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기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 기판 위에 산화물 반도체층을 형성하는 단계,상기 산화물 반도체층을 제1 열처리하는 단계,상기 산화물 반도체층 위에 서로 마주하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계 그리고상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 보호막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 열처리하는 단계는 1기압(atm)을 초과하고, 50기압(atm) 이하인 상태에서 수행하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제1항에서,상기 산화물 반도체층을 제1 열처리하는 단계는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계 이전에 수행하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제2항에서,상기 산화물 반도체층을 제1 열처리하는 단계는 400도 이하의 온도에서 수행하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제3항에서,상기 제1 열처리하는 단계는 30분 이상 동안 수행하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제4항에서,상기 보호막을 형성하는 단계 이후에 제2 열처리하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제5항에서,상기 제2 열처리하는 단계는 400도 이하의 온도에서 수행하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제6항에서,상기 제2 열처리하는 단계는 상압(1기압) 상태에서 수행하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제7항에서,상기 제1 열처리하는 단계는 5기압 이상 30기압 이하인 상태에서 수행하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제2항에서,상기 산화물 반도체층 위에 식각 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제9항에서,상기 식각 방지막을 형성하는 단계는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계 이전에 수행하고, 상기 식각 방지막을 형성하는 단계 이후에 열처리하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제10항에서,상기 식각 방지막 형성 이후에 열처리하는 단계는 1기압(atm)을 초과하고, 50기압(atm) 이하인 상태에서 수행하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제11항에서,상기 식각 방지막 형성 이후에 열처리하는 단계는 400도 이하의 온도에서 수행하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제12항에서,상기 식각 방지막 형성 이후에 열처리하는 단계는 30분 이상 동안 수행하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제13항에서,상기 보호막을 형성하는 단계 이후에 제2 열처리하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제14항에서,상기 제2 열처리하는 단계는 400도 이하의 온도에서 수행하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제15항에서,상기 제2 열처리하는 단계는 상압(1기압) 상태에서 수행하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제16항에서,상기 제1 열처리하는 단계는 5기압 이상 30기압 이하인 상태에서 수행하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제1항에서,상기 보호막 위에 화소 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제18항에서,상기 화소 전극을 형성하는 단계 이후에 후 열처리하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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제1항에서,상기 산화물 반도체는 탄탈늄(Tantalum)-인듐(Indium)-아연(Zinc) 산화물, 인듐-아연-주석 산화물 및 인듐-갈륨-아연 산화물 중 하나를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
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