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ＥＳＤ 보호소자

  • 기술번호 : KST2015197149
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시된 기술은 반도체 기판; 상기 반도체 기판상에 형성되는 N웰; 상기 반도체 기판상에 형성되며, 상기 N웰에 접하도록 형성된 P웰; 및 상기 N웰에 형성되는 N+플로팅 확산영역 또는 상기 P웰에 형성되는 P+플로팅 확산영역 중 적어도 어느 하나를 포함하는 ESD 보호소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 23/60 (2006.01) H01L 27/04 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110064286 (2011.06.30)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1281784-0000 (2013.06.27)
공개번호/일자 10-2013-0007197 (2013.01.18) 문서열기
공고번호/일자 (20130703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구용서 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 경기도 용인시 수지구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0500269-20
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5047629-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0038471-75
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0734810-80
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0065616-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0065608-47
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0439118-40
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ESD(Electro Static Discharge) 보호소자로,반도체 기판;상기 반도체 기판 내에 형성되는 N웰;상기 반도체 기판 내에 형성되며, 상기 N웰에 접하도록 형성된 P웰; 및상기 N웰에 형성되고, 상기 N웰의 도핑 농도에 비하여 높은 농도로 도핑되며, 전기적으로 플로팅(floating)인 N+플로팅 확산영역 또는 상기 P웰에 형성되고, 상기 P웰의 도핑 농도에 비하여 높은 농도로 도핑되고 전기적으로 플로팅인 P+플로팅 확산영역 중 적어도 어느 하나를 포함하며,상기 N+ 플로팅 확산 영역 또는 상기 P+ 플로팅 확산 영역의 길이를 조절하여 상기 ESD 보호소자의 홀딩 전압을 조절하는 ESD 보호소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 N웰에 형성되며, 상기 N웰의 도핑 농도에 비하여 높은 농도로 도핑되며, 애노드에 연결되는 N+ 영역 및 P웰의 도핑 농도에 비하여 높은 농도로 도핑되며, 애노드에 연결되는 P+ 영역; 및상기 P웰에 형성되며, N웰의 도핑 농도에 비하여 높은 농도로 도핑되며 캐소드에 연결되는 N+ 영역 및 상기 P웰의 도핑 농도에 비하여 높은 농도로 도핑되며 캐소드에 연결된 P+ 영역을 더 포함하는 ESD 보호소자
3 3
제 2항에 있어서,상기 N+플로팅 확산영역은 상기 애노드에 연결되는 N+ 및 P+ 영역 및 상기 N웰과 P웰의 접합영역 사이에 형성되는 ESD 보호소자
4 4
제 2항에 있어서,상기 P+플로팅 확산영역은 상기 캐소드에 연결되는 N+ 및 P+ 영역 및 상기 N웰과 P웰의 접합영역 사이에 형성되는 ESD 보호소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 단국대학교 산업원천기술 개발사업(정보통신) BLDC모터용 고전압/대전류 파워모듈 및 ESD기술개발
2 지식경제부 단국대학교 대학IT연구센터지원 차세대 융복합 시스템용 아날로그 IP핵심설계 기술 개발