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결맞음 엑스선 발생 엑스선 타깃과 제조방법

  • 기술번호 : KST2015196986
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 결맞음성이 우수하고 높은 휘도를 갖는 경엑스선을 발생시킬 수 있는 X-선 발생소자에 관한 것으로 엑스선 격자와 엑스선 타깃을 결합한 형태를 갖는다. 엑스선 타깃에서 발생된 엑스선은 엑스선 격자를 전파해가면 격자에 의한 회절, 간섭에 의해 동일한 위상을 가진 엑스선을 집속할 수 있는 조건을 갖도록 엑스선 격자와 타깃이 결합된 광원을 제조하여 높은 결맞음성을 갖는 엑스선 빔이 발생한다. 결맞음엑스선광원, 엑스선 격자, 어레이X-선광원, 회절, 굴절
Int. CL H05G 1/00 (2006.01) H05G 1/52 (2006.01)
CPC H05G 1/02(2013.01) H05G 1/02(2013.01) H05G 1/02(2013.01) H05G 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020090039523 (2009.05.07)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1144748-0000 (2012.05.03)
공개번호/일자 10-2010-0120733 (2010.11.17) 문서열기
공고번호/일자 (20120524) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.07)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재호 대한민국 충청남도 천안시 동남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 경기 용인시 수지구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0272942-54
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0541315-40
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0859309-43
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0059568-43
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0059567-08
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0416254-99
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0747748-69
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0747745-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5047629-25
10 등록결정서
Decision to grant
2012.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0192306-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;(b) 상기 버퍼층 상에 엑스선 반사층을 증착하는 단계;(c) 상기 엑스선 반사층 상에 엑스선 투과층을 증착하는 단계;(d) 상기 (c)단계에서 증착된 상기 엑스선 투과층 상에 엑스선 반사층과 엑스선 투과층을 주기적으로 적층하여 엑스선 회절격자를 형성하는 단계;(e) 상기 엑스선 회절격자의 상기 주기적으로 적층된 표면에 폴리머를 도포하여 고체화시켜 폴리머층을 형성하는 단계; 및(f) 상기 (a) 내지 (e) 단계에서 적층되어 형성된 구조물을 절단한 후 측면을 폴리싱하고 세척한 후, 절단 후 폴리싱된 측면 상에 투과형 엑스선 타깃인 구리층을 형성하는 단계를 포함하는엑스선 격자와 엑스선 타깃을 일체형으로 구비하는 엑스선 발생 소자의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 엑스선 반사층은 백금 또는 텅스텐을 포함하여 이루어지는, 엑스선 격자와 엑스선 타깃을 일체형으로 구비하는 엑스선 발생 소자의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 엑스선 투과층은 베릴륨을 포함하여 이루어지는, 엑스선 격자와 엑스선 타깃을 일체형으로 구비하는 엑스선 발생 소자의 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 엑스선 반사층 및 상기 엑스선 투과층은 200nm의 두께를 가지는, 엑스선 격자와 엑스선 타깃을 일체형으로 구비하는 엑스선 발생 소자의 제조 방법
5 5
격자 구조물; 및 상기 격자 구조물의 일 단면 상에 배치되는 투과형 엑스선 타깃인 구리층을 포함하되,상기 격자 구조물은,기판 상에 배치되는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 엑스선 반사층과 엑스선 투과층을 주기적으로 적층하여 형성되는 엑스선 회절격자; 및상기 엑스선 회절격자의 상기 엑스선 반사층 및 상기 엑스선 투과층이 적층된 표면에 도포 후 고체화되어 형성되는 폴리머층을 구비하고,상기 격자 구조물의 상기 일 단면은 적층된 상기 버퍼층, 상기 엑스선 회절격자, 및 상기 폴리머층을 절단한 후 절단된 측면을 폴리싱하고 세척하여 형성되는,엑스선 격자와 엑스선 타깃을 일체형으로 구비하는 엑스선 발생 소자
6 6
제5 항에 있어서,상기 격자 구조물의 상기 엑스선 반사층 및 상기 엑스선 투과층은 상기 투과형 엑스선 타깃인 구리층에서 발생한 엑스선을 회절시키는 기능을 수행하는, 엑스선 격자와 엑스선 타깃을 일체형으로 구비하는 엑스선 발생 소자
7 7
제5 항에 있어서,상기 격자 구조물의 상기 엑스선 반사층 및 상기 엑스선 투과층은 상기 투과형 엑스선 타깃인 구리층에서 발생한 엑스선을 회절현상에 의해 동일위상을 갖는 엑스선 광을 발생시키는 기능을 수행하는, 엑스선 격자와 엑스선 타깃을 일체형으로 구비하는 엑스선 발생 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.