구
4 김현승 대한민국 충청북도 제천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0796596-53
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0781628-67
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0155899-49
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0155898-04
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0452509-49
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
7 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
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번호 청구항
1 1
기판에 나노결정 형성물질 B의 원소가 기판으로 확산되는 것을 방지하기 위한 차단막을 적층하는 단계;나노결정 형성물질 B와, 상기 나노결정 형성물질 B에 비해 녹는점과 산화반응성이 상대적으로 높은 물질 A가 포함된 비정질 산화막을 상기 차단막에 적층하는 단계;온도 상승 및 유지, 하강 구간의 지속적인 산소 분위기에서 상기 비정질 산화막을 열처리하여, 비정질 산화막 내부를 상기 B의 나노결정이 포함된 나노결정층으로, 비정질 산화막의 표면부를 상기 A의 산화막으로 변화시키는 열 산화 공정을 실시하는 단계;를 포함하고, 상기 나노결정 형성물질 B가 게르마늄이고, 물질 A가 실리콘이며, 상기 열 산화 공정을 실시하는 단계에서 열처리 유지 온도는 게르마늄 원소의 내부 확산, 나노결정화, 나노결정의 자기 정렬이 이루어지는 650 ℃ ~ 1250 ℃로 설정하는 것을 특징으로 하는 열 산화 공정을 이용한 나노결정층과 산화막의 동시 형성 방법
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청구항 1에 있어서,상기 나노결정 형성물질 B가 반도체 나노결정 형성물질이고, 상기 비정질 산화막은 금속이 더 포함된 비정질 산화막인 것을 특징으로 하는 열 산화 공정을 이용한 나노결정층과 산화막의 동시 형성 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
청구항 2에 있어서,상기 금속이 코발트인 것을 특징으로 하는 열 산화 공정을 이용한 나노결정층과 산화막의 동시 형성 방법
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청구항 1에 있어서,상기 비정질 산화막은 A1-xBxOy막(x003c#0
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청구항 1에 있어서,상기 비정질 산화막은 라디오 주파수 마그네트론 스퍼터링 증착 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 열 산화 공정을 이용한 나노결정층과 산화막의 동시 형성 방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 차단막은 실리콘 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노결정층과 산화막의 동시 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울시립대학교산학협력단 일반연구자지원사업 4족 기반 반도체 화합물 나노구조의 형성, 특성평가 및 발광 원리에 관한 연구