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ＥＳＤ 보호소자

  • 기술번호 : KST2015197131
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시된 기술은 반도체 기판; 상기 반도체 기판상에 형성되는 N웰; 상기 반도체 기판상에 형성되며, 상기 N웰에 접하도록 형성되는 P웰; 상기 N웰 및 상기 P웰의 접합영역에 형성되는 N+플로팅 영역; 및 상기 P웰에 형성되는 P+플로팅 영역을 포함하는 ESD 보호소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 27/0259(2013.01) H01L 27/0259(2013.01)
출원번호/일자 1020110080686 (2011.08.12)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1258993-0000 (2013.04.23)
공개번호/일자 10-2013-0017939 (2013.02.20) 문서열기
공고번호/일자 (20130429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구용서 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 경기도 용인시 수지구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0626024-73
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5047629-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0048438-57
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0504534-00
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0821729-51
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0821724-23
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0067269-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 반도체 기판상에 형성되는 N웰;상기 반도체 기판상에 형성되며, 상기 N웰에 접하도록 형성되는 P웰;상기 N웰 및 상기 P웰의 접합영역에 형성되는 N+플로팅 영역; 및상기 P웰에 형성되는 P+플로팅 영역을 포함하며,상기 N+ 플로팅 영역과 상기 P + 플로팅 영역의 사이에는 상기 P 웰이 위치하는 ESD(Electro Static Discharge) 보호소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 N웰에 형성되며, 애노드에 연결되는 제1 N+영역 및 제1 P+영역; 및상기 P웰에 형성되며, 캐소드에 연결되는 제2 N+영역 및 제2 P+영역을 더 포함하는 ESD 보호소자
3 3
제 2항에 있어서,상기 P+플로팅 영역은 상기 제2 N+영역과 제2 P+영역 중 어느 한 영역 및 상기 N+플로팅 영역 사이에 형성되는 ESD 보호소자
4 4
제 3항에 있어서,상기 N+플로팅 영역, 상기 P+플로팅 영역 사이의 P웰 표면상에 배치되며, 상기 캐소드에 연결되는 게이트를 더 포함하는 ESD 보호소자
5 5
제 4항에 있어서,상기 게이트는 접지에 연결되는 ESD 보호소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서강대학교 대학 IT연구센터지원 차세대 융복합 시스템용 아날로그 IP핵심설계 기술 개발