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디엔에이를 이용한 나노 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015195188
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 디엔에이로 구성되는 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 수십 나노미터 크기로 길이의 제어가 가능한 디엔에이를 합성한 뒤에 수십 나노미터 크기의 간격을 가지는 소스와 드레인으로 구성되어 있는 금속 전극 사이에 자발적으로 연결되도록 하고 소스와 드레인을 통하여 전류를 통하게 하며 동시에 디엔에이의 하단부에 절연층을 사이에 두고 형성되어 있는 게이트 금속전극의 전위차를 이용하여 소스와 드레인을 지나가는 전류의 크기를 제어할 수 있으며 전기적으로 스위칭 특성이 있는 나노미터 크기의 트랜지스터를 제공할 수 있다. 본 발명에 따른 디엔에이와 소스와 드레인으로 구성되는 금속 전극과의 결합으로는 디엔에이의 양단이 금속과 자발적으로 결합할 수 있도록 티올기(thiol, -SH)를 화학결합 하며, 디엔에이의 길이는 염기의 개수에 따라서 0.34나노미터를 단위로 조절이 가능하므로 테라비트급 고집적 트랜지스터를 신뢰성 있게 제작할 수 있다.디엔에이, 트랜지스터, 나노전자소자, 스위칭소자, 티올기
Int. CL G01N 27/414 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) G01N 33/543 (2006.01.01)
CPC G01N 27/4146(2013.01) G01N 27/4146(2013.01) G01N 27/4146(2013.01)
출원번호/일자 1020050127622 (2005.12.22)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2006-0013355 (2006.02.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안도열 대한민국 경기 안양시 동안구
2 황성우 대한민국 서울특별시 강남구
3 황종승 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0752271-14
2 보정요구서
Request for Amendment
2005.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0131078-47
3 보정요구서
Request for Amendment
2006.01.23 재발송완료 (Re-dispatched) 1-5-2006-0009304-22
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0057590-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0725383-77
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.12.20 재발송완료 (Re-dispatched) 9-5-2006-0763049-12
7 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2007.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0135040-93
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0144767-77
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0220767-38
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0302048-20
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0371913-16
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0447985-97
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0525614-82
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0600000-52
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0599999-01
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0489508-52
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2007.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0613703-81
18 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.01.21 보정각하 (Rejection of amendment) 7-1-2008-0002464-82
19 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2008.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0051370-88
20 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2008.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0051371-23
21 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2008.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0520844-96
22 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0520848-78
23 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0850018-59
24 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.01.12 무효 (Invalidation) 1-1-2009-0018214-43
25 보정요구서
Request for Amendment
2009.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0004420-63
26 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2009.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0010854-50
27 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0081804-84
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
30 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
31 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수십 나노미터 크기의 길이 제어가 가능한 디엔에이; 디엔에이에 결합하여 디엔에이와 전극의 자발적 결합을 할 수 있도록 하는 티올기; 디엔에이에 전류를 흘려주는 소스 전극과 드레인 전극; 디엔에이에 전계를 가할 수 있는 게이트 전극; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 따른 디엔에이를 이용한 나노 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 디엔에이는 양끝에 티올기가 결합한 것 또는 이와 유사한 금(gold) 전극과 결합할 수 있는 화학적 특성이 있는 분자 재료를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 디엔에이는 화학적 합성 방법에 의하여 길이를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 나노 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 디엔에이와 금속 전극의 결합이 화학적 반응에 의하여 자발적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 디엔에이의 위, 아래, 측면에 구성된 금속 전극을 통하여 디엔에이에 전계를 가하는 것을 특징으로 하는 나노 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.