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광전변환 디바이스에서 광활성 층의 에피택셜 성장을 제어하기 위한 물질

  • 기술번호 : KST2015197296
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시된 바에 의하면, 후속 성장된 전기 활성 얇은 필름의 형태를 강제하는 초박 필름 물질 주형 층은 소분자 유기 광전변환(OPV) 전지의 성능을 증가시키는 것으로 밝혀졌다. 개시된 바에 의하면, 전자 수송 물질, 예컨대 헥사아자트리페닐렌-헥사카르보니트릴(HAT-CN)은 인듐 주석 산화물(ITO) 전극과 같은 전극 상의 표면에 침착될 때 수직 직립 상태 형태를 띠는 구리 프탈로시아닌(CuPc)와 같은 도너 물질을 강제하는 주형 물질로서 사용될 수 있다. 주형 버퍼 층으로서 HAT-CN를 지닌 디바아스의 경우, CuPc:C60 OPV의 필 팩터 및 단락 회로 전류는 둘 다 HAT-CN 주형을 결여한 전지와 비교하여 개선된 것으로 나타났다. 이는 ITO 표면 상에 성장된 CuPc의 개선된 결정화도에 기인한 직렬 저항의 감소에 의해 설명된다.
Int. CL H01L 51/42 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020137012597 (2011.10.14)
출원인 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간, 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0072830 (2014.06.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자 PCT/US2011/056347 (2011.10.14)
국제공개번호/일자 WO2012051526 (2012.04.19)
우선권정보 미국  |   61/393,732   |   2010.10.15
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국제출원
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.13)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 미국 미국 ***** 미시간주 앤 아버 세컨드 플로어 휴론 파크웨이 **** 오피스 오브 테크놀로지 트
2 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 포레스트 스티븐 알. 미국 미국 ***** 미시간
2 라지터 브라이언 이. 미국 미국 ***** 미시간주
3 이 준 엽 대한민국 대한민국 ***-*** 경기도 성
4 육 송 수 대한민국 대한민국 ***-*** 경기도
5 전 순 옥 대한민국 대한민국 ***-*** 서울특
6 진 병 디. 대한민국 대한민국 ***-*** 경기도

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김진회 대한민국 서울특별시 서대문구 충정로 ** (충정로*가, 풍산빌딩) **층(리인터내셔널 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허법 제203조에 따른 서면
[Patent Application] Document according to the Article 203 of Patent Act		 2013.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0431306-05
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0433911-54
3 보정요구서
Request for Amendment		 2013.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0138218-27
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-1122561-95
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0018458-38
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0107669-20
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0315382-01
9 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0039913-83
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0992203-62
11 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0992206-09
12 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
13 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0008215-35
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0031391-13
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2018-0128981-46
16 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2018.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0022080-65
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0689564-78
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0689565-13
19 [참고자료]정보제출서
[Reference] Written Submission of Information		 2018.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0689566-69
20 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0800708-20
21 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2018.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1301923-02
22 법정기간연장승인서
 2018.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0204292-51
23 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2019.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0091563-53
24 법정기간연장승인서
 2019.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0022202-84
25 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.02.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0193920-19
26 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0189203-09
27 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2019.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0377567-65
28 법정기간연장승인서
 2019.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0064040-57
29 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2019.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0489891-92
30 법정기간연장승인서
 2019.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0082701-40
31 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
디바이스로서,제1 전극, 제2 전극, 하나 이상의 우선적 정공 전도성 유기 시드 층(preferentially hole conductive organic seed layer), 및제1 감광성 층 및 제2 감광성 층을 포함하는 하나 이상의 전지를 포함하고, 상기 디바이스의 제1 감광성 층은 제1 전극 또는 제2 전극 중 하나 이상에 대하여 실질적으로 수직인 배향을 나타내는 것인 디바이스
2 2
제1항에 있어서, 우선적 정공 전도성 유기 시드 층은 제1 전극과 전지 사이에 위치하는 것인 디바이스
3 3
제2항에 있어서, 우선적 정공 전도성 유기 시드 층은 제1 전극 상에 직접 위치하는 것인 디바이스
4 4
제3항에 있어서, 제1 감광성 층은 우선적 정공 전도성 유기 시드 층 상에 직접 위치하는 것인 디바이스
5 5
제1항에 있어서, 제2 감광성 층은 제2 전극과 제1 감광성 층 사이에 위치하는 것인 디바이스
6 6
제1항에 있어서, 전지는 제3 감광성 층을 추가로 포함하는 것인 디바이스
7 7
제6항에 있어서, 제3 감광성 층은 제1 감광성 층과 제2 감광성 층 사이에 위치하는 것인 디바이스
8 8
제1항에 있어서, 우선적 정공 전도성 유기 시드 층은 1,4,5,6,9,11-헥사아자트리페닐렌-헥사카르보니트릴(HAT-CN);1,4,5,6,9,11-헥사아자트리페닐렌-헥사카르복사미드;1,4,5,6,9,11-헥사아자트리페닐렌-헥사카르복실산;1,4,5,6,9,11-헥사아자트리페닐렌-헥사카르복실산 3무수물;테트라시아노-퀴논디메탄(TCNQ);2,3,5,6-테트라플루오로-7,7,8,8-테트라시아노-퀴논디메탄(F4-TCNQ); N,N'-디시아노-2,3,5,6-테트라플루오로-1,4-퀴논디이민(F4DCNQI);N,N'-디시안-2,5-디클로로-3,6-디플루오로-1,4-퀴논디이민(C12F2DCNQI);N,N'-디시아노-2,3,5,6,7,8-헥사플루오로-1,4-나프토-퀴논디이민(F6DCNNOI);1,4,5,8-테트라히드로-1,4,5,8-테트라티아-2,3,6,7-테트라시아노안트라퀴논(CN4TTAQ); 2,2,7,7-테트라플루오로-2,7-디히드로-1,3,6,8-테트라옥사-2,7-디보라 4,9,10,11,12-펜타클로로-벤조[e]피렌; 2-(6-디시아노메틸렌-1,3,4,5,7,8-헥사플루오로-6H-나프탈렌-2-일리덴)말로노니트릴; 및이들의 조합으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 디바이스
9 9
제1항에 있어서, 제1 감광성 층은 서브프탈로시아노닌 클로라이드(SubPc), 구리 프탈로시아닌(CuPc), C60 및 C70 풀러렌, 클로로-알루미늄 프탈로시아닌(ClAlPc), 스쿠아린(SQ), 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT), 및 이들의 조합으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 디바이스
10 10
제1항에 있어서, 제2 감광성 층은 C60 및 C70 풀러렌, 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 2무수물(PTCDA), 퍼플루오르화 구리 프탈로시아닌(F16-CuPc), 및 이들의 조합으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 디바이스
11 11
제6항에 있어서, 제3 감광성 층은 서브프탈로시아노닌 클로라이드(SubPc), 구리 프탈로시아닌(CuPc), C60 및 C70 풀러렌, 클로로-알루미늄 프탈로시아닌(ClAlPc), 스쿠아린(SQ), 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT), 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 2무수물(PTCDA), 퍼플루오르화 구리 프탈로시아닌(F16-CuPc), 및 이들의 조합으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 디바이스
12 12
제1항에 있어서, 제1 전극은 ZnO, GIO, IGZO, ITO, TiO2, MgO, GITO, WO, ZIO, 및 ZITO로부터 선택된 하나 이상의 금속 산화물 물질을 포함하는 것인 디바이스
13 13
제12항에 있어서, 제1 전극은 복합 ITO/금속 전극을 포함하고, 상기 금속은 Ca, LiF/Al, 및 Mg:Ag으로부터 선택되는 것인 디바이스
14 14
제1항에 있어서, 제2 전극은 강(steel), Ni, Ag, Al, Mg, In, 및 이들의 혼합물 또는 합금으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 디바이스
15 15
제1항에 있어서, 하나 이상의 차단층을 추가로 포함하는 디바이스
16 16
제15항에 있어서, 하나 이상의 차단층은 전지와 제2 전극 사이에 위치하는 것인 디바이스
17 17
제15항에 있어서, 하나 이상의 전자 차단층은 NPD, Alq3, CBP, BCP, 및 Ru(acac)3으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 디바이스
18 18
제1항에 있어서, 상기 디바이스는 태양 전지, 또는 반전(inverted) 태양 전지를 포함하는 것인 디바이스
19 19
제1항에 있어서, 하나 이상의 우선적 정공 전도성 유기 시드 층은 제2 전극과 하나 이상의 전지 사이에 위치하는 것인 디바이스
20 20
제1항에 있어서, 하나 이상의 제2 전지, 하나 이상의 제2 우선적 정공 전도성 유기 시드 층, 및 제3 전극을 추가로 포함하는 디바이스
21 21
제20항에 있어서, 상기 디바이스는 탠덤 태양 전지(tandem solar cell)를 포함하는 것인 디바이스
22 22
제1항에 있어서, 상기 우선적 정공 전도성 유기 시드 층은 이 우선적 정공 전도성 유기 시드 층을 지니지 않은 디바이스와 비교할 때 다음의 특징들:- 증가된 개방 회로 전압(Voc);- 증가된 단락 회로 전류(ISC); 및- 증가된 필 팩터(ff) 중 하나 이상을 달성하는 두께를 갖는 것인 디바이스
23 23
제22항에 있어서, 상기 우선적 정공 전도성 유기 시드 층은 5 내지 50 nm 범위의 두께를 갖는 것인 디바이스
24 24
감광성 디바이스를 제조하는 방법으로서,제1 전극 위에 하나 이상의 우선적 정공 전도성 유기 시드 층을 침착시키는 단계, 우선적 정공 전도성 유기 시드 층 위에 하나 이상의 제1 감광성 층을 도포하는 단계, 제1 감광성 층 위에 하나 이상의 제2 감광성 층을 배치하는 단계, 및제2 감광성 층 위에 제2 전극을 패턴화하는 단계를 포함하고, 제1 감광성 층은 제1 전극 또는 제2 전극 중 하나 이상에 대하여 실질적으로 수직인 배향을 나타내는 것인 방법
25 25
제24항에 있어서, 우선적 정공 전도성 유기 시드 층은 제1 전극 상에 직접 침착되는 것인 방법
26 26
제24항에 있어서, 우선적 정공 전도성 유기 시드 층은 디바이스가, 우선적 정공 전도성 유기 시드 층을 지니지 않은 디바이스와 비교할 때, 다음의 특징들:- 증가된 개방 회로 전압(Voc);- 증가된 단락 회로 전류(ISC); 및- 증가된 필 팩터(ff) 중 하나 이상을 달성하기에 충분한 두께로 제1 전극 위에 침착되는 것인 방법
27 27
제24항에 있어서, 제1 감광성 층은 우선적 정공 전도성 유기 시드 층 상에 직접 침착되는 것인 방법
28 28
제24항에 있어서, 제3 감광성 층을 침착시키는 단계를 추가로 포함하는 방법
29 29
제28항에 있어서, 제3 감광성 층은 제1 감광성 층과 제2 감광성 층 사이에 침착되는 것인 방법
30 30
제24항에 있어서, 우선적 정공 전도성 유기 시드 층은1,4,5,6,9,11-헥사아자트리페닐렌-헥사카르보니트릴(HAT-CN);1,4,5,6,9,11-헥사아자트리페닐렌-헥사카르복사미드;1,4,5,6,9,11-헥사아자트리페닐렌-헥사카르복실산;1,4,5,6,9,11-헥사아자트리페닐렌-헥사카르복실산 3무수물;테트라시아노-퀴논디메탄(TCNQ);2,3,5,6-테트라플루오로-7,7,8,8-테트라시아노-퀴논디메탄(F4-TCNQ); N,N'-디시아노-2,3,5,6-테트라플루오로-1,4-퀴논디이민(F4DCNQI);N,N'-디시안-2,5-디클로로-3,6-디플루오로-1,4-퀴논디이민(C12F2DCNQI);N,N'-디시아노-2,3,5,6,7,8-헥사플루오로-1,4-나프토-퀴논디이민(F6DCNNOI);1,4,5,8-테트라히드로-1,4,5,8-테트라티아-2,3,6,7-테트라시아노안트라퀴논(CN4TTAQ); 2,2,7,7-테트라플루오로-2,7-디히드로-1,3,6,8-테트라옥사-2,7-디보라 4,9,10,11,12-펜타클로로-벤조[e]피렌; 2-(6-디시아노메틸렌-1,3,4,5,7,8-헥사플루오로-6H-나프탈렌-2-일리덴)말로노니트릴; 및이들의 조합으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 방법
31 31
제24항에 있어서, 제1 감광성 층은 서브프탈로시아노닌 클로라이드(SubPc), 구리 프탈로시아닌(CuPc), C60 및 C70 풀러렌, 클로로-알루미늄 프탈로시아닌(ClAlPc), 스쿠아린(SQ), 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT), 및 이들의 조합으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 방법
32 32
제24항에 있어서, 제2 감광성 층은 C60 및 C70 풀러렌, 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 2무수물(PTCDA), 퍼플루오르화 구리 프탈로시아닌(F16-CuPc), 및 이들의 조합으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 방법
33 33
제28항에 있어서, 제3 감광성 층은 서브프탈로시아노닌 클로라이드(SubPc), 구리 프탈로시아닌(CuPc), C60 및 C70 풀러렌, 클로로-알루미늄 프탈로시아닌(ClAlPc), 스쿠아린(SQ), 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT), 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 2무수물(PTCDA), 퍼플루오르화 구리 프탈로시아닌(F16-CuPc), 및 이들의 조합으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 방법
34 34
제24항에 있어서, 제1 전극은 ZnO, GIO, IGZO, ITO, TiO2, MgO, GITO, WO, ZIO, 및 ZITO로부터 선택된 하나 이상의 금속 산화물 물질을 포함하는 것인 방법
35 35
제34항에 있어서, 제1 전극은 복합 ITO/금속 전극을 포함하고, 상기 금속은 Ca, LiF/Al, 및 Mg:Ag으로부터 선택되는 것인 방법
36 36
제24항에 있어서, 제2 전극은 강, Ni, Ag, Al, Mg, In, 및 이들의 혼합물 또는 합금으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 방법
37 37
제24항에 있어서, 하나 이상의 차단층을 침착시키는 단계를 추가로 포함하는 방법
38 38
제37항에 있어서, 하나 이상의 차단층은 하나 이상의 제2 감광성 층과 제2 전극 사이에 위치하는 것인 방법
39 39
제37항에 있어서, 하나 이상의 차단층은 NPD, Alq3, CBP, BCP, 및 Ru(acac)3으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 방법
40 40
제28항에 있어서, 제3 감광성 층은 서브프탈로시아노닌 클로라이드(SubPc), 구리 프탈로시아닌(CuPc), C60 및 C70 풀러렌, 클로로-알루미늄 프탈로시아닌(ClAlPc), 스쿠아린(SQ), 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT), 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 2무수물(PTCDA), 퍼플루오르화 구리 프탈로시아닌(F16-CuPc), 및 이들의 조합으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 방법
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순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104137287 CN 중국 FAMILY
2 EP02628198 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02628198 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP05947799 JP 일본 FAMILY
5 JP25541217 JP 일본 FAMILY
6 TWI566450 TW 대만 FAMILY
7 US20120090685 US 미국 FAMILY
8 WO2012051526 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AU2011315948 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
2 CA2814716 CA 캐나다 DOCDBFAMILY
3 CN104137287 CN 중국 DOCDBFAMILY
4 CN104137287 CN 중국 DOCDBFAMILY
5 EP2628198 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 EP2628198 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
7 HK1199553 HK 홍콩 DOCDBFAMILY
8 JP2013541217 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 JP5947799 JP 일본 DOCDBFAMILY
10 TW201246641 TW 대만 DOCDBFAMILY
11 TWI566450 TW 대만 DOCDBFAMILY
12 US2012090685 US 미국 DOCDBFAMILY
13 WO2012051526 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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