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소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성됨과 더불어 도전성 재질로 구성되는 버퍼층,상기 버퍼층 상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 게이트전극을 구비하여 구성되고,상기 강유전체층이 분극화되지 않은 상태에서 상기 소오스 및 드레인 영역은 채널영역을 통해 상호 도전상태로 설정되는 것을 특징으로 하되,상기 버퍼층이 TiN이고, 상기 강유전체층이 BLT((Bi,La)4Ti3O12)를 포함하여 구성되는 MFMS(Metal-Ferroelectric-Metal-Substrate)형 강유전체 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 도전성 재질이 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 도전성 재질이 전도성 금속 산화물과 이것들의 합금 및 화합물 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 도전성 재질이 전도성 유기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 도전성 재질이 실리사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 버퍼층의 도전성 재질은 금속, 전도성 금속 산화물, 전도성 유기물 및 실리사이드 중 적어도 두 개 이상의 재질로 이루어진 다층 구조로 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 강유전체층이 산화물 강유전체, 고분자 강유전체, 불화물 강유전체 및 강유전체 반도체와 이들 강유전체의 고형체 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
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소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성됨과 더불어 도전성 재질로 구성되는 버퍼층,상기 버퍼층 상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 게이트전극을 구비하여 구성되고,상기 강유전체층이 분극화되지 않은 상태에서 상기 소오스 및 드레인 영역은 채널영역을 통해 상호 도전상태로 설정되는 것을 특징으로 하되,상기 버퍼층이 TiN이고, 상기 강유전체층이 BLT((Bi,La)4Ti3O12)를 포함하여 구성되는 MFMS형 전계효과 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 도전성 재질이 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 도전성 재질이 전도성 금속 산화물과 이것들의 합금 및 화합물 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 도전성 재질이 전도성 유기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 도전성 재질이 실리사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 전계효과 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 버퍼층의 도전성 재질은 금속, 전도성 금속 산화물, 전도성 유기물 및 실리사이드 중 적어도 두 개 이상의 재질로 이루어진 다층 구조로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 강유전체층이 산화물 강유전체, 고분자 강유전체, 불화물 강유전체 및 강유전체 반도체와 이들 강유전체의 고형체 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터
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