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유기발광소자에 있어서,전자이동도가 정공이동도보다 큰 호스트 물질 및 상기 호스트 물질 내에 도핑되며 2
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제1 항에 있어서,상기 발광층의 상기 호스트 물질이 BSFM이며 상기 도펀트 물질이 Ir(ppy)3 일 때, 상기 발광층과 접하는 상기 정공제공층은 CBP 또는 TCTA 으로 이루어지며,상기 발광층의 상기 호스트 물질이 mCPPO1이며, 상기 도펀트 물질이 FIrpic 일 때, 상기 발광층과 접하는 상기 정공제공층은 mCP 또는 CBP로 이루어지고,상기 발광층의 상기 호스트 물질이 TPBI이며, 상기 도펀트 물질이 Ir(ppy)3 일 때, 상기 발광층과 접하는 상기 정공제공층은 mCP 또는 CBP으로 이루어지는 유기발광소자
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제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 발광층의 상기 일면의 반대쪽에 위치하는 다른 면에 접하며, 상기 발광층에 전자를 제공하는 전자제공층을 추가적으로 포함하는 유기발광소자
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제3 항에 있어서,상기 전자제공층은 상기 발광층의 상기 호스트 물질의 LUMO 에너지 준위와의 에너지 준위 차이가 0
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제3 항에 있어서,상기 전자제공층은 TSPO1으로 이루어지는 유기발광소자
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유기발광소자에 있어서,정공이동도가 전자이동도보다 큰 호스트 물질 및 상기 호스트 물질 내에 도핑되며 2
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7
제6 항에 있어서,상기 발광층의 상기 호스트 물질이 mCP이며 상기 도펀트 물질이 FIrpic 일 때, 상기 발광층과 접하는 상기 전자제공층은 TSPO1 으로 이루어지며,상기 발광층의 상기 호스트 물질이 TCTA이며, 상기 도펀트 물질이 Ir(ppy)3 일 때, 상기 발광층과 접하는 상기 전자제공층은 TSPO1 으로 이루어지는 유기발광소자
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8
제6 항 또는 제7 항에 있어서,상기 발광층의 상기 일면의 반대쪽에 위치하는 다른 면에 접하며, 상기 발광층에 전자를 제공하는 정공제공층을 추가적으로 포함하는 유기발광소자
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9
제8 항에 있어서,상기 정공제공층은 상기 발광층의 상기 호스트 물질의 HOMO 에너지 준위와의 에너지 준위 차이가 0
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10
제8 항에 있어서,상기 정공제공층은 mCP, CBP 및 TCTA의 그룹에서 선택되는 어느 하나로 이루어지는 유기발광소자
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유기발광소자의 제조방법에 있어서,(a) 호스트 물질에 대하여 도펀트 물질의 농도가 5% 이하에서 최적의 인광 특성을 가지며 상기 도펀트 물질의 삼중항 에너지가 2
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제11 항에 있어서,(c) 과정은상기 발광층의 상기 호스트 물질이 BSFM이며, 상기 도펀트 물질이 Ir(ppy)3 일 때, 상기 정공제공층은 CBP 또는 TCTA 으로 선택하는 유기발광소자의 제조방법
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제11 항에 있어서,(c) 과정은상기 발광층의 상기 호스트 물질이 mCPPO1이며, 상기 도펀트 물질이 FIrpic 일 때, 상기 정공제공층은 mCP 또는 CBP로 선택하는 유기발광소자의 제조방법
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제11 항에 있어서,(c) 과정은상기 발광층의 상기 호스트 물질이 TPBI이며, 상기 도펀트 물질이 Ir(ppy)3 일 때, 상기 정공제공층은 mCP 또는 CBP로 선택하는 유기발광소자의 제조방법
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제11 항에 있어서,(c) 과정에 의해 선택되는 상기 정공제공층이 형성되는 상기 발광층의 상기 일면의 반대쪽에 위치하는 상기 발광층의 다른 면에 전자제공층을 형성하는 과정을 추가적으로 포함하는 유기발광소자의 제조 방법
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제12 항에 있어서,상기 전자제공층은 TSPO1로 이루어지는 유기발광소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서,(e) 과정은 상기 발광층의 상기 호스트 물질이 mCP이며 상기 도펀트 물질이 FIrpic 일 때, 상기 전자제공층은 TSPO1으로 선택하며,상기 발광층의 상기 호스트 물질이 TCTA이며 상기 도펀트 물질이 Ir(ppy)3 일 때, 상기 전자제공층은 TSPO1 으로 선택하는 유기발광소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서,(e) 과정에 의해 선택되는 상기 전자제공층이 형성되는 상기 발광층의 상기 일면의 반대쪽에 위치하는 상기 발광층의 다른 면에 정공제공층을 형성하는 과정을 추가적으로 포함하는 유기발광소자의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 정공제공층은 mCP, CBP 및 TCTA의 그룹에서 선택되는 어느 하나로 이루어지는 유기발광소자의 제조 방법
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