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기판 상에 형성되는 산화물 반도체 박막 또는 산화물 전도체 박막을 준비하는 과정;상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막에 대하여 수소 이온을 조사하는 과정을 포함하고,상기 수소 이온의 조사 과정은 상기 조사된 수소 이온이 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막을 투과하는 이온 가속기의 에너지 영역에서 이루어지며,상기 수소 이온의 조사 과정을 통하여, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막 내의 운반자 농도 변화보다 상대적으로 큰 상기 운반자의 이동도의 변화를 발생시키는 박막의 물성을 변화시키는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 수소 이온의 조사 과정은 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막에 대한 결정성의 변화를 수반하지 않고, 상기 수소 이온이 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막을 투과하도록 수행하는 박막의 물성을 변화시키는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 수소 이온의 조사 과정은 상기 수소 이온이 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막의 두께 전체를 투과할 수 있는 상기 이온 가속기의 에너지 범위 내에서 수행하는박막의 물성을 변화시키는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 수소 이온의 조사 과정은 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막 내의 상기 운반자 농도의 변화없이, 상기 운반자의 이동도 변화를 발생시키는 박막의 물성을 변화시키는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막은 아연, 타이타늄, 하프늄, 인듐, 갈륨 및 주석으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 박막의 물성을 변화시키는 방법
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제5 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막은 원자층 증착법, 플스 레이저 증착법, 스퍼터링법, 프린팅법 및 졸-겔법으로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 증착되는 박막의 물성을 변화시키는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막은 산화타이타늄을 포함하며, 상기 수소 이온의 조사 과정은 상기 산화타이타늄의 운반자의 이동도를 감소시키는 박막의 물성을 변화시키는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막은 산화아연을 포함하며, 상기 수소 이온의 조사 과정은 상기 산화아연의 운반자의 이동도를 증가시키는 박막의 물성을 변화시키는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 수소 이온의 조사 과정은 상온에서 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막에 대하여 수행되는 박막의 물성을 변화시키는 방법
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