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1
제1 전극;
상기 제1 전극 상에 형성된 유기물층;
상기 유기물층에 존재하는 금속산화물 나노입자층; 및
제2 전극;
을 포함하는 유기메모리 소자
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2
제1항에 있어서,
상기 유기물층은 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene) 계열의 고분자 유도체, 폴리플루오렌(polyfluorene) 계열의 고분자 유도체, 카바졸 단위를 포함하는 고분자 유도체, 티오펜(thiophene) 단위를 포함하는 고분자 유도체, 옥사디아졸(oxadiazole) 단위를 포함하는 고분자유도체, N,N'-다이페닐-N,N'-비스-[4-(페닐-m-톨릴아미노)-페닐]-바이페닐-4,4'-다이아민, N, N'-다이(1-나프틸)-N,N'-다이페닐벤지딘, 4,4',4"-트리스(N-카바졸릴)트리페닐아민, (4,4'-N,N'-다이카바졸)바이페닐, 2,9-다이메틸-4,7-다이페닐-1,10-페난쓰롤린, 1,3,5-트리스(N-페닐벤지미다졸-2-일)벤젠, 트리스(8-하이드록시퀴놀린) 알루미늄, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 알루미늄, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 알루미늄, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 알루미늄, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 알루미늄), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(파라-페닐-페놀라토) 알루미늄, 비스(2-(2-하이드록시페닐)퀴놀라토) 알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀린) 아연, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 아연, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 아연, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 아연, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 아연), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(파라-페닐-페놀라토) 아연, 비스(2-(2-하이드록시페닐)퀴놀라토) 아연, 트리스(8-하이드록시퀴놀린) 베릴륨, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 베릴륨, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 베릴륨, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 베릴륨, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 베릴륨), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(파라-페닐-페놀라토) 베릴륨, 비스(2-(2-하이드록시페닐)퀴놀라토) 베릴륨, 트리스(8-하이드록시퀴놀린) 갈륨, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 갈륨, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 갈륨, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 갈륨, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 갈륨), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(파라-페닐-페놀라토) 갈륨, 비스(2-(2-하이드록시페닐)퀴놀라토) 갈륨 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 유기 메모리 소자
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3
제1항에 있어서,
상기 금속산화물 나노입자는 오산화바나듐(V2O5), 산화몰리브덴(MoO3), 삼산화텅스텐(WO3), 산화니켈(NiO), 산화아연(zinc oxide), 인디움틴산화물(indium tin oxide), 세슘산화물(cesium oxide), 산화주석(tin oxide), 인디움산화물(indium oxide), 산화네오디뮴 (neodymium oxide), 이테르븀 옥사이드 (ytterbium oxide), 산화이트륨 (yttrium oxide), 산화구리(copper oxide), 산화지르코늄 (zirconium oxide) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나로 형성되는 유기메모리 소자
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4
제1항에 있어서,
상기 금속산화물 나노입자층은 상기 유기물층 내부에 존재하는 유기 메모리 소자
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5
제1항에 있어서,
상기 금속산화물 나노입자층은 상기 유기물층과 상기 전극의 사이에 존재하는 유기 메모리 소자
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6
제1항에 있어서,
상기 금속산화물 나노입자의 사이즈가 1nm 내지 500 nm인 유기메모리 소자
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7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속산화물 나노입자층의 두께가 0
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8
제1 전극;
상기 제1 전극 상에 형성되고, 금속산화물 나노입자가 유기물에 분산되어 형성된 금속산화물 나노입자 유기물 혼합층; 및
제2 전극;
을 포함하는 유기메모리 소자
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9
제8항에 있어서,
상기 금속산화물 나노입자는 오산화바나듐(V2O5), 산화몰리브덴(MoO3), 삼산화텅스텐(WO3), 산화니켈(NiO), 산화아연(zinc oxide), 인디움틴산화물(indium tin oxide), 세슘산화물(cesium oxide), 산화주석(tin oxide), 인디움산화물(indium oxide), 산화네오디뮴 (neodymium oxide), 이테르븀 옥사이드 (ytterbium oxide), 산화이트륨 (yttrium oxide), 산화구리(copper oxide), 산화지르코늄 (zirconium oxide) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나로 형성되는 유기메모리 소자
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10
제8항에 있어서,
상기 유기물층은 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene) 계열의 고분자 유도체, 폴리플루오렌(polyfluorene) 계열의 고분자 유도체, 카바졸 단위를 포함하는 고분자 유도체, 티오펜(thiophene) 단위를 포함하는 고분자 유도체, 옥사디아졸(oxadiazole) 단위를 포함하는 고분자유도체, N,N'-다이페닐-N,N'-비스-[4-(페닐-m-톨릴아미노)-페닐]-바이페닐-4,4'-다이아민, N, N'-다이(1-나프틸)-N,N'-다이페닐벤지딘, 4,4',4"-트리스(N-카바졸릴)트리페닐아민, (4,4'-N,N'-다이카바졸)바이페닐, 2,9-다이메틸-4,7-다이페닐-1,10-페난쓰롤린, 1,3,5-트리스(N-페닐벤지미다졸-2-일)벤젠, 트리스(8-하이드록시퀴놀린) 알루미늄, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 알루미늄, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 알루미늄, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 알루미늄, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 알루미늄), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(파라-페닐-페놀라토) 알루미늄, 비스(2-(2-하이드록시페닐)퀴놀라토) 알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀린) 아연, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 아연, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 아연, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 아연, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 아연), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(파라-페닐-페놀라토) 아연, 비스(2-(2-하이드록시페닐)퀴놀라토) 아연, 트리스(8-하이드록시퀴놀린) 베릴륨, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 베릴륨, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 베릴륨, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 베릴륨, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 베릴륨), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(파라-페닐-페놀라토) 베릴륨, 비스(2-(2-하이드록시페닐)퀴놀라토) 베릴륨, 트리스(8-하이드록시퀴놀린) 갈륨, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 갈륨, 비스(8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 갈륨, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)비페녹시 갈륨, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀라토)페녹시 갈륨), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(파라-페닐-페놀라토) 갈륨, 비스(2-(2-하이드록시페닐)퀴놀라토) 갈륨 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 유기 메모리 소자
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11
제8항에 있어서,
상기 금속산화물 나노입자 유기물 혼합층과 상기 전극 사이에 유기물층을 더 포함하는 유기 메모리 소자
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12
제8항에 있어서,
상기 금속산화물 나노입자 유기물 혼합층과 상기 제1전극 사이에 제1 유기물층; 및 상기 금속산화물 유기물 혼합층과 상기 제2전극 사이에 제2 유기물층을 더 포함하는 유기 메모리 소자
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13
제8항에 있어서,
상기 금속산화물 나노입자의 사이즈가 1nm 내지 500nm인 유기메모리 소자
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14
제8항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속산화물 나노입자의 농도가 상기 금속산화물 나노입자 유기물 혼합층의 총중량에 대하여 0
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