1 |
1
확산 흐름을 이용한 이산화탄소의 농도 측정센서에 있어서,측정 유체를 공급하는 기판의 상측에 중공 형태로 형성된 나노포어;상기 나노포어의 양단으로부터 단차지게 형성되고, 상기 나노포어 보다 직경이 큰 제 1 마이크로포어; 및상기 제 1 마이크로포어의 양단으로부터 단차지게 형성되고, 상기 제 1 마이크로포어 보다 직경이 큰 제 2 마이크로포어;를 포함하고,상기 기판의 하측에는 기준 유체를 공급하며,상기 기준 유체는 상기 측정 유체보다 낮은 이온 농도를 함유하는 것을 특징으로 하는 이산화탄소의 농도 측정센서
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 기판은 소자층, SiO2 매립층 및 P형 핸들 웨이퍼로 이루어지는 SOI(Silicon-On-Insulator) 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 이산화탄소의 농도 측정센서
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 측정 유체의 이온 입자와 이산화탄소가 상기 나노포어를 통해 상기 제 2 마이크로포어로 이동되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소의 농도 측정센서
|
5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 측정 유체의 이온 입자는 상기 나노포어와 상기 제 1 마이크로포어 및 제 2 마이크로포어의 농도 기울기(concentration gradient)를 통한 확산 흐름으로 이동되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소의 농도 측정센서
|
6 |
6
확산 흐름을 이용한 이산화탄소의 농도 측정센서의 제조방법에 있어서,기판의 상측에 중공 형태의 나노포어(nanopore)를 형성하는 제 1 단계;상기 기판의 하측에 상기 나노포어의 중심과 일치하는 지점에서 중공 형태의 제 2 마이크로포어(micropore)를 형성하는 제 2 단계; 및상기 나노포어와 상기 제 2 마이크로포어 사이에 제 1 마이크로포어를 형성하는 제 3 단계;를 포함하고,상기 제 1 마이크로포어는 상기 나노포어의 양단으로부터 단차지게 형성되어 상기 나노포어 보다 직경이 크고, 상기 제 2 마이크로포어는 상기 제 1 마이크로포어의 양단으로부터 단차지게 형성되어 상기 제 1 마이크로포어 보다 직경이 크며,상기 기판의 상측에는 측정 유체가 공급되고, 상기 기판의 하측에는 상기 측정 유체보다 낮은 이온 농도를 함유하는 기준 유체가 공급되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소의 농도 측정센서의 제조방법
|
7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 제 1 단계에서, 상기 나노포어는 반응성 이온 에칭(Reactive Ion Etching)법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소의 농도 측정센서의 제조방법
|
8 |
8
제 6 항에 있어서,상기 제 2 단계에서, 상기 제 2 마이크로포어는 DRIE(Deep Reactive Ion Etching)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소의 농도 측정센서의 제조방법
|
9 |
9
제 6 항에 있어서,상기 제 3 단계에서, 상기 제 1 마이크로포어는 열 산화 공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 이산화탄소의 농도 측정센서의 제조방법
|
10 |
10
삭제
|
11 |
11
제 6 항에 있어서,상기 측정 유체의 이온 입자는 상기 나노포어를 통해 상기 제 2 마이크로포어로 이동되고,상기 측정 유체의 이온 입자의 이동은 상기 나노포어와 상기 제 1 마이크로포어 및 제 2 마이크로포어의 농도 기울기(concentration gradient)를 통한 확산 흐름으로 수행되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소의 농도 측정센서의 제조방법
|
12 |
12
삭제
|