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유기발광소자 및 유기발광소자의 전극 제조방법

  • 기술번호 : KST2015197152
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요약 본 발명은 유기발광소자 및 유기발광소자의 전극 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 유기발광소자 및 유기발광소자의 전극에 관한 것이다.일례로, 기판의 표면에 자기조립박막을 형성하는 자기조립박막 형성단계; 상기 자기조립박막이 형성된 상기 기판 상에 프린팅 공정을 이용하여 직선 또는 격자 패턴을 갖는 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극 형성단계; 상기 제 1 전극이 형성된 전극 상에 전도성 유기물질을 포함하는 제 1 보조전극을 형성하는 제 1 보조전극 형성단계; 상기 제 1 보조전극 상에 유기 발광층을 형성하는 유기 발광층 형성단계; 상기 유기 발광층 상에 제 2 보조전극을 형성하는 제 2 보조전극 형성단계; 및 상기 제 2 보조전극 상에 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법을 개시한다.
Int. CL H05B 33/26 (2006.01) H01L 51/54 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01)
출원번호/일자 1020110052154 (2011.05.31)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1277909-0000 (2013.06.17)
공개번호/일자 10-2012-0133493 (2012.12.11) 문서열기
공고번호/일자 (20130621) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.31)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 진병두 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 윤대건 대한민국 서울특별시 동작구
3 박재균 대한민국 인천광역시 남구
4 김석순 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 경기도 용인시 수지구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0409131-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5047629-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0029883-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0434783-86
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0737993-94
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0737992-48
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0025895-43
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0063276-35
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0063277-81
11 등록결정서
Decision to grant
2013.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0402453-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 표면에 자기조립박막을 형성하는 자기조립박막 형성단계;상기 자기조립박막이 형성된 상기 기판 상에 프린팅 공정을 이용하여 직선 또는 격자 패턴을 갖는 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극 형성단계;상기 제 1 전극이 형성된 상기 기판 상에 전도성 유기물질을 포함하는 제 1 보조전극을 형성하는 제 1 보조전극 형성단계;상기 제 1 보조전극 상에 유기 발광층을 형성하는 유기 발광층 형성단계;상기 유기 발광층 상에 제 2 보조전극을 형성하는 제 2 보조전극 형성단계; 및 상기 제 2 보조전극 상에 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 자기조립박막 형성단계는,상기 기판의 표면을 친수성 또는 소수성 표면으로 형성하여 상기 기판의 표면 에너지를 조절하는 유기발광소자의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 자기조립박막 형성단계는,상기 기판의 표면에 알킬실란계 자기조립박막을 형성하는 유기발광소자의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 형성단계는,잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅 및 그라비어 프린팅 공정을 이용하여 진행하는 유기발광소자의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 보조전극 형성단계에서,상기 전도성 유기물질은 PEDOT:PSS[Poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrenesulfonate] 계열의 물질을 포함하는 유기발광소자의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 유기 발광층 형성단계는,상기 제 1 보조전극 상에 정공 수송층을 형성하는 정공 수송층 형성단계;상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 발광층 형성단계; 및상기 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 전자 수송층 형성단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 정공 수송층 형성단계는,N,N'-Bis(naphthalene-1yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine[NPB], N1,N1'-(biphenyl-4,4'-diyl)bis(N1-phenyl-N4,N4-dim-tolybenzene-1,4-diamine)[DNTPD], 및 Dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile[HAT-CN] 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 상기 정공 수송층을 형성하는 유기발광소자의 제조방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 발광층 형성단계는,4,4‘-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl[CBP]:Tris(2-phenylprydine)iridium(III)[Ir(ppy)3], CBP:Bis(3,5-difluoro-2-(2-pridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium(III)[FIrPic], 및 CBP:Bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridium(III)[Ir(piq)2(acac)] 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 상기 발광층을 형성하는 유기발광소자의 제조방법
9 9
제 6 항에 있어서,상기 전자 수송층 형성단계는,Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium[Alq3], Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum[BAlq], 및 bis(10-hydroxybenzo [h] quinolinato)-beryllium[Bebq2] 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 상기 전자 수송층을 형성하는 유기발광소자의 제조방법
10 10
제 6 항에 있어서,상기 제 2 보조전극 형성단계는,할로겐화합물, 알칼리 금속, 및 옥사디아졸계 고분자물질 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 상기 제 2 보조전극을 형성하고,상기 할로겐화합물은 LiF, BaF2, NaF, KF, 및 CsF 중 적어도 하나를 포함하고,상기 알칼리 금속은 Ca, 및 Ba 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광소자의 제조방법
11 11
삭제
12 12
기판의 표면에 자기조립박막을 형성하는 자기조립박막 형성단계; 상기 자기조립박막이 형성된 상기 기판 상에 프린팅 공정을 이용하여 직선 또는 격자 패턴을 갖는 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극 형성단계; 및 상기 제 1 전극이 형성된 상기 기판 상에 전도성 유기물질을 포함하는 제 1 보조전극을 형성하는 제 1 보조전극 형성단계를 포함하는 유기발광소자의 전극 제조방법
13 13
삭제
14 14
제 12 항에 있어서,상기 제 1 보조전극 형성단계에서,상기 전도성 유기물질은 PEDOT:PSS[Poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrenesulfonate] 계열의 물질을 포함하는 유기발광소자의 전극 제조방법
15 15
제 12 항에 있어서,상기 자기조립박막 형성단계는,상기 기판의 표면을 친수성 또는 소수성 표면으로 형성하여 상기 기판의 표면 에너지를 조절하는 유기발광소자의 전극 제조방법
16 16
제 12 항에 있어서,상기 자기조립박막 형성단계는,상기 기판의 표면에 알킬실란계 자기조립박막을 형성하는 유기발광소자의 전극 제조방법
17 17
제 12 항에 있어서,상기 제 1 전극 형성단계는,잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅 및 그라비어 프린팅 공정을 이용하여 진행하는 유기발광소자의 전극 제조방법
18 18
삭제
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