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유기발광다이오드용 유기금속화합물 및 이를 구비하는 유기발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015197254
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기발광다이오드용 화합물 및 이를 구비하는 유기발광다이오드를 제공한다. 상기 유기발광다이오드용 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.[화학식 1]상기 화학식 1에서, M은 2족 또는 3족 금속이고, X는 O 또는 S 이고, A1, A2, A3, 및 A4 중 적어도 하나는 N이고, 나머지는 R1이 동일하거나 서로 다른 CR1(들)이고, R1은 수소, 할로겐기, 시아노기, C1 내지 C30의 알킬기, C6 또는 C60의 아릴기, 헤테로아릴기, 트리(C1 내지 C30의 알킬)실릴기, 디(C1 내지 C30의 알킬)(C6 또는 C60의 아릴)실릴기, 디(C1 내지 C30의 알킬)헤테로아릴실릴기, 트리(C6 또는 C60의 아릴)실릴기, 트리헤테로아릴실릴기, 디(C1 내지 C30의 알킬)아미노기, 디(C6 또는 C60의 아릴)아미노기, 디헤테로아릴아미노기, (C1 내지 C30의 알킬)(C6 또는 C60의 아릴)아미노기, 또는 (C1 내지 C30의 알킬)헤테로아릴아미노기이고, B는 오각고리 방향족 또는 육각고리 방향족이고, Y는 C 또는 N이고, n은 2 또는 3이다.
Int. CL C09K 11/06 (2006.01) C07F 5/00 (2006.01) C07F 3/00 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/0071(2013.01) H01L 51/0071(2013.01) H01L 51/0071(2013.01) H01L 51/0071(2013.01) H01L 51/0071(2013.01) H01L 51/0071(2013.01) H01L 51/0071(2013.01) H01L 51/0071(2013.01) H01L 51/0071(2013.01)
출원번호/일자 1020130046442 (2013.04.26)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1627893-0000 (2016.05.31)
공개번호/일자 10-2014-0128509 (2014.11.06) 문서열기
공고번호/일자 (20160608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준엽 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 오찬석 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0368435-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0334370-43
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0077663-62
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0507611-46
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0937048-12
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.09.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0937049-68
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0066432-37
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0292237-84
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0292240-11
12 등록결정서
Decision to grant		 2016.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0390594-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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하기 화학식 3로 표시되는 유기발광다이오드용 화합물:[화학식 3]상기 화학식 3에서,M은 Be, Zn, 또는 Mg이고,X는 O 또는 S 이고,n은 2 이고,B1, B2, 및 B3는 서로 독립적으로 N 또는 R2가 동일하거나 서로 다른 CR2(들)이고, R2은 수소 또는 C1 내지 C4의 알킬기이다
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청구항 8에 있어서,상기 화합물은 하기 화학식 4, 화학식 5, 또는 화학식 6으로 표시되는 유기발광다이오드용 화합물:[화학식 4][화학식 5][화학식 6]
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청구항 8에 있어서,상기 화합물은 유기발광다이오드의 호스트 물질, 전자주입물질, 및 전자수송물질 중 어느 하나로 사용되는 유기발광다이오드용 화합물
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차례로 적층된 애노드, 정공전도층, 발광층, 전자전도층, 캐소드를 포함하는 유기발광다이오드에 있어서,상기 정공전도층, 상기 발광층 및 상기 전자전도층 중 어느 하나는 하기 화학식 3로 표시되는 화합물을 포함하는 유기발광다이오드:[화학식 3]상기 화학식 3에서,M은 2족 금속이고,X는 O 또는 S 이고,n은 2 이고,B1, B2, 및 B3는 서로 독립적으로 N 또는 R2가 동일하거나 서로 다른 CR2(들)이고, R2은 수소 또는 C1 내지 C4의 알킬기이다
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청구항 12에 있어서,상기 전자전도층은 전자수송층과 전자주입층을 포함하고,상기 발광층, 상기 전자수송층 및 상기 전자주입층 중 어느 하나는 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 유기발광다이오드
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청구항 13에 있어서,상기 발광층은 호스트 물질과 도펀트 물질을 포함하고,상기 호스트 물질, 상기 전자수송층 및 상기 전자주입층 중 어느 하나는 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 유기발광다이오드
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청구항 14에 있어서,상기 호스트 물질은 인광 호스트 물질이고, 상기 도펀트 물질은 인광 도펀트 물질인 유기발광다이오드
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