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1
아래 화학식 1의 화합물의 존재 하에서 알콕시실란 화합물이 반응하여 형성되는 폴리실록산
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2 |
2
제1항에 있어서,R1 및 R2는 각각 독립적으로 원자가결합, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 4 내지 10의 알킬렌기 또는 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 6 내지 14의 아릴렌기이며,X는 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 4 내지 10의 알킬렌기 또는 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 6 내지 14의 아릴렌기이며,R1, R2 및 X에서 치환에 해당하는 기는 각각 독립적으로 탄소수 4 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기인 것을 특징으로 하는 폴리실록산
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3 |
3
제2항에 있어서,R1 및 R2는 각각 원자가결합이며,X는 탄소수 4 내지 10의 알킬렌기인 것을 특징으로 하는 폴리실록산
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4
제1항에 있어서, 상기 알콕시실란 화합물은 아래 화학식 2로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 폴리실록산
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5
제4항에 있어서, R3은 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 2 내지 10의 알킬기 또는 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며,R3에서 치환에 해당하는 기는 탄소수 4 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며,R4는 각각 독립적으로 수소원자이거나 탄소수 1 내지 5의 알킬기이며,R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 5의 알킬기이며,m은 1 내지 6의 정수이며,n은 0 내지 2의 정수인 것을 특징으로 하는 폴리실록산
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6 |
6
제1항에 있어서, 상기 알콕시실란 화합물은 아래 화학식 3으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 폴리실록산
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7 |
7
제6항에 있어서, R6은 각각 독립적으로 수소원자이거나 탄소수 1 내지 5의 알킬기이며,R7은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 5의 알킬기이며,p는 1 내지 12의 정수이며,q는 1 내지 7의 정수이며,r은 0 내지 2의 정수인 것을 특징으로 하는 폴리실록산
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8 |
8
제1항에 따른 폴리실록산이 결정화되어 형성되는, 나노막대 구조의 형태를 갖는 폴리실록산
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9
제8항에 있어서, 상기 나노막대 구조의 형태를 갖는 폴리실록산은 표면처리제로 표면처리한 것임을 특징으로 하는 나노막대 구조의 형태를 갖는 폴리실록산
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10 |
10
제9항에 있어서, 상기 표면처리제는 지방산, 아미노산, 아미드, 에스테르화 지방산, 지방족 아민, 방향족 아민, 암모늄염, 설폰산(염), 황산(염), 실란 커플링제, 티타네이트 커플링제, 및 지르코네이트 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노막대 구조의 형태를 갖는 폴리실록산
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11
제10항에 있어서, 상기 표면처리제는 지방산을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노막대 구조의 형태를 갖는 폴리실록산
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12
제8항에 있어서, 상기 나노막대 구조의 형태를 갖는 폴리실록산은 종횡비(aspect ratio)가 2 내지 200인 것을 특징으로 하는 나노막대 구조의 형태를 갖는 폴리실록산
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13
기재; 및상기 기재 표면에 코팅된 제1항에 따른 폴리실록산 코팅층;을 포함하는 적층체
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14
제13항에 있어서, 상기 기재는 유리, 금속, 합성수지 및 세라믹으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층체
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15
제14항에 있어서, 상기 기재는 금속인 것을 특징으로 하는 적층체
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16
제15항에 있어서, 상기 금속은 마그네슘, 철, 니켈, 구리 및 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 적층체
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17
제13항에 있어서, 상기 기재는 거친 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 적층체
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18
제15항에 있어서, 상기 금속은 산으로 처리하여 거친 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 적층체
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19
아래 화학식 1의 화합물의 존재 하에서 알콕시실란 화합물이 반응하여 폴리실록산을 형성하는 단계(a); 및용매에 용해된 폴리실록산 용액을 기재에 도포하고 결정화시켜 나노막대 구조의 형태를 갖는 폴리실록산을 상기 기재상에 형성하는 단계(b);를 포함하는 적층체의 제조방법
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20
제19항에 있어서, 상기 적층체의 제조방법은 나노막대 구조의 형태를 갖는 폴리실록산을 기재상에 형성하는 단계(b) 후에 기재상에 형성된 나노막대 구조의 형태를 갖는 폴리실록산을 표면처리제로 표면처리하는 단계(c)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조방법
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