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기판을 준비하는 단계와;상기 기판에 도포될 용액을 제조하는 단계와;상기 기판위에 패턴이 형성된 새도우 마스크(shadow mask)를 위치시키는 단계와;상기 제조된 용액을 스프레이 장치를 통해서 새도우 마스크(shadow mask)에 도포하는 단계와;상기 도포단계가 종료된 후 열처리를 수행하여 잔존하는 용매를 증발시키는 단계로 구성되며,상기 제조된 용액을 스프레이 장치를 통해서 새도우 마스크(shadow mask)에 도포하는 단계는 오픈되어 있는 부분에만 도포하는 것을 특징으로 한 스프레이 인쇄방식을 통한 박막트랜지스터(TFT)를 제조하는 방법
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제 2항에 있어서,상기 기판은 n-형이나 p-형으로 도핑된 실리콘 웨이퍼, 유리기판, 폴리에테르술폰 (polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드 (polyetherimide), 폴리이미드 (polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이드 (polyethyeleneterepthalate), 폴리에틸렌 나프탈렌 (polyethylene naphthalate) 로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 플라스틱 필름과 인듐틴옥사이드 (indium tin oxide) 가 코팅된 유리기판 및 플라스틱 필름기판 중에서 선택되는 것을 특징으로 한 스프레이 인쇄방식을 통한 박막트랜지스터(TFT)를 제조하는 방법
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제4항에 있어서,상기 기판에 도포될 용액은 유기반도체 코팅액, 금속산화물 코팅액, 고분자 절연체 코팅액인 것을 특징으로 한 스프레이 인쇄방식을 통한 박막트랜지스터(TFT)를 제조하는 방법
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제 5항에 있어서 상기 유기반도체 코팅액은 폴리티오펜 (polythiophene)과 그 유도체, 폴리 싸이아노 티오펜 (thieno thiophene) 과 그 유도체, TIPS 펜타센 (triisopropylsilyl pentacene) 과 그 유도체, 펜타센 프리커서 (pentacene precursor)와 그 유도체, 알파-6-티오펜 과 그 유도체, 폴리 플루오렌 (polyfluorene)과 그 유도체, 펜타센 (pentacene), 테트라센 (tetracene), 안트라센 (anthracene), 페릴렌 (perylene) 및 그 유도체, 루브렌 (rubrene) 및 그 유도체, 코로렌 (coronene)과 그 유도체, 페닐렌 테트라카르복실릭디이미드 (perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않는 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라 카르복시산 디이미드 및 이들의 유도체, 폴리 페닐렌 테트라카르복실릭디이미드-폴리티오펜 공중합체와 그 유도체 (poly (perylene tetracarboxylic diimide)-co-(thiophene)) 중에서 선택되는 것을 특징으로 한 스프레이 인쇄방식을 통한 박막트랜지스터(TFT)를 제조하는 방법
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제 5항에 있어서,상기 금속산화물 코팅액은 징크 옥사이드, 인듐틴 옥사이드, 틴 옥사이드, 징크틴 옥사이드, 인듐 갈륨 징크 옥사이드 산화물로부터 선택되는 것을 특징으로 한 스프레이 인쇄방식을 통한 박막트랜지스터(TFT)를 제조하는 방법
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제 5항에 있어서,상기 고분자 절연체 코팅액은 Al2O3, Ta2O5, BST, PZT 등 나노입자가 분산된 용액 중에서 선택되는 것을 특징으로 한 스프레이 인쇄방식을 통한 박막트랜지스터(TFT)를 제조하는 방법
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제 5항에 있어서,상기 고분자 절연체 코팅액은 폴리메타아크릴레이트(PMMA, polymethylmethacrylate), 폴리스타이렌(PS, polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자이리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene) 중에서 선택되는 것을 특징으로 한 스프레이 인쇄방식을 통한 박막트랜지스터(TFT)를 제조하는 방법
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