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기판 상에 형성되는 ZnO 박막에 있어서,상기 ZnO 박막은 고에너지의 중(重)이온이 조사되어 에너지 준위가 변형되는 전기적 및 광학적 특성 조절 가능한 ZnO 박막
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제 1 항에 있어서,상기 중이온의 종류는 SRIM(Stopping and Range of Ions in Matter)을 이용하여 중이온이 조사될 때 가속에너지에 따른 평균 주입 깊이를 산출하여 결정되는 전기적 및 광학적 특성 조절 가능한 ZnO 박막
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제 2 항에 있어서,상기 중이온이 주입되는 깊이가 상기 ZnO 박막의 두께를 초과하도록 상기 중이온의 종류, 농도 및 가속에너지가 결정되는 전기적 및 광학적 특성 조절 가능한 ZnO 박막
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제 1 항에 있어서,상기 중이온은 Au 또는 Ni 이온 중 선택된 어느 하나인 전기적 및 광학적 특성 조절 가능한 ZnO 박막
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제 4 항에 있어서,상기 가속 에너지는 10 MeV 내지 130 MeV에서 선택된 어느 하나인 전기적 및 광학적 특성 조절 가능한 ZnO 박막
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제 1 항에 있어서,상기 ZnO 박막은 1
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제 1 항에 있어서,상기 ZnO 박막은 5
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제 1 항에 있어서,상기 ZnO에 조사될 상기 중이온의 종류, 농도 및 가속 에너지는 상기 ZnO 박막의 정량, 정성 및 물리적 결정구조가 변화하지 않도록 선택되는 전기적 및 화학적 특성 조절 가능한 ZnO 박막
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제 1 항에 있어서,상기 ZnO에 조사될 상기 중이온의 종류, 농도 또는 가속 에너지는 상기 ZnO 박막의 원하는 표면 거칠기, 캐리어 농도, 이동도, 또는 밴드갭 내 광흡수 준위의 양에 따라 선택되는 전기적 및 화학적 특성 조절 가능한 ZnO 박막
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10
기판 상에 ZnO 박막을 형성하는 단계;상기 ZnO 박막을 조사할 중이온의 종류, 농도 및 가속 에너지의 크기를 결정하는 단계;상기 단계에서 결정된 상기 중이온의 종류, 농도, 및 가속 에너지의 크기에 따른 상기 중이온으로 상기 ZnO 박막을 조사하는 단계; 및상기 중이온이 조사된 상기 ZnO 박막의 물리적, 전기적, 광학적 특성을 평가하여 원하는 전기적 광학적 특성을 달성했는지를 판단하여 달성하지 못한 경우 상기 결정하는 단계로 리턴하고, 달성한 경우 종료하는 단계를 포함하는 전기적 및 광학적 특성 조절 가능한 ZnO 박막 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 결정하는 단계에서, SRIM(Stopping and Range of Ions in Matter)을 포함하는 전산프로그램을 통해 상기 중이온이 조사될 때 가속 에너지의 크기에 따른 평균 주입 깊이를 산출하여 조사할 중이온의 종류, 농도 및 가속 에너지의 크기를 결정하는 전기적 및 광학적 특성 조절 가능한 ZnO 박막 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 결정하는 단계에서, 상기 중이온이 주입되는 깊이가 상기 ZnO 박막의 두께를 초과하도록 상기 중이온의 종류, 농도 및 가속에너지가 결정되는 전기적 및 광학적 특성 조절 가능한 ZnO 박막 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 중이온은 Au 또는 Ni 이온 중 선택된 어느 하나인 전기적 및 광학적 특성 조절 가능한 ZnO 박막 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 중이온의 상기 가속 에너지는 10 MeV 내지 130 MeV 중 선택된 어느 하나인 전기적 및 광학적 특성 조절 가능한 ZnO 박막 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 ZnO 박막은 1
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제 13 항에 있어서,상기 ZnO 박막은 5
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제 10 항에 있어서,상기 결정하는 단계에서 상기 ZnO 박막에 조사할 상기 중이온의 종류, 농도 및 가속 에너지는 상기 ZnO 박막의 정량, 정성 및 물리적 결정구조가 변화하지 않도록 선택되는 전기적 및 화학적 특성 조절 가능한 ZnO 박막 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 결정하는 단계에서 상기 ZnO 박막에 조사할 상기 중이온의 종류, 농도 또는 가속 에너지는 상기 ZnO 박막의 원하는 표면 거칠기, 캐리어 농도, 이동도, 또는 밴드갭 내 광흡수 준위의 양에 따라 선택되는 전기적 및 화학적 특성 조절 가능한 ZnO 박막 제조방법
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