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전극, 2 이상의 유기전자소자 유닛, 및 유기전자소자 유닛 사이의 연결층을 포함하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법에 있어서,상기 탠덤형 유기전자소자의 제조방법은하부 유기전자소자 유닛을 형성하는 단계;하부 유기전자소자 유닛 상에 연결층을 형성하는 단계; 및스탬프 전사법, 열 전사법, 및 레이저 전사법으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 전사법을 이용하여 연결층 상에 상부 유기전자소자 유닛의 유기막층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 전사법을 이용하여 연결층 상에 상부 유기전자소자 유닛의 유기막층을 형성하는 단계는 기지재에 유기물을 코팅하여 유기막 층을 형성하는 단계; 및기지재에 코팅된 유기막 층을 기지재로부터 분리하여 연결층상에 전사하는 단계;를포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 전사법은 스탬프 전사법인 것을 특징으로 하는 유기전자소자의 제조방법
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제2항 또는 제3항에 있어서, 유기물은 용액공정이 가능한 물질인 것을 특징으로 하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법
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제4항에 있어서, 용액공정이 가능한 물질은 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene) 및 그 유도체; 폴리플루오렌(polyfluorene) 및 그 유도체; 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole) 및 그 유도체; 폴리티오펜(polythiophene) 및 그 유도체; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 연결층은 금속, 금속합금, 및 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하고 단층 또는 복수층인 것을 특징으로 하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 금속은 나트륨, 칼륨, 칼슘, 마그네슘, 인듐, 금, 은, 백금, 구리 및 알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 연결층은 단층 또는 복수층의 전하공급층인 것을 특징으로 하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 전하공급층은 비저항이 1
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제8항에 있어서, 전하공급층은 두께가 2 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 전하공급층은 p형층과 n형층을 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법
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제11항에 있어서, p형층은 p도핑 유기막층; p도핑 유기막층의 도핑물질로 구성되는 금속산화물층; 금속할라이드층; 및 p형 유기재료층; 중에서 선택된 1종 이상이고 n형층은 n도핑 유기막층; n 도핑 유기막층의 도핑물질로 구성되는 금속, 알칼리금속, 알칼리토금속, 및 희토류금속 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 금속층; 상기 금속의 금속이온화합물층; 유기금속화합물층; 및 n형 유기재료층; 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법
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제12항에 있어서, p형층은 p도핑 유기막층이고 n형층은 n도핑 유기막층인 것을 특징으로 하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 기지재는 실리콘 웨이퍼, 금속 코팅 기판, 유리, 및 플라스틱 필름으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 전사는 0 내지 200℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 유기전자소자 유닛은 유기발광소자, 유기메모리소자, 및 유기태양전지소자로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로서 전극을 제외한 것임을 특징으로 하는 탠덤형 유기전자소자의 제조방법
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제1항 또는 제2항의 제조방법에 따라 제조된 탠덤형 유기전자소자
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