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결맞음 엑스선 발생 엑스선 타겟과 제조방법

  • 기술번호 : KST2015196979
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 결맞음성이 우수하고 높은 휘도를 갖는 경엑스선을 발생시킬 수 있는 소자로 엑스선 도파로와 엑스선 타겟을 결합한 형태를 갖는다. 엑스선 타겟에서 발생된 엑스선은 엑스선 도파로를 전파해가며 동일한 위상을 가진 엑스선만이 전파해 갈 수 있는 조건을 가지도록 제조된 엑스선 도파로를 전파해감으로써 높은 결맞음성을 갖는 엑스선 빔이 발생한다.결맞음 엑스선광원, 엑스선 도파로, 경엑스선
Int. CL H01J 35/00 (2006.01) H05G 1/00 (2006.01)
CPC H05G 1/02(2013.01) H05G 1/02(2013.01) H05G 1/02(2013.01) H05G 1/02(2013.01) H05G 1/02(2013.01) H05G 1/02(2013.01) H05G 1/02(2013.01) H05G 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020090018933 (2009.03.05)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1161230-0000 (2012.06.25)
공개번호/일자 10-2010-0100190 (2010.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20120709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.05)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재호 대한민국 충청남도 천안시 동남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 경기 용인시 수지구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0136116-12
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0492967-59
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0747062-12
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0838814-52
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0059580-92
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0059579-45
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0416253-43
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0747733-85
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.26 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2011-0747732-39
10 보정요구서
Request for Amendment
2011.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0088559-05
11 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2011.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0748855-14
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5047629-25
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0192304-20
14 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2012.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0192305-76
15 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.04.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-0019558-90
16 등록결정서
Decision to grant
2012.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0357582-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
엑스선 도파로와 엑스선 타겟이 일체형인 엑스선 발생 소자의 제조 방법에 있어서,(a) 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;(b) 광마스크를 사용하는 증착방법을 적용하여, 상기 버퍼층 상에 도파로용 코어층 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 도파로용 코어층 패턴 상에 클래딩층을 형성함으로써, 상기 버퍼층 및 상기 클래딩층이 상기 도파로용 코어층 패턴을 둘러싸는 적층 구조물을 형성하는 단계;(d) 상기 적층 구조물을 절단하여 단면 및 길이를 가지는 도파로 구조물을 형성하되, 상기 절단 단면이 상기 도파로용 코어층 패턴, 상기 도파로용 코어층 패턴을 둘러싸는 상기 버퍼층 및 상기 클래딩층의 단면을 포함하도록 구성하는 단계; (e) 상기 도파로 구조물의 상기 절단 단면 중 일 단면 상에 엑스선 창용 베릴륨 박막층을 형성하는 단계; 및(f) 상기 베릴륨 박막층 상에 투과형 엑스선 타겟인 구리층을 형성하는 단계를 포함하는엑스선 도파로와 엑스선 타겟이 일체형인 엑스선 발생 소자의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 코어 재료 물질은 베릴륨을 증착하여 이루어지는, 엑스선 도파로와 엑스선 타겟이 일체형인 엑스선 발생 소자의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 버퍼층 및 상기 도파로 클래딩층은 텅스텐을 증착하여 이루어지는, 엑스선 도파로와 엑스선 타겟이 일체형인 엑스선 발생 소자의 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 투과형 엑스선 타겟인 구리층에서 발생한 엑스선은 상기 도파로용 코어층을 통하여 상기 도파로 구조물의 상기 절단 단면 중 다른 단면 방향으로 도파하는, 엑스선 도파로와 엑스선 타겟이 일체형인 엑스선 발생 소자의 제조 방법
5 5
엑스선 도파로와 엑스선 타겟이 일체형인 엑스선 발생 소자에 있어서,도파로 구조물; 상기 도파로 구조물의 일 단면 상에 배치되는 엑스선 창용 베릴륨 박막층; 및상기 베릴륨 박막층 상에 배치되는 투과형 엑스선 타겟인 구리층을 포함하되,상기 도파로 구조물은기판 상에 배치되는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 배치되는 도파로용 코어층 패턴; 및상기 도파로용 코어층 패턴 상에 배치되는 클래딩층을 포함하고,상기 도파로 구조물의 상기 일 단면은 상기 도파로용 코어층 패턴, 상기 도파로용 코어층 패턴을 둘러싸는 상기 버퍼층 및 상기 클래딩층의 단면을 포함하는 엑스선 도파로와 엑스선 타겟이 일체형인 엑스선 발생 소자
6 6
제5 항에 있어서,상기 도파로 코어는 베릴륨을 증착하여 이루어지는, 엑스선 도파로와 엑스선 타겟이 일체형인 엑스선 발생 소자
7 7
제5 항에 있어서,상기 버퍼층 및 상기 도파로 클래딩층은 텅스텐을 증착하여 이루어지는, 엑스선 도파로와 엑스선 타겟이 일체형인 엑스선 발생 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.