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1
제1 전극,
상기 제1 전극 위에 위치하는 제1 유기층,
상기 제1 유기층 위에 위치하는 연결층,
상기 연결층 위에 위치하는 제2 유기층 그리고
상기 제2 유기층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 연결층은 상기 제1 유기층과 상기 제2 유기층을 전기적으로 연결하고, 광전 변환 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치
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2
제1항에서,
상기 연결층은 P 타입과 N 타입의 유기 반도체로 이루어지고, 빛을 받아 전류를 생성하는 유기 발광 표시 장치
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3
제2항에서,
상기 연결층은 상기 제1 유기층 위에 위치하는 P 타입의 유기 반도체와 상기 P 타입의 유기 반도체 위에 위치하는 N 타입의 유기 반도체를 포함하고, 상기 P형 유기 반도체와 상기 N형 유기 반도체가 P-N접합을 형성하는 유기 발광 표시 장치
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4
제2항에서,
상기 연결층은 상기 P 타입의 유기 반도체와 상기 N 타입의 유기 반도체를 공증착(Co-deposition)하여 하나의 층으로 형성하는 유기 발광 표시 장치
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5
제2항에서,
상기 P 타입의 유기 반도체는 펜타신(Pentacene), CuPc, P3HT, ZnPc 및 폴리페닐렌비닐렌(PPV) 중의 어느 하나인 유기 발광 표시 장치
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6
제2항에서,
상기 N 타입의 유기 반도체는 F16-CuPc, 플러렌(C60) 및 PCBM 중의 어느 하나인 유기 발광 표시 장치
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7
제1항에서,
상기 제1 유기층과 상기 제2 유기층은
상기 제1 전극 위에 위치하는 정공 주입층 및 정공 수송층,
상기 정공 수송층 위에 위치하는 발광층 그리고
상기 발광층 위에 위치하는 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하는 유기 발광 표시 장치
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8
제7항에서,
상기 발광층은 진공 증착법에 의해 형성된 저분자 물질로 이루어진 유기 발광 표시 장치
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9
제7항에서,
상기 발광층은 용액 공정 또는 건식 공정에 의해 형성된 고분자/저분자 혼합물질로 이루어진 유기 발광 표시 장치
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10
제1 전극,
상기 제1 전극 위에 위치하고, N개의 발광 단위 및 N-1개의 연결층을 포함하는 발광부 그리고
상기 발광부 위에 위치하는 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 N개의 발광 단위와 상기 N-1개의 연결층이 교대로 적층되어 있으며 상기 제1 전극 상면에 제1 발광 단위가 위치하고, 상기 제2 전극 하면에 제N 발광 단위가 위치하며, 상기 N-1개의 연결층 중 적어도 하나는 광전 변환 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치
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11
제10항에서,
상기 복수개의 연결층 중 적어도 하나는 P 타입과 N 타입의 유기 반도체로 이루어지고, 빛을 받아 전류를 생성하는 유기 발광 표시 장치
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12
제11항에서,
상기 P 타입의 유기 반도체는 펜타신(Pentacene), CuPc, P3HT, ZnPc 및 폴리페닐렌비닐렌(PPV) 중의 어느 하나인 유기 발광 표시 장치
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13
제11항에서,
상기 N 타입의 유기 반도체는 F16-CuPc, 플러렌(C60) 및 PCBM 중의 어느 하나인 유기 발광 표시 장치
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14
제1 전극,
상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극,
상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 제1 유기층 및 제2 유기층,
상기 제1 유기층과 상기 제2 유기층 사이에 위치하며, 전자 도너(donor) 및 전자 억셉터(acceptor)를 포함하는 연결층을 포함하는 유기 발광 소자
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15
제14항에서,
상기 연결층은 P 타입과 N 타입의 유기 반도체로 이루어지고, 빛을 받아 전류를 생성하는 유기 발광 소자
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16
제15항에서,
상기 P 타입의 유기 반도체는 펜타신(Pentacene), CuPc, P3HT, ZnPc 및 폴리페닐렌비닐렌(PPV) 중의 어느 하나인 유기 발광 소자
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17
제16항에서,
상기 N 타입의 유기 반도체는 F16-CuPc, 플러렌(C60) 및 PCBM 중의 어느 하나인 유기 발광 소자
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