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제1 단자 및 제2 단자를 구비하는 금속층,상기 금속층 상부에 형성되는 전도층,상기 전도층 상부의 일부를 노출시키는 컨택 홀이 형성되도록 전도층을 덮는 절연층 및상기 컨택 홀을 매립하고, 제3 단자 및 제4 단자를 구비하는 상변화층을 포함하며,상기 제1 단자와 제3 단자는 프로그래밍 단자이고, 상기 제2 단자와 제4 단자는 신호전달 단자이며, 상기 컨택 홀 영역에서 상기 프로그래밍 단자와 신호전달 단자가 교차하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자
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2
제1항에 있어서, 상기 상변화층은 인가되는 전류량에 따라 비정질 상태와 결정 상태로 가역적으로 변화되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자
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3
제2항에 있어서, 상기 물질은 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te) 중 어느 하나를 포함하는 칼코겐(chalcogen) 화합물 또는 안티몬(Sb)을 포함하는 안티몬 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자
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4
제1항에 있어서, 상기 전도층은 TiN, TaN, TiAlN, WN, WBN, TiSiN, TaSiN, WSiN, TiSiC, TaSiC, WSiC, Si, SiGe 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질로 된 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자
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5
제1 단자 및 제2 단자를 구비하는 금속층,상기 금속층 상부에 형성되는 제1 전도층,상기 제1 전도층 상부의 일부를 노출시키는 컨택 홀이 형성되도록 제1 전도층을 덮는 절연층,상기 컨택 홀을 매립하고, 제3 단자 및 제4 단자를 구비하는 제2 전도층 및상기 제1 전도층 및 상기 제2 전도층 사이에 형성되며, 상기 제1 전도층을 이루는 물질 및 상기 제2 전도층을 이루는 물질의 고상 합금화에 의하여 형성된 상변화층을 포함하고,제1 단자와 제3 단자는 프로그래밍 단자이고, 상기 제2 단자와 제4 단자는 신호전달 단자이며, 상기 컨택 홀 영역에서 상기 프로그래밍 단자와 신호전달 단자가 교차하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자
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제5항에 있어서, 상기 상변화층은 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te) 중 어느 하나를 포함하는 칼코겐(chalcogen) 화합물 또는 안티몬(Sb)을 포함하는 안티몬 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자
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7
제1 단자 및 제2 단자를 구비하는 금속층을 형성하는 단계,상기 금속층 상부에 형성되는 전도층을 형성하는 단계,상기 전도층 상부의 일부를 노출시키는 컨택 홀이 형성되도록 전도층을 덮는 절연층을 형성하는 단계 및상기 컨택 홀을 매립하고, 제3 단자 및 제4 단자를 구비하는 상변화층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 단자와 제3 단자는 프로그래밍 단자이고, 상기 제2 단자와 제4 단자는 신호전달 단자이며, 상기 컨택 홀 영역에서 상기 프로그래밍 단자와 신호전달 단자가 교차하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자의 제조 방법
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제1 단자 및 제2 단자를 구비하는 금속층을 형성하는 단계,상기 금속층 상부에 형성되는 제1 전도층을 형성하는 단계,상기 제1 전도층 상부의 일부를 노출시키는 컨택 홀이 형성되도록 제1 전도층을 덮는 절연층을 형성하는 단계,상기 컨택 홀을 매립하고, 제3 단자 및 제4 단자를 구비하는 제2 전도층을 형성하는 단계 및상기 제1 전도층을 이루는 물질 및 상기 제2 전도층을 이루는 물질의 고상 합금화에 의하여 상기 제1 전도층 및 상기 제2 전도층 사이에 상변화층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 단자와 제3 단자는 프로그래밍 단자이고, 상기 제2 단자와 제4 단자는 신호전달 단자이며, 상기 컨택 홀 영역에서 상기 프로그래밍 단자와 신호전달 단자가 교차하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자의 제조 방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 상변화층은 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te) 중 어느 하나를 포함하는 칼코겐(chalcogen) 화합물 또는 안티몬(Sb)을 포함하는 안티몬 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자의 제조 방법
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