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기판과;상기 기판위에 형성된 소스/드레인 전극과;상기 소스/드레인 전극위에 형성된 인쇄반도체와;상기 인쇄반도체위에 도포된 일렉트릿층과;상기 일렉트릿층 위에 도포된 게이트 절연층과;상기 게이트 절연층위에 형성된 게이트 전극;으로 구성되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리
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제 1항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 금속, 탄소화합물, 전도성 고분자로부터 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리
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제 2항에 있어서,상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 사마리움(Sm), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 아연(Zn), 인듐(In), 지르코늄(Zr)으로부터 선택되며,상기 탄소화합물은 탄소나누튜브(CNT) 및 그래핀으로부터 선택되며,상기 전도성고분자는 PEDOT:PSS 및 Polyaniline (PANI)으로부터 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리
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제 1항에 있어서,상기 인쇄반도체는 고분자 및 단분자 유기반도체, 금속산화물 반도체, 탄소화합물 반도체로부터 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리
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제 4항에 있어서,상기 유기반도체는 Pentacene, Tetracene, Rubrene, PCBM, TIPS-Pentacene, TES-ADT, P3HT, F8T2, F8BT, P(NDI2OD-T2), PC12TV12T, PTVPhI, DPP, PDI8-CN2, Naphthalenediimide P형 및 N형, 고분자 및 단분자 유기반도체로부터 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리
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제 4항에 있어서,상기 산화물반도체는 아연산화물(ZnOx), 인듐산화물(InOx), 인듐갈륨아연산화물(IGZO), 인듐주석산화물(ITO) 산화물반도체로부터 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리
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제 4항에 있어서,상기 탄소화합물 반도체는 반도체성 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(Graphene) 나노리본으로부터 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리
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제 1항에 있어서,상기 일렉트릿층은 Poly(α-methylstyrene), Polystyrene (PS), TeflonTM AF, Poly(2-vinlynaphthalene) (PVN)인 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리
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제 1항에 있어서,상기 일렉트릿 층은 단일층 또는 다층 구조로 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리
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제 9항에 있어서,상기 일렉트릿층의 도포에 사용된 용매는 직교(Orthogonal) 용매인 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리
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제 10항에 있어서,상기 Orthogonal 용매는 n-butylacetate, 2-butanone, dimetyl sulfoxide, 2-ethoxyethanol, 2-methoxyethanol, acetonitrile, Butanol, 2-Propanol, Anisole, N-Methylpyrrolidone (NMP), Acetone 으로부터 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리
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제 1항에 있어서,상기 게이트 절연층은 P(VDF-TrFE), Poly(methyl methacrylate) (PMMA), Poly(4-vinylphenol) (PVP), Poly(4-vinylpyrrole) (PVPyr)로 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리
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제 12항에 있어서,상기 게이트 절연층인 P(VDF-TrFE), PMMA, PVP, 및 PVPyr의 Orthogonal 용매로 Acetonitrile, NMP, Butanol, 2-propanol로 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리
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기판을 준비하는 단계와;상기 기판위에 소스/드레인 전극을 형성시키는 단계와;상기 소스/드레인 전극위에 인쇄반도체층을 형성시키는 단계와;상기 인쇄반도체위에 일렉트릿층을 도포하는 단계와;상기 일렉트릿층 위에 게이트 절연층을 도포하는 단계와;상기 게이트 절연층위에 게이트 전극을 형성시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 14항에 있어서,상기 상기 소스/드레인 전극은 금속, 탄소화합물, 전도성고분자로부터 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 14항에 있어서,상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 사마리움(Sm), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 아연(Zn), 인듐(In), 지르코늄(Zr)으로부터 선택되며,상기 탄소화합물은 탄소나누튜브(CNT) 및 그래핀으로부터 선택되며,상기 전도성고분자는 PEDOT:PSS 및 Polyaniline (PANI)로부터 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 14항에 있어서,상기 인쇄반도체는 고분자 및 단분자 유기반도체, 금속산화물 반도체, 탄소화합물 반도체로부터 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 17항에 있어서,상기 유기반도체는 Pentacene, Tetracene, Rubrene, PCBM, TIPS-Pentacene, TES-ADT, P3HT, F8T2, F8BT, P(NDI2OD-T2), PC12TV12T, PTVPhI, DPP, PDI8-CN2, Naphthalenediimide P형 및 N형, 고분자 및 단분자 유기반도체로부터 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 17항에 있어서,상기 산화물반도체는 아연산화물(ZnOx), 인듐산화물(InOx), 인듐갈륨아연산화물(IGZO), 인듐주석산화물(ITO) 산화물반도체로부터 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 17항에 있어서,상기 탄소화합물 반도체는 반도체성 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(Graphene) 나노리본으로부터 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 14항에 있어서,상기 일렉트릿층은 Poly(α-methylstyrene), Polystyrene (PS), TeflonTM AF, Poly(2-vinlynaphthalene) (PVN), Poly(4-vinylpyridine) (P4VPyr) 인 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 14항에 있어서,상기 일렉트릿 층은 단일층 또는 다층 구조로 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 22항에 있어서,상기 일렉트릿층의 도포에 사용된 용매는 직교(Orthogonal) 용매인 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 23항에 있어서,상기 Orthogonal 용매는 n-butylacetate, 2-butanone, dimetyl sulfoxide, 2-ethoxyethanol, 2-methoxyethanol, acetonitrile, Butanol, 2-Propanol, Anisole, N-Methylpyrrolidone (NMP), Acetone 으로부터 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 22항에 있어서,상기 게이트 절연층은 P(VDF-TrFE), Poly(methyl methacrylate) (PMMA), Poly(4-vinylphenol) (PVP), Poly(4-vinylpyridine) (PVPyr)로 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 25항에 있어서,상기 게이트 절연층인 P(VDF-TrFE), PMMA, PVP, 및 PVPyr의 Orthogonal 용매로 Acetonitrile, NMP, Butanol, 2-propanol로 선택되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리
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제 15항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극의 형성은 포토 리소그래피(Photolithography)를 포함해 Gravure, Inkjet, Screen, Flexography, Reverse-Offset, Nano-Imprint, Spray 프린팅 중 선택되는 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 17항에 있어서,상기 인쇄반도체층의 형성은 스핀코팅, Spray, Inkjet, Flexography, Bar-Coating, Slot-die Coating, Screen, Dip-Coating, Gravure 중에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 17항에 있어서,상기 인쇄반도체층의 형성 후 반도체 결정성 및 안정성 등의 소자 성능을 향상시키기 위해 열처리나 광학적 노출(exposure)을 수행하는 단계가 추가되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 21항에 있어서,상기 일렉트릿층은 Poly(α-methylstyrene), Polystyrene (PS), TeflonTM AF, Poly(2-vinlynaphthalene) (PVN), Poly(4-vinylpyridine)(P4VPyr) 에서 선택되는 고분자 잉크를 사용하여 잉크젯 프린팅이나 금속 쉐도우 마스크를 이용한 Spray 프린팅, Gravure, Screen, Flexography 에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 25항에 있어서,상기 게이트 절연층은 P(VDF-TrFE), Poly(methyl methacrylate) (PMMA), Poly(4-vinylphenol) (PVP), Poly(4-vinylpyridine) (PVPyr)에서 선택되는 잉크를 사용하여 잉크젯 프린팅이나 금속 쉐도우 마스크를 이용한 Spray 프린팅, Gravure, Screen, Flexography에서 선택되는 방법을 통해 수행되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 25항에 있어서,상기 게이트 절연층은 저전압 트랜지스터 구동 및 빠른 메모리 스위칭 소자 구현을 위해 저유전율/고유전율 이중게이트 절연층 구조로 도포하는 단계가 추가된 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 32항에 있어서,상기 고 유전율 게이트 절연층에 사용되는 소재는 P(VDF-TrFE)와 같은 고 유전상수 고분자 절연체 또는 졸-젤 방법으로 형성 가능한 ZrOx나 Al2O3와 같은 금속산화물 절연체인 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 32항 또는 제 33항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 고 유전율 게이트 절연층은 스핀코팅, Dipping, Spray, Flexography, Gravure, Screen 프린팅 중 선택되는 방법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 32항에 있어서,상기 고 유전율 게이트 절연층에 사용되는 용매는 Orthogonal 용매인 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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제 35항에 있어서,상기 Orthogonal 용매는 Acetonitrile 또는 NMP 인 것을 특징으로 한 NAND 플래시 유기메모리를 제조하는 방법
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