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금속 전극의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015197264
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요약 트리 형상 또는 뿌리 형상을 가지는 금속 전극의 형성방법이 개시된다. 염을 용해한 수용액의 재결정화를 통해 결정립 패턴을 형성한다. 결정립 패턴은 제2 기판으로 전사되고, 염의 결정립은 수분에 용해된다. 수분의 용해와 함께 제2 기판은 제1 기판으로부터 분리된다. 패턴이 전사된 제2 기판은 금속을 포함하는 도전성 잉크로 매립되고, 임프린팅 공정을 통해 제3 기판으로 전사된다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130028625 (2013.03.18)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1270803-0000 (2013.05.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130605) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.16)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동현 대한민국 경기 안성시
2 이동은 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)디케이플렉스 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0231573-32
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.04.15 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0327479-11
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0328499-03
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0328433-01
5 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2013.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0046533-14
6 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2013.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0380432-64
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2013.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0050541-29
8 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2013.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2013-0038950-78
10 등록결정서
Decision to grant
2013.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0361647-29
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0501744-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판 상에 염의 결정립 패턴을 형성하는 단계;상기 염의 결정립 패턴을 제2 기판으로 전사하여 결정립 전사 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 기판의 상기 결정립 전사 패턴에 도전성 잉크를 매립하는 단계; 및상기 결정립 전사 패턴에 매립된 도전성 잉크를 제3 기판에 전사하는 단계를 포함하는 금속 전극의 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 염의 결정립 패턴을 형성하는 단계는,염이 용해된 수용액을 상기 제1 기판에 코팅하는 단계; 및상기 코팅된 수용액의 수분을 증발시키고, 상기 염의 재결정을 유도하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 형성방법
3 3
제2항에 있어서 상기 염은 Na2CO3 인 것을 특징으로 하는 금속 전극의 형성방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 수용액에서 상기 염의 농도는 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 제2 기판 상에 상기 결정립 전사 패턴을 형성하는 단계는,PDMS와 경화제를 혼합한 혼합용액을 형성하는 단계;상기 혼합용액을 상기 제1 기판 상에 도입하여 유연성을 가진 제2 기판을 형성하고, 상기 제2 기판의 표면으로부터 함몰된 음각의 상기 결정립 전사 패턴을 형성하는 단계; 및상기 결정립 전사 패턴이 형성된 상기 제2 기판을 상기 제1 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 형성방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제2 기판을 상기 제1 기판으로부터 분리하는 단계는, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 수분을 도입하여 상기 결정립 패턴을 용해시키는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 형성방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 결정립 전사 패턴에 도전성 잉크를 매립하는 단계는,상기 제2 기판에 도전성 잉크를 코팅하는 단계; 및상기 도전성 잉크가 코팅된 상기 제2 기판을 드래깅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 형성방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 도전성 잉크는 은을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 형성방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 결정립 패턴은 뿌리 형상 또는 트리 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 형성방법
10 10
제1 기판 상에 염의 결정립 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 기판 상에 금속층을 형성하여 상기 결정립 패턴을 매립하는 단계; 및상기 결정립 패턴을 용해하여 상기 제1 기판의 표면 일부를 노출시키는 관통 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 금속 전극의 형성방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 염의 결정립 패턴을 형성하는 단계는,염이 용해된 수용액을 상기 제1 기판에 코팅하는 단계; 및상기 코팅된 수용액의 수분을 증발시키고, 상기 염의 재결정을 유도하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 형성방법
12 12
제11항에 있어서 상기 염은 Na2CO3 인 것을 특징으로 하는 금속 전극의 형성방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 수용액에서 상기 염의 농도는 0
14 14
제10항에 있어서, 상기 결정립 패턴은 뿌리 형상 또는 트리 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 형성방법
15 15
제10항에 있어서, 상기 결정립 패턴의 용해는 수분의 공급을 통해 달성하는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 형성방법
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1 WO2014148726 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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