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기판;상기 기판 상에 형성된 반도체층;상기 반도체층 상의 일부에 형성되어, 검출 대상 가스와 반응함으로써 상기 반도체층의 전하량을 변화시키는 금속 나노네트워크층;상기 금속 나노네트워크층이 형성된 부분을 제외한 상기 반도체층 상의 나머지 부분 상에 상기 금속 나노네트워크층과 이격되어 형성되는 제1 전극; 및상기 금속 나노네트워크층의 일부와 접촉되도록 상기 금속 나노네트워크층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하고,상기 금속 나노네트워크층은 나노와이어 또는 나노로드들이 집합체를 이루어 서로 연결된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제1항에 있어서, 상기 반도체층은 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 계열의 화합물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제1항에 있어서, 상기 반도체층은 상기 기판 상에 순차적층된 제1 반도체층 및 제2 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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4
제3항에 있어서, 상기 제1 반도체층은 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 계열의 화합물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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5
제3항에 있어서, 상기 제2 반도체층은 상기 제1 반도체층보다 밴드갭이 더 큰 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 계열의 화합물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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6
삭제
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제1항에 있어서, 상기 금속 나노네트워크층은 Pt, Pd, Au, Ag, Ti, Ni, Rh, Cr, Al, Cu, Sn, Mo, Ru 및 In로 구성되는 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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8
제1항에 있어서, 상기 반도체층과 상기 금속 나노네트워크층 사이에 개재되는 금속박막층을 더 포함하고, 상기 금속박막층은 상기 반도체층 상에서 상기 제1 전극과 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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9
제8항에 있어서, 상기 금속박막층은 Pt, Pd, Au, Ag, Ti, Ni, Rh, Cr, Al, Cu, Sn, Mo, Ru 및 In로 구성되는 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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10
기판;상기 기판 상에 형성된 반도체층;상기 반도체층 상의 일부에 서로 이격되어 형성된 제1 전극 및 제2 전극; 및상기 반도체층 상에 형성되고, 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에서 상기 제1 전극 및 제2 전극과 이격배치되어, 검출 대상 가스와 반응함으로써 상기 반도체층의 전하량을 변화시키는 금속 나노네트워크층을 포함하고,상기 금속 나노네트워크층은 나노와이어 또는 나노로드들이 집합체를 이루어 서로 연결된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제10항에 있어서, 상기 반도체층은 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 계열의 화합물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제10항에 있어서, 상기 반도체층은 상기 기판 상에 순차적층된 제1 반도체층 및 제2 반도체층을 포함하고,상기 제1 반도체층은 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 계열의 화합물 반도체로 구성되고, 상기 제2 반도체층은 상기 제1 반도체층보다 밴드갭이 더 큰 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 계열의 화합물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제10항에 있어서, 상기 금속 나노네트워크층은 Pt, Pd, Au, Ag, Ti, Ni, Rh, Cr, Al, Cu, Sn, Mo, Ru 및 In로 구성되는 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제10항에 있어서, 상기 반도체층과 상기 금속 나노네트워크층 사이에 개재되고, 상기 제1 전극 및 제2 전극과 이격되어 형성되는 금속박막층을 더 포함하고,상기 금속박막층은 Pt, Pd, Au, Ag, Ti, Ni, Rh, Cr, Al, Cu, Sn, Mo, Ru 및 In로 구성되는 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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