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탄소나노트리 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015195963
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소 나노트리의 합성 공정에 관한 것으로, 특히 공정 챔버 내의 기판 상에 진공상태에서 탄소원료물질을 공급하는 1 단계와 상기 공급된 탄소원료물질을 마이크로 웨이브 플라즈마를 이용해 분해시키는 2 단계, 상기 2단계에서 분해된 물질을 이용하여 탄소나노트리를 성장시키는 3단계를 포함하여 구성될 수 있다.본 발명에 따르면, 그라핀 등의 탄소 공급원을 나무형태로 성장시켜 탄소공급원(그라핀)이 가지는 높은 전기전도성과 전자친화도의 장점을 가지며 수소저장 공간이 다른 탄소동소체에 비해 현저하게 증가시켜 때문에 수소 반응 면적을 극대화할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) B01J 3/03 (2006.01) B01J 19/12 (2006.01)
CPC C01B 32/15(2013.01) C01B 32/15(2013.01) C01B 32/15(2013.01) C01B 32/15(2013.01) C01B 32/15(2013.01) C01B 32/15(2013.01) C01B 32/15(2013.01)
출원번호/일자 1020120019470 (2012.02.27)
출원인 한밭대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1400163-0000 (2014.05.21)
공개번호/일자 10-2013-0097853 (2013.09.04) 문서열기
공고번호/일자 (20140528) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원석 대한민국 대전 유성구
2 김상은 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)네프 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0155696-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.05.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0045087-44
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0565312-79
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0949894-78
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0949892-87
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0097636-91
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0307635-14
9 보정요구서
Request for Amendment
2014.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0059718-03
10 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2014.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0337441-12
11 등록결정서
Decision to grant
2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0338758-94
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2014-0085888-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5058417-94
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5065033-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5072792-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
공정 챔버 내의 기판 상에 진공상태에서 탄소원료물질을 공급하는 1 단계;상기 공급된 탄소원료물질을 플라즈마를 이용해 분해시키는 2 단계;상기 2단계에서 분해된 물질을 이용하여 탄소나노트리를 성장시키는 3단계;를 포함하고, 상기 1단계에서, 상기 기판은 유리기판이거나, Au, Ag, TiN, ITO 및 TaN을 포함하는 군으로부터 선택된 하나의 도전 물질을 포함하는 층을 수반하는 기판이며,상기 탄소원료물질은 그라핀인 탄소나노트리의 제조방법
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삭제
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청구항 1에 있어서,상기 1단계는,0
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청구항 1에 있어서,상기 1단계는,상기 탄소원료뮬질을 통해 공급되는 탄소의 양을 1~100sccm의 범위에서 공급하는 단계인 탄소나토트리의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 2단계는,마이크로 웨이브 또는 RF 플라즈마를 200~1000W의 출력으로 진행하는 공정인 탄소나노트리의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 3단계는,탄소나노트리로 성장시키는 시간을 5초~30분 내에 수행하는 단계인 탄소나노트리의 제조방법
7 7
청구항 1, 청구항 3 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 탄소나노트리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.