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하기 단계를 포함하는 적층형 유기 소자의 제조 방법:1) 제1광활성층인 유기반도체 층 상부에 n-타입 전자 수송 보조 전극 층을 형성하는 단계(단계 1);2) 상기 n-타입 전자 수송 보조 전극 층 상부 표면에 도트 형태의 금속층을 형성하는 단계(단계 2); 및3) 상기 금속층 상부에 p-타입 정공 수송 보조 전극 층을 형성하는 단계(단계 3)
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제1항에 있어서, 상기 단계 1)과 단계 2) 사이에 하기 단계 1-1)을 추가로 포함하는 적층형 유기 소자의 제조 방법:1-1) 상기 n-타입 전자 수송 보조 전극 층 상부 표면에 자기조립박막층 형성용 물질을 코팅하는 단계(단계 1-1)
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제1항에 있어서, 상기 단계 1) 이전에 하기 단계 1-a) 및 1-b)를 추가로 포함하는 적층형 유기 소자의 제조 방법:1-a) 기판 상부에 양극 층을 형성하는 단계(단계 1-a); 및1-b) 상기 양극 층 상부에 제1광활성층인 유기반도체 층을 형성하는 단계(단계 1-b)
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제1항에 있어서, 상기 단계 3) 이후에 하기 단계 4-a) 및 4-b)를 추가로 포함하는 적층형 유기 소자의 제조 방법:4-a) 상기 p-타입 정공 수송 보조 전극 층 상부에 제2광활성층인 유기반도체 층을 형성하는 단계(단계 4-a); 및4-b) 상기 제2광활성층인 유기반도체 층 상부에 음극 층을 형성하는 단계(단계 4-b)
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제3항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판, 폴리에스터 필름, 폴리이미드 필름, 폴리이서술폰(PES) 필름 및 박형 유리로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 방법
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제3항에 있어서, 상기 양극층으로 사용 가능한 재료는 주석도핑 산화인듐(indium tin oxide(ITO)) 및 전도성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 방법
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제1항에 있어서, 상기 n-타입 전자 수송 보조 전극 층을 구성하는 재료는 산화아연(Zinc oxide; ZnO), 플러렌(Fullerene, C60), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline):리튬(Li), 및 티타늄옥사이드(TiOx)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 방법
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제2항에 있어서, 상기 자기조립박막층 형성용 물질은 OTS(Octadecyltrichlorosilane)인 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속층을 구성하는 재료는 은(Ag)인 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속층은 잉크젯 프린팅으로 형성되는 방법
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제1항에 있어서, 상기 도트의 직경은 1 ㎛ 내지 50 ㎛인 방법
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제1항에 있어서, 상기 도트 패턴 간 거리는 50 ㎛ 내지 100 ㎛인 방법
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제1항에 있어서, 상기 도트의 높이는 10 nm 내지 400 nm인 방법
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제1항에 있어서, 상기 p-타입 정공 수송 보조 전극 층을 구성하는 재료는 텅스텐 옥사이드(WO3), 몰리브덴 옥사이드(MoO3), 니켈 옥사이드(NiOx), MeO-TPD(N,N,N',N'-tetrakis(4-methoxyphenyl)benzidine), 및 m-MTDATA(4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamono)triphenylamine):F4-TCNQ(tetrafluro-tetracyano-quinodimethane)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 방법
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제4항에 있어서, 상기 음극 층 물질은 알루미늄(Al)인 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기 소자는 유기 태양전지(OPV) 또는 유기 발광 다이오드(OLED)인 방법
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