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유리기판을 준비하는 단계;상기 유리기판의 상단에 금속 물질을 도포하는 단계;상기 유리기판에 레이져를 조사하여 금속 물질을 유리기판 표면 속으로 침투시켜 부착부위를 형성시키는 단계; 및상기 유리기판을 무전해 도금을 하여 금속 배선을 형성시키는 단계;를 포함하는, 유리기판의 금속 배선 방법
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청구항 1에 있어서,상기 금속 물질을 도포하는 단계는,상기 금속 물질을 유기용매와 혼합하여 상기 유리기판 상단에 도포하는 단계; 및상기 금속 물질이 도포 된 유리기판을 건조시키는 단계;를 포함하는, 유리기판의 금속 배선 방법
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청구항 2에 있어서,상기 금속 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 코발트(Co) 중 선택된 하나인, 유리기판의 금속 배선 방법
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청구항 1에 있어서,상기 부착부위는 상기 유리기판의 선택된 부분에 한정하여 형성시키는, 유리기판의 금속 배선 방법
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청구항 4에 있어서,상기 유리기판의 선택된 부분은 상기 유리기판에 일정한 패턴이 형성된 슬릿을 위치시키고 상기 레이져를 조사하여 상기 부착부위를 선택하는, 유리기판의 금속 배선 방법
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청구항 5에 있어서,상기 레이져는 300 내지 1100 nm의 파장으로 상기 유리기판을 통과하는 것을 특징으로 하는, 유리기판의 금속 배선 방법
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청구항 1에 있어서,상기 금속 물질을 부착부위로 형성시키는 단계는,상기 금속 물질이 응집되면서 상기 유리기판 표면에 침투되는 단계; 및상기 부착부위가 형성된 후 상기 유리기판을 세정하는 단계;를 포함하는, 유리기판의 금속 배선 방법
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청구항 1에 있어서,상기 무전해 도금은,상기 유리기판의 상기 부착부위에 대응된 부분에 금속 배선을 형성시키는, 유리기판의 금속 배선 방법
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청구항 8에 있어서,상기 금속 배선은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 코발트(Co) 중 상기 부착부위와 같은 물질로 선택된 하나로 형성시키는, 유리기판의 금속 배선 방법
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청구항 8에 있어서,상기 금속 배선은 1㎛ 내지 2㎛의 두께로 형성되는, 유리기판의 금속 배선 방법
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청구항 1에 있어서,상기 유리기판 및 상기 금속 배선 상단에 플립칩 접속용 개구부 또는 솔더볼용 개구부를 갖도록 패시베이션층을 형성시키는 단계; 및 상기 솔더볼용 개구부에 솔더볼을 부착하는 단계;를 더 포함하는, 유리기판의 금속 배선 방법
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유리기판의 표면에 금속 물질을 침투시켜 형성된 부착부위; 및상기 부착부위 상단에 무전해 도금으로 형성된 금속 배선;을 포함하는 금속 배선 유리기판
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청구항 12에 있어서,상기 부착부위는 상기 유리기판의 선택된 부분에 레이져를 조사하여 형성시키는, 금속 배선 유리기판
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청구항 12에 있어서,상기 금속 배선은 상기 부착부위에 대응된 부분에 형성되는, 금속 배선 유리기판
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