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유기 반도체 고분자 및 2개 이상의 트리클로로실리 작용기를 가지는 상기 유기 반도체 고분자의 네트워크 형성 유도체로 형성되는 유기 반도체층을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 네트워크 형성 유도체의 함량은 상기 유기 반도체 고분자 100 중량부에 대하여 1 내지 20 중량부인 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 네트워크 형성 유도체는 비스(트리클로로실리)헥산 (bis(trichlorosily)hexane)인 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 유기 반도체 고분자는 폴리[(9,9-디오틸플루오레닐-2,7-디일)-코-비티오펜](poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-bithiophene]) 및 폴리(3-헥실티오펜)(poly(3-hexylthiophene) 중 하나 이상인 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 유기 반도체 고분자는 폴리[(9,9-디오틸플루오레닐-2,7-디일)-코-비티오펜](poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-bithiophene])이고, 상기 비스(트리클로로실리)헥산 (bis(trichlorosily)hexane)의 함량은 상기 유기 반도체 고분자 100 중량부에 대하여 1 내지 10 중량부인 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 유기 반도체 고분자는 폴리(3-헥실티오펜)(poly(3-hexylthiophene)이고, 상기 비스(트리클로로실리)헥산 (bis(trichlorosily)hexane)의 함량은 상기 유기 반도체 고분자 100 중량부에 대하여 1 내지 20 중량부인 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 유기 반도체층은 상기 유기 반도체 고분자 및 상기 유기 반도체 고분자의 네트워크 형성 유도체인 비스(트리클로로실리)헥산 (bis(trichlorosily)hexane)을 포함하는 용액으로 형성되는 유기 박막 트랜지스터
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8
제1항에 있어서,상기 유기 반도체층 상에는 보호층이 추가로 형성되는 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 유기 반도체층 상에는 전극이 형성되는 유기 박막 트랜지스터
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기판 또는 절연층 상에 유기 반도체 고분자 및 2개 이상의 트리클로로실리 작용기를 가지는 상기 유기 반도체 고분자의 네트워크 형성 유도체로 유기 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 네트워크 형성 유도체의 함량은 상기 유기 반도체 고분자 100 중량부에 대하여 1 내지 20 중량부인 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 네트워크 형성 유도체는 비스(트리클로로실리)헥산 (bis(trichlorosily)hexane)인 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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13
제10항에 있어서,상기 유기 반도체층은 상기 유기 반도체 고분자 및 상기 네트워크 형성 유도체를 포함하는 용액으로 형성되는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 유기 반도체층은 용액 공정으로 형성되는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 유기 반도체층은 스핀 코팅법으로 형성되는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 유기 반도체층은 상기 유기 반도체 고분자 및 상기 네트워크 형성 유도체를 포함하는 용액이 도포된 후 열처리 공정을 수행하여 형성되는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 유기 반도체 고분자는 폴리[(9,9-디오틸플루오레닐-2,7-디일)-코-비티오펜](poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-bithiophene]) 및 폴리(3-헥실티오펜)(poly(3-hexylthiophene) 중 하나 이상인 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 유기 반도체층 상에 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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