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전도성 제 1 기판, 상기 전도성 제1 기판의 일면에 형성된 나노입자 산화물층, 및 상기 나노입자 산화물층 상에 흡착된 염료분자를 포함하는 반도체 전극;
전도성 제 2 기판상에 상기 반도체 전극쪽을 향하여 형성된 전극층을 포함하는 대향전극;
상기 반도체 전극과 상기 대향전극 사이에 개재된 전해질 용액; 및
상기 나노입자 산화물층을 구성하는 나노입자의 표면에 형성되며, 마이크로웨이브를 전구체 용액에 조사하여 형성된 코팅층을 포함하는 염료감응 태양전지
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제 1 항에 있어서,
상기 코팅층은 Nb2O5, ZnO, SrTiO3, Al2O3, ZrO2, SnO2 중에서 선택된 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제 1 항에 있어서,
상기 코팅층의 두께는 5~50nm인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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4
제 1 항에 있어서,
상기 나노입자의 크기는 10~500nm인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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삭제
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제 2 항에 있어서,
상기 전구체 용액의 농도는 0
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전도성 제 1 기판에 나노입자 산화물층을 형성하는 단계;
상기 전도성 제1 기판을 니오븀 에톡사이드의 전구체에 투입하고 마이크로웨이브를 조사하여 나노입자에 코팅층을 형성하는 단계;
상기 나노입자 산화물층 상에 염료분자를 흡착시켜 반도체 전극을 형성시키는 단계;
전도성 제 2 기판상에 상기 반도체 전극쪽을 향하여 전극층을 형성시킨 대향전극을 제조하는 단계; 및
상기 반도체 전극과 대향전극 사이에 전해질 용액을 개재시키는 단계를 포함하는 염료감응 태양전지 제조방법
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제 7 항에 있어서,
상기 마이크로웨이브의 출력범위는 200~1500W인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 제조방법
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9
제 7 항에 있어서,
상기 마이크로웨이브의 조사시간은 1~60분인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 제조방법
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