| 1 |
1
고출력 발광다이오드를 정착시킨 발광다이오드칩어레이와, 상기 발광다이오드칩어레이의 하방에 구비된 냉온수단과,상기 발광다이오드칩어레이에 설치된 센서와, 상기 센서의 출력을 A/D변환하는 변환기 및 냉온수단을 제어하기 위한 제 1드라이버, 온도 설정을 위한 키패드 및 설정온도 표시를 위한 제 2드라이버 및 표시기와, 전술한 제 1, 2드라이버, 키패드와 연결되어 제어 기능을 수행하는 마이크로프로세서로 구성되고,상기 발광다이오드칩어레이는 복수개의 발광다이오드열로 구성되며, 냉각 또는 가열 온도에 따라 복수개의 각 발광다이오드열에서 각각 중심 파장의 천이가 이루어져 각 발광다이오드칩어레이에서 필요한 중심 파장 범위의 출력이 발생됨을 특징으로 하는 파장 국소 가변을 위한 광학 장비용 고출력 발광다이오드 광원 시스템
|
| 2 |
2
복수열로 고출력 발광다이오드열을 정착시킨 발광다이오드칩어레이와, 상기 발광다이오드칩어레이의 하방에 설치된 냉온수단과,상기 발광다이오드칩어레이에 설치된 센서와, 상기 센서의 출력을 A/D변환하는 변환기 및 전술한 냉온수단을 제어하기 위한 제 1드라이버, 온도 설정을 위한 키패드 및 설정온도 표시를 위한 제 2드라이버, 표시기 및 전술한 발광다이오드칩어레이의 각각의 고출력 다이오드에 독립하여 전력을 공급하기 위한 직류전원공급장치 및 상기 직류전원공급장치의 구동을 위한 제 3드라이버와,상기 제 1, 2, 3드라이버 및 변환기가 연결되어 제어 기능을 수행하는 마이크로프로세서로 구성되고,상기 발광다이오드칩어레이는 복수개의 발광다이오드열로 구성되며, 냉각 또는 가열 온도에 따라 복수개의 각 발광다이오드열에서 각각 중심 파장의 천이가 이루어져 각 발광다이오드칩어레이에서 필요한 중심 파장 범위의 출력이 발생됨을 특징으로 하는 파장 국소 가변을 위한 광학 장비용 고출력 발광다이오드 광원 시스템
|
| 3 |
3
청구항 1 또는 청구항 2 중 어느 하나에 있어서,전술한 냉온수단은 열전모듈임을 특징으로 하는 파장 국소 가변을 위한 광학 장비용 고출력 발광다이오드 광원 시스템
|
| 4 |
4
청구항 1 또는 청구항 2 중 어느 하나에 있어서,전술한 냉온수단은 히트싱크와 팬모우터로 구성된 방열수단은 더 구비함을 특징으로 하는 파장 국소 가변을 위한 광학 장비용 고출력 발광다이오드 광원 시스템
|
| 5 |
5
청구항 1 또는 청구항 2 중 어느 하나에 있어서,전술한 냉온수단은 냉각을 위하여 일측에 팬모우터가 구비된 라디에이터와, 상기 라디에이터의 내부에 매설된 냉매순환파이프와, 상기 냉매순환파이프의 냉매를 순환시키는 냉매순환펌프 및 가열을 위한 히터로 구성됨을 특징으로 하는 파장 국소 가변을 위한 광학 장비용 고출력 발광다이오드 광원 시스템
|
| 6 |
6
청구항 1 또는 청구항 2 중 어느 하나에 있어서,전술한 발광다이오드칩어레이의 전방에 셔터를 설치하여서 됨을 특징으로 하는 파장 국소 가변을 위한 광학 장비용 고출력 발광다이오드 광원 시스템
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
청구항 1 또는 청구항 2 중 어느 하나에 있어서,전술한 발광다이오드칩어레이를 구성하는 복수개의 발광다이오드열에서 380nm~390nm, 390nm~400nm, 400nm~405nm, 405nm~410nm, 410nm~415nm 중심 파장 범위의 출력이 발생되어 자외선 영역의 중심 파장 선택이 가능하도록 함을 특징으로 하는 파장 국소 가변을 위한 광학 장비용 고출력 발광다이오드 광원 시스템
|
| 9 |
9
청구항 1 또는 청구항 2 중 어느 하나에 있어서,전술한 발광다이오드칩어레이를 구성하는 복수개의 발광다이오드열에서 440nm~445nm, 445nm~450nm, 450nm~455nm, 455nm~460nm, 460nm~465nm, 465nm~470nm, 470nm~475nm 중심 파장 범위의 출력이 발생되어 청색 영역의 중심 파장 선택이 가능하도록 함을 특징으로 하는 파장 국소 가변을 위한 광학 장비용 고출력 발광다이오드 광원 시스템
|
| 10 |
10
청구항 1 또는 청구항 2 중 어느 하나에 있어서,전술한 발광다이오드칩어레이를 구성하는 복수개의 발광다이오드열에서 495nm~500nm, 500nm~505nm, 505nm~510nm, 510nm~515nm, 520nm~525nm, 525nm~530nm, 530nm~535nm 중심 파장 범위의 출력이 발생되어 녹색 영역의 중심 파장 선택이 가능하도록 함을 특징으로 하는 파장 국소 가변을 위한 광학 장비용 고출력 발광다이오드 광원 시스템
|
| 11 |
11
청구항 1 또는 청구항 2 중 어느 하나에 있어서,전술한 발광다이오드칩어레이를 구성하는 복수개의 발광다이오드열에서 591nm~601nm, 611nm~621nm, 620nm~630nm, 640nm~660nm, 685nm~710nm 중심 파장 범위의 출력이 발생되어 녹색 영역의 중심 파장 선택이 가능하도록 함을 특징으로 하는 파장 국소 가변을 위한 광학 장비용 고출력 발광다이오드 광원 시스템
|
