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기판을 준비하는 단계와;상기 기판위에 소스/드레인 전극을 형성시키는 단계와;상기 소스/드레인 전극위에 저분자와 고분자 유기반도체 혼합용액층을 형성시키는 단계와;상기 반도체층이 형성된 기판을 열처리하는 단계와;상기 열처리된 기판위에 유기절연막층을 형성시키는 단계와;상기 유기절연막층이 형성된 기판위에 게이트 전극을 형성시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 한 저분자와 고분자 유기반도체 혼합용액을 사용한 박막트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 저분자와 고분자 유기반도체 혼합용액은 저분자와 고분자가 중량비 기준으로 1:1로 혼합되는 것을 특징으로 한 저분자와 고분자 유기반도체 혼합용액을 사용한 박막트랜지스터의 제조방법
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제 1항 또는 제2항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 저분자 유기반도체는 diF-TESADT이고, 상기 고분자 유기반도체는 PTAA인 것을 특징으로 한 저분자와 고분자 유기반도체 혼합용액을 사용한 박막트랜지스터의 제조방법
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제 1항 또는 제2항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 열처리는 상기 저분자와 고분자 유기반도체 혼합용액층에 사용되는 용매의 끓는 점보다 낮은 온도에서 수행되는 것을 특징으로 한 저분자와 고분자 유기반도체 혼합용액을 사용한 박막트랜지스터의 제조방법
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제 3항에 있어서,유기고분자: 유기저분자를 용매에 용해하는 비율이 2 wt
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제 3항에 있어서,상기 열처리는 30 ~60 oC의 온도로 30 분간 수행되는 것을 특징으로 한 저분자와 고분자 유기반도체 혼합용액을 사용한 박막트랜지스터의 제조방법
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기판;상기 기판 상에 위치한 소스/드레인 전극상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치한 저분자 유기반도체:고분자 유기반도체의 혼합으로 구성된 유기반도체층;상기 유기반도체층 위에 기판전면에 걸쳐 위치한 유기절연막상기 유기절연막 위에 트랜지스터 활성층 위에만 도포된 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
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제 6항에 있어서,상기 유기반도체층의 저분자 유기반도체와 고분자 유기반도체는 중량비 기준으로 1:1로 혼합되는 것을 특징으로 한 유기박막트랜지스터
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제 7항 또는 제 8항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 저분자 유기반도체는 diF-TESADT이고, 상기 고분자 유기반도체는 PTAA인 것을 특징으로 한 유기박막트랜지스터
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제 7항 또는 제 8항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 유기반도체층은 사용되는 용매의 끓는 점보다 낮은 온도에서 열처리된 것을 특징으로 한 유기박막트랜지스터
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제 10항에 있어서,상기 열처리는 30 ~60 oC의 온도로 30 분간 수행되는 것을 특징으로 한 유기박막트랜지스터
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