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지연형광을 이용하는 고효율 유기발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015197297
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기전계발광다이오드를 제공한다. 상기 유기전계발광다이오드는 애노드와 캐소드를 구비한다. 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 발광층이 위치한다. 상기 발광층은 전자 공여성(electron-donating) 호스트 물질과 전자 구인성(electron-accepting) 호스트 물질을 함유하는 혼합 호스트 물질 및 지연 형광을 나타내는 도펀트 물질을 함유한다.
Int. CL C09K 11/06 (2006.01) H01L 51/54 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01)
출원번호/일자 1020130142795 (2013.11.22)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0059324 (2015.06.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.04)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준엽 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 김보성 대한민국 인천 부평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-1064574-38
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0846243-73
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0032409-28
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0356382-11
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0552916-45
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
애노드와 캐소드; 및상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하고, 전자 공여성(electron-donating) 호스트 물질과 전자 구인성(electron-accepting) 호스트 물질을 함유하는 혼합 호스트 물질 및 지연 형광을 나타내는 도펀트 물질을 함유하는 발광층을 포함하는 유기전계발광다이오드
2 2
청구항 1에 있어서,상기 전자 공여성 호스트 물질의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 에너지 준위는 상기 전자 구인성 호스트 물질의 HOMO 에너지 준위에 비해 높고, 상기 전자 구인성 호스트 물질의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 에너지 준위는 상기 전자 공여성 호스트 물질의 LUMO 에너지 준위에 비해 낮은 유기전계발광다이오드
3 3
청구항 1에 있어서,상기 전자 공여성 호스트 물질과 상기 전자 구인성 호스트 물질 각각의 삼중항 상태 에너지는 상기 도펀트 물질의 삼중항 상태 에너지에 비해 크고, 상기 전자 공여성 호스트 물질과 상기 전자 구인성 호스트 물질 각각의 일중항 상태 에너지는 상기 도펀트 물질의 일중항 상태 에너지에 비해 큰 유기전계발광다이오드
4 4
청구항 1에 있어서,상기 전자 공여성 호스트 물질의 HOMO 에너지 준위와 상기 전자 구인성 호스트 물질의 HOMO 에너지 준위 중 높은 HOMO 에너지 준위는, 상기 도펀트 물질의 HOMO 에너지 준위에 비해 낮은 유기전계발광다이오드
5 5
청구항 4에 있어서,상기 전자 공여성 호스트 물질의 HOMO 에너지 준위는 상기 도펀트 물질의 HOMO 에너지 준위에 비해 낮은 유기전계발광다이오드
6 6
청구항 5에 있어서,상기 전자 공여성 호스트 물질은 카바졸계 물질인 유기전계발광다이오드
7 7
청구항 6에 있어서,상기 전자 공여성 호스트 물질은 하기 화학식 1로 나타내어지는 유기전계발광다이오드:[화학식 1]상기 화학식 1에서, Ar은 페닐기(phenyl), 바이페닐기(biphenyl), 터페닐기(terphenyl), 피롤릴(pyrrolyl)기, 이미다졸릴(imidazolyl)기, 피라졸릴(pyrazolyl)기, 트라이아졸릴(triazolyl)기, 테트라졸릴(tetrazolyl)기, 인돌릴(indolyl)기, 카바졸(carbazole), 카볼린(carboline), 플루오렌(fluorene), 다이벤조퓨란(dibenzofuran), 다이벤조티오펜(dibenzothiophene), 벤조퓨로피리딘(benzofuropyridine), 벤조티에노피리딘(benzothienopyridine), 테트라페닐실란(tetraphenylsilane) 및 나프탈렌기로 이루어진 군에서 선택되고,R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, 및 R8은 서로에 관계없이 수소, C1 내지 C30의 알킬기, C6 내지 C30의 아릴알킬기, C6 내지 C30의 아릴카보닐기, C5 내지 C30의 아릴설피닐기, C5 내지 C30의 아릴설포닐기, C5 내지 C30의 아릴포스포닐기, C5 내지 C30의 아릴실릴기, C6 내지 C30의 아릴기, C1 내지 C30의 헤테로아릴기, 및 C1 내지 C30의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되고,m은 1 내지 4의 정수이다
8 8
청구항 1에 있어서,상기 전자 공여성 호스트 물질과 상기 전자 구인성 호스트 물질은 엑시플렉스(exciplex)를 형성하는 유기전계발광다이오드
9 9
청구항 8에 있어서,상기 엑시플렉스의 삼중항 상태 에너지가 상기 도펀트 물질의 삼중항 상태 에너지에 비해 크고, 상기 엑시플렉스의 일중항 상태 에너지가 상기 도펀트 물질의 일중항 상태 에너지에 큰 유기전계발광다이오드
10 10
청구항 1에 있어서,상기 도펀트 물질은 카바졸릴 다이시아노벤젠(carbazolyl dicyanobenzene, CDCB)인 유기전계발광다이오드
11 11
청구항 1에 있어서,상기 도펀트 물질은 2,4,5,6-tetrakis(carbazol-9-yl)-1,3- dicyanobenzene (4CzIPN), 4,5-bis(carbazol-9-yl)-1,2-dicyanobenzene (2CzPN), 3,4,5,6-tetrakis(carbazol-9-yl)-1,2-dicyanobenzene (4CzPN), 2, 3,5,6-tetrakis(carbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene (4CzTPN), 2,3,5,6-tetrakis(3 ,6-diphenylcarbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene (4CzTPN-Ph), 또는 2,3,5,6-tetrakis(3 ,6-dimethylcarbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene (4CzTPN-Me)인 유기전계발광다이오드
12 12
청구항 1에 있어서,상기 애노드와 상기 발광층 사이에 배치된 정공전도층; 및상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 배치된 전자전도층을 더 포함하는 유기전계발광다이오드
13 13
청구항 12에 있어서,상기 정공전도층은 정공주입층과 정공수송층 중 적어도 하나를 포함하는 유기전계발광다이오드
14 14
청구항 12에 있어서,상기 전자전도층은 정공블로킹층, 전자주입층 및 전자수송층 중 적어도 하나를 포함하는 유기전계발광다이오드
15 15
애노드와 캐소드; 및상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하고, 카바졸계 물질인 전자 공여성 호스트 물질과 전자 구인성 호스트 물질을 함유하는 혼합 호스트 물질 및 카바졸릴 다이시아노벤인 지연 형광을 나타내는 도펀트 물질을 함유하는 발광층을 포함하는 유기전계발광다이오드
16 16
청구항 15에 있어서,상기 전자 공여성 호스트 물질은 하기 화학식 1로 나타내어지는 유기전계발광다이오드:[화학식 1]상기 화학식 1에서, Ar은 페닐기(phenyl), 바이페닐기(biphenyl), 터페닐기(terphenyl), 피롤릴(pyrrolyl)기, 이미다졸릴(imidazolyl)기, 피라졸릴(pyrazolyl)기, 트라이아졸릴(triazolyl)기, 테트라졸릴(tetrazolyl)기, 인돌릴(indolyl)기, 카바졸(carbazole), 카볼린(carboline), 플루오렌(fluorene), 다이벤조퓨란(dibenzofuran), 다이벤조티오펜(dibenzothiophene), 벤조퓨로피리딘(benzofuropyridine), 벤조티에노피리딘(benzothienopyridine), 테트라페닐실란(tetraphenylsilane) 및 나프탈렌기로 이루어진 군에서 선택되고,R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, 및 R8은 서로에 관계없이 수소, C1 내지 C30의 알킬기, C6 내지 C30의 아릴알킬기, C6 내지 C30의 아릴카보닐기, C5 내지 C30의 아릴설피닐기, C5 내지 C30의 아릴설포닐기, C5 내지 C30의 아릴포스포닐기, C5 내지 C30의 아릴실릴기, C6 내지 C30의 아릴기, C1 내지 C30의 헤테로아릴기, 및 C1 내지 C30의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되고,m은 1 내지 4의 정수이다
17 17
청구항 15에 있어서,상기 도펀트 물질은 2,4,5,6-tetrakis(carbazol-9-yl)-1,3- dicyanobenzene (4CzIPN), 4,5-bis(carbazol-9-yl)-1,2-dicyanobenzene (2CzPN), 3,4,5,6-tetrakis(carbazol-9-yl)-1,2-dicyanobenzene (4CzPN), 2, 3,5,6-tetrakis(carbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene (4CzTPN), 2,3,5,6-tetrakis(3 ,6-diphenylcarbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene (4CzTPN-Ph), 또는 2,3,5,6-tetrakis(3 ,6-dimethylcarbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene (4CzTPN-Me)인 유기전계발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.