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열가소성 수지층으로 둘러싸인 그래핀 마이크로캡슐을 포함하는 전도성 고분자 충전제 및 전도성 열가소성 수지 조성물 및 이들의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015195955
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전도성 플라스틱 제조를 위한 전도성 고분자 충전제 및 그 제조방법에 관한 것으로 보다 구체적으로는, 그래핀 단독 혹은 그래핀과 나노화된 금속분말을 분산시켜 열가소성 수지층으로 그래핀을 둘러싼 마이크로캡슐 형태의 그래핀을 포함하는 전도성 고분자 충전제 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 전도성 고분자 충전제를 포함하는 전도성 열가소성 수지에 관한 것이다.본 발명에 따른 전도성 고분자 충전제는 그래핀 및 상기 그래핀을 둘러싸고 있는 열가소성 수지층을 포함하는 그래핀 마이크로캡슐을 포함한다.본 발명에 따른 그래핀 함유 전도성 고분자 충전제는 전도성 열가소성 수지내에서 분산이 균일하게 잘 이루어지며, 또한 그래핀과 매트릭스 열가소성 수지 사이의 낮은 부착력이라는 문제를 해결하여 줌으로써, 적은 양의 그래핀을 사용하여도 우수한 정전 특성을 나타낼 수 있게 한다.
Int. CL C08L 53/00 (2006.01) C08K 9/10 (2006.01) B01J 13/14 (2006.01) C08K 3/04 (2006.01)
CPC C08K 3/042(2013.01) C08K 3/042(2013.01) C08K 3/042(2013.01) C08K 3/042(2013.01) C08K 3/042(2013.01) C08K 3/042(2013.01) C08K 3/042(2013.01) C08K 3/042(2013.01) C08K 3/042(2013.01) C08K 3/042(2013.01) C08K 3/042(2013.01)
출원번호/일자 1020110120006 (2011.11.17)
출원인 한밭대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1198087-0000 (2012.10.31)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.17)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상헌 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장제환 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주) 피앤피코리아 경기도 안성시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0908445-17
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0955063-71
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0059658-35
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0193378-19
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0193371-01
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0294090-14
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2012.06.18 수리 (Accepted) 7-1-2012-0029214-89
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0579945-40
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.07.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0579948-87
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2012.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0484454-86
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0676390-19
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0676393-45
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0634292-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2014-0085888-54
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5058417-94
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5065033-29
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5072792-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 플럭을 중합반응에 의해 생성된 수지의 유리전이온도(glass transition temperature, Tg) 이상으로 가열한 후 냉각하여 분쇄하는 분쇄단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 충전제의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 수용성 블록 공중합체는 폴리(에틸렌 옥사이드-b-프로필렌 옥사이드(poly(ethylene oxide-b-propylene oxide)) 또는 폴리스티렌-b-폴리아크릴산(polystyrene-b-polyacrylic acid)를 포함하며,상기 폴리(에틸렌 옥사이드-b-프로필렌 옥사이드(poly(ethylene oxide -b-propylene oxide))는 에틸렌옥사이드(EO)와 프로필렌옥사이드(PO)의 비율이 0
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서,상기 중합단계 중 또는 중합단계 후, 금속나노입자를 투입하는 단계를 더 포함하는 전도성 고분자 충전제의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 전도성 고분자 충전제는 그래핀 100 중량부에 대해서, 금속나노입자를 0
8 8
제 1항에 있어서, 상기 b)단계에서 상기 에틸렌기를 포함하는 한 종류 이상의 단량체는 에틸렌계 단량체, 비닐계 단량체, 아크릴계 단량체 및 메타크릴계 단량체를 포함하는 군에서 선택되는 한 종류 이상의 단량체를 포함하며, 상기 에틸렌계 단량체는 에틸렌, 프로필렌, 1,3-부타디엔, 이소부틸렌(isobutylene), 이소프렌(isoprene), 스타이렌(styrene) 및 알파메틸스타이렌(α-methyl styrene)으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하며, 상기 비닐계 단량체는 비닐 클로라이드, 비닐리덴 클로라이드, 테트라플루오로에틸렌, 비닐 C1~C10 알킬레이트(CH2CH-OC(O)R, R은 C1~C10 알킬), 비닐 C1~C10 알킬 에테르(CH2CH-OR, R은 C1~C10 알킬), 비닐 피롤리돈, 비닐 카바졸로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하며, 상기 아크릴계 단량체는 아크릴산(acrylic acid), 아크릴로나이트릴(acrylonitrile), 아크릴아마이드(acryl amide) 및 C1~C10 알킬 아크릴레이트(C1~C10 alkyl acrylate)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하며, 상기 메타크릴계 단량체는 메타크릴산(methacrylic acid), 메타크릴로나이트릴(methacrylonitrile), 메타크릴아마이드(methacryl amide) 및 C1~C10 알킬 메타크릴레이트(C1~C10 alkyl methacrylate)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 충전제의 제조방법
9 9
청구항 제 1항, 3항, 4항 및 6항 내지 8항 중에서 선택되는 어느 한 항의 방법으로 제조되는 그래핀 및 상기 그래핀을 둘러싸고 있는 열가소성 수지를 포함하는 전도성 고분자 충전제
10 10
열가소성 수지 100 중량부에 대해서, 청구항 제 1항, 3항, 4항 및 6항 내지 8항 중에서 선택되는 어느 한 항의 제조방법으로 제조되는 전도성 고분자 충전제 0
11 11
제 10항에 있어서,상기 열가소성 수지는 폴리아세탈 수지, 아크릴계 수지, 폴리카보네이트 수지, 스티렌계 수지, 폴리에스테르 수지, 비닐계 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리올레핀 수지, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리아릴설폰 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌 설피드 수지, 불소계 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에테르케톤 수지, 폴리벤족사졸 수지, 폴리옥사디아졸 수지, 폴리벤조티아졸 수지, 폴리벤지미다졸 수지, 폴리피리딘 수지, 폴리트리아졸수지, 폴리피롤리딘 수지, 폴리디벤조퓨란 수지, 폴리설폰 수지, 폴리우레아 수지, 폴리포스파젠 수지 및 액정중합체 수지로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 수지 혼합물, 또는 이들의 공중합체에서 선택되는 것인 전도성 열가소성 수지 조성물
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.