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복수의 발광 다이오드 그룹들;상기 발광 다이오드 그룹들로 입력되는 입력 전압의 크기에 기초하여 상기 발광 다이오드 그룹들의 연결을 전환하는 변경하는 제어부; 및상기 입력 전압에 기초하여 상기 발광 다이오드 그룹들에 흐르는 전류의 크기를 결정하는 전압-전류 변환기를 포함하며, 상기 제어부는 상기 입력 전압의 크기를 검출하고, 상기 입력 전압의 크기에 기초하여 제어 신호를 생성하는 전압 검출기; 및스위치를 포함하며, 상기 제어 신호에 따라 스위칭을 수행하여 상기 발광 다이오드 그룹들의 연결 상태를 변경하는 절환기를 포함하고,상기 절환기는일단이 상기 입력 전압을 공급하는 전압원과 연결되고, 타단이 상기 발광 다이오드 그룹들과 연결되는 상측 절환기; 및일단이 상기 발광 다이오드 그룹들과 연결되고, 타단이 상기 전압-전류 변환기와 연결되는 하측 절환기를 포함하는 발광 다이오드 구동 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 전압 검출기는상기 입력 전압의 크기가 증가하면 상기 발광 다이오드 그룹들 중 직렬로 연결되는 그룹의 개수를 증가시키고, 상기 입력 전압의 크기가 감소하면 상기 발광 다이오드 그룹들 중 직렬로 연결되는 그룹의 개수를 감소시키는 발광 다이오드 구동 회로
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제 1 항에 있어서,상기 발광 다이오드 그룹들이 n 개이고, 하나의 발광 다이오드 그룹에 의한 전압 강하가 VLED,G1이면,상기 전압 검출기는 상기 발광 다이오드 그룹들에 의한 전압 강하가 VLED,G1이상 n× VLED,G1이하가 되도록 상기 발광 다이오드 그룹들의 직병렬 연결 상태를 변경시키는 상기 제어 신호를 생성하는 발광 다이오드 구동 회로
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제 4 항에 있어서, 상기 전압 검출기는상기 입력 전압을 분배하는 전압 분배 저항들;미리 결정된 기준 전압과 상기 분배된 전압들을 비교하는 비교기들;상기 비교기의 비교 결과에 따라, 상기 입력 전압의 증감에 따른 상기 스위치의 온 오프를 결정하는 로직 블록을 포함하는 발광 다이오드 구동 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 발광 다이오드 그룹들은적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하는 발광 다이오드 구동 회로
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제 1 항에 있어서,상기 각 발광 다이오드 그룹이 다이오드에 의해 직렬로 접속되는 발광 다이오드 구동 회로
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제 1 항에 있어서,상기 각 발광 다이오드 그룹이 스위치에 의해 직렬로 접속되는 발광 다이오드 구동 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 전압-전류 변환기는저항을 포함하는 발광 다이오드 구동 회로
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제 1 항에 있어서,상기 전압-전류 변환기는 적어도 하나 이상인 발광 다이오드 구동 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 전압-전류 변환기는상기 입력 전압을 분배하는 전압 분배 저항들;상기 전압 분배 저항과 + 입력 단자를 통하여 접속된 증폭기; 및게이트 또는 베이스가 상기 증폭기의 출력 단자에 접속되고, 소오스 또는 에미터가 상기 증폭기의 - 입력 단자와 센싱 저항의 일단에 접속되는 트랜지스터를 포함하고,상기 센싱 저항의 타단이 상기 증폭기의 접지와 접속되어, 상기 입력 전압의 크기에 비례하는 전류를 상기 발광 다이오드 그룹들에 공급하는 발광 다이오드 구동 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 절환기는상기 제어 신호에 따라, 상기 발광 다이오드 그룹들을 직렬, 병렬 또는 직렬과 병렬의 조합으로 연결 상태를 변경하는 발광 다이오드 구동 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 상측 절환기는상기 전압원과 상기 발광 다이오드 그룹의 아노드 사이에 접속되며, 각 발광 다이오드 그룹의 아노드의 연결 상태를 변경하는 발광 다이오드 구동 회로
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제 14 항에 있어서, 상기 상측 절환기는상기 발광 다이오드 그룹의 아노드 탭 사이에 병렬로 접속되며, 상기 발광 다이오드 그룹을 병렬로 연결하는 적어도 하나의 스위치를 포함하는 발광 다이오드 구동 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 하측 절환기는상기 전압-전류 변환기와 상기 발광 다이오드 그룹의 캐소드 사이에 접속되며, 각 발광 다이오드 그룹의 캐소드의 연결 상태를 변경하는 발광 다이오드 구동 회로
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제 16 항에 있어서, 상기 하측 절환기는상기 발광 다이오드 그룹의 캐소드 탭 사이에 병렬로 접속되며, 상기 발광 다이오드 그룹을 병렬로 연결하는 적어도 하나의 스위치를 포함하는 발광 다이오드 구동 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 스위치는금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET), 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT), 접합형 트랜지스터(BJT), 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET), 샤이리스트(silicon controlled rectifier), 트라이악(Triac) 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드 구동 회로
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