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다수개의 감열지(11);상기 감열지(11)가 층을 이루도록 적층된 감열지 적층부재(10); 및 상기 적층부재(10)가 적치되는 내열성 실리콘 재질로 이루어진 상판틀(30)을 포함하여 구성되어 상기 감열지(11)가 적층된 상태로 화상 정도를 측정할 수 있으며, 상기 감열지(11)의 적층된 상태는 감열지(11)의 적층수 = 조직의 두께 * (kp/kd) /Xd 의 관계를 이루고, 이때, kp=감열지 열전도도 상수, kd=조직의 열전도도 상수, Xd=감열지 두께 인 것을 특징으로 하는 화상 열전도도 측정장치
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제1항에 있어서,상기 감열지(11)가 적층되어 밀착된 상태를 유지할 수 있도록 상기 적층부재(10)를 가압하는 가압부재(21, 22)가 포함되는 것을 특징으로 하는 화상 열전도도 측정 장치
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제 3항에 있어서, 상기 상판틀(30)은 소성변형이 가능한 하판틀(40) 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 화상 열전도도 측정장치
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제 1항에 있어서, 적층부재(10)는 상기 감열지(11)와 감열지(11) 사이에 밀착유(12)가 도포되어 상기 감열지(11)를 서로 밀착시키는 것을 특징으로 하는 화상 열전도도 측정장치
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제 5항에 있어서, 상기 밀착유(12)는 오일, 써멀 그리스 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화상 열전도도 측정장치
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제 1항에 있어서, 상기 감열지(11)는 K91HG-CE 감열지인 것을 특징으로 하는 화상 열전도도 측정장치
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제 2항에 있어서, 상기 가압부재(21,22)는 자성체 또는 클립이나 밴드 또는 클램프로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화상 열전도도 측정장치
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제 1항에 있어서, 상기 적층부재(10)에는 3차원 모델링 시 기준점을 이룰 수 있도록 기준홀(11a)이 관통되는 것을 특징으로 하는 화상 열전도도 측정장치
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목표로 하는 조직의 열전도도에 따라 적층부재(10)를 이루는 감열지(11)의 적층수를 결정하는 감열지 적층단계(S1); 다수개의 감열지(11)가 적층된 적층부재(10)에 열을 가할 수 있도록, 목표로 하는 조직과 유사한 온도를 유지할 수 있는 상기 적층부재(10)를 얹을 수 있는 내열성 실리콘 재질로 이루어진 상판틀(30)의 온도를 조절하는 상판틀 온도조절단계(S21)를 포함하는 준비단계(S2);상기 적층부재(10)의 상면에 실험하고자 하는 열을 가하는 가열단계(S3); 및 적층부재(10)에 층별로 상기 감열지(11)에 나타난 감열깊이에 따른 열손상도를 목표로 하는 조직의 깊이에 따른 열손상도로 변환시켜 조직 내에서의 열전도도를 추정하는 열전도도 추정단계(S4);를 실시하여 목표로 하는 조직 내에서의 열전도 과정 및 그 분포양상을 얻는 것을 특징으로 하고, 상기 열전도도 추정단계(S4)에서목표로 하는 조직의 열손상 깊이 = 감열된 감열지층수 *Xd*(kd/kp)의 관계를 이루고, 이때, kp=감열지 열전도도 상수, kd=조직의 열전도도 상수, Xd=감열지 두께 인 것을 특징으로 하는 화상 열전도도 측정방법
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제 10항에 있어서, 상기 준비단계(S2)는, 곡면의 측정이 필요한 경우, 하판틀(40)을 곡면을 이루도록 소성변형시킨 이후 상기 상판틀(30)을 상기 하판틀(40)에 부착시키는 하판틀 부착 및 가압단계(S22);로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화상 열전도도 측정방법
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제 10항에 있어서, 상기 가열단계(S3)에서 상기 적층부재(10)의 상면에 실험하고자 하는 열을 가한 후, 상기 적층부재(10)의 층별로 상기 감열지(11)에 나타난 감열영상을 3차원으로 재구성하는 3차원 재구성 단계(S5);를 실시하는 것을 특징으로 하는 화상 열전도도 측정방법
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제 10항에 있어서, 상기 감열지 적층단계(S1)에서 감열지(11)의 적층수 = 조직의 두께 * (kp/kd) /Xd 의 관계를 이루고, 이때, kp=감열지 열전도도 상수, kd=조직의 열전도도 상수, Xd=감열지 두께 인 것을 특징으로 하는 화상 열전도도 측정방법
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